Физические механизмы распыления мишеней из SiO₂ ускоренными ионами фуллерена C₆₀
Исследованы физические закономерности и механизмы роста углеродных плёнок и эрозии поверхности при облучении мишеней из кварца (SiO₂) пучком ускоренных ионов C₆₀ с энергией в интервале 2,5—10 кэВ при температуре мишени 373 К. Установлено, что рост углеродных плёнок на поверхности облучаемых мишеней...
Saved in:
| Published in: | Металлофизика и новейшие технологии |
|---|---|
| Date: | 2015 |
| Main Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2015
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112255 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Физические механизмы распыления мишеней из SiO₂ ускоренными ионами фуллерена C₆₀ / М. В. Малеев, Е. Н. Зубарев, В. Е. Пуха, А. Н. Дроздов, А. С. Вус // Металлофизика и новейшие технологии. — 2015. — Т. 37, № 6. — С. 775-788. — Бібліогр.: 27 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1859611734993534976 |
|---|---|
| author | Малеев, М.В. Зубарев, Е.Н. Пуха, В.Е. Дроздов, А.Н. Вус, А.С. |
| author_facet | Малеев, М.В. Зубарев, Е.Н. Пуха, В.Е. Дроздов, А.Н. Вус, А.С. |
| citation_txt | Физические механизмы распыления мишеней из SiO₂ ускоренными ионами фуллерена C₆₀ / М. В. Малеев, Е. Н. Зубарев, В. Е. Пуха, А. Н. Дроздов, А. С. Вус // Металлофизика и новейшие технологии. — 2015. — Т. 37, № 6. — С. 775-788. — Бібліогр.: 27 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Металлофизика и новейшие технологии |
| description | Исследованы физические закономерности и механизмы роста углеродных плёнок и эрозии поверхности при облучении мишеней из кварца (SiO₂) пучком ускоренных ионов C₆₀ с энергией в интервале 2,5—10 кэВ при температуре мишени 373 К. Установлено, что рост углеродных плёнок на поверхности облучаемых мишеней из SiO₂ наблюдается в интервале энергий ионов 2,5—3,75 кэВ. При этом скорость осаждения углерода лимитируется процессом эрозии поверхности роста, интенсивность которого зависит от энергии ионов. При энергии ионов выше верхних значений указанных интервалов плёнка на поверхности не формируется, и наблюдается эрозия материала мишени. Показана возможность удаления аморфного оксида с поверхности кремниевой подложки и формирование на ней эпитаксиального карбида кремния.
Досліджено фізичні закономірності та механізми росту вуглецевих плівок та ерозії поверхні при опроміненні мішеней з кварцу (SiO₂) пучком прискорених йонів C₆₀ з енергією в інтервалі 2,5—10 кеВ за температури мішені у 373 К. Встановлено, що ріст вуглецевих плівок на поверхні мішеней з SiO₂, які опромінюються йонами C₆₀, спостерігається в інтервалі енергій йонів 2,5—3,75 кеВ. При цьому швидкість осадження вуглецю лімітується процесом ерозії поверхні росту, інтенсивність якого залежить від енергії йонів. При енергії йонів вище верхніх значень зазначених інтервалів плівка на поверхні не формується, і спостерігається ерозія матеріялу мішені. Показано можливість видалення аморфного оксиду з поверхні кремнієвого підложжя і формування на ній епітаксійного карбіду кремнію.
Growth of carbon films and surface erosion during irradiation of quartz (SiO₂) by accelerated C₆₀-ion beams with energies in the range of 2.5—10 keV at a target temperature of 373 K are investigated. As found, the growth of carbon films on the surface of the irradiated targets of SiO₂ is observed in the range of ion energies of 2.5—3.75 keV. In this case, carbon deposition rate is limited by the process of erosion of the growth surface, the intensity of which depends on the energy of the ions. When the ion energy is higher than the upper values of these intervals, the film is not formed on the surface, and erosion of the target material takes place. The possibility of both removing of the amorphous oxide from the surface of Si substrate and forming of an epitaxial silicon carbide thereon is shown.
|
| first_indexed | 2025-11-28T12:01:55Z |
| format | Article |
| fulltext |
775
PACS numbers:61.80.Jh, 61.82.Fk,68.37.Lp,68.47.Gh,68.55.Nq,81.40.Wx, 81.65.Cf
Физические механизмы распыления мишеней из SiO2
ускоренными ионами фуллерена C60
М. В. Малеев, Е. Н. Зубарев, В. Е. Пуха, А. Н. Дроздов, А. С. Вус
Национальный технический университет
«Харьковский политехнический институт»,
ул. Фрунзе, 21,
61002 Харьков, Украина
Исследованы физические закономерности и механизмы роста углеродных
плёнок и эрозии поверхности при облучении мишеней из кварца (SiO2)
пучком ускоренных ионов С60 с энергией в интервале 2,5—10 кэВ при тем-
пературе мишени 373 К. Установлено, что рост углеродных плёнок на по-
верхности облучаемых мишеней из SiO2 наблюдается в интервале энергий
ионов 2,5—3,75 кэВ. При этом скорость осаждения углерода лимитирует-
ся процессом эрозии поверхности роста, интенсивность которого зависит
от энергии ионов. При энергии ионов выше верхних значений указанных
интервалов плёнка на поверхности не формируется, и наблюдается эрозия
материала мишени. Показана возможность удаления аморфного оксида с
поверхности кремниевой подложки и формирование на ней эпитаксиаль-
ного карбида кремния.
Досліджено фізичні закономірності та механізми росту вуглецевих плівок
та ерозії поверхні при опроміненні мішеней з кварцу (SiO2) пучком прис-
корених йонів С60 з енергією в інтервалі 2,5—10 кеВ за температури мішені
у 373 К. Встановлено, що ріст вуглецевих плівок на поверхні мішеней з
SiO2, які опромінюються йонами С60, спостерігається в інтервалі енергій
йонів 2,5—3,75 кеВ. При цьому швидкість осадження вуглецю лімітується
процесом ерозії поверхні росту, інтенсивність якого залежить від енергії
йонів. При енергії йонів вище верхніх значень зазначених інтервалів плі-
вка на поверхні не формується, і спостерігається ерозія матеріялу мішені.
Показано можливість видалення аморфного оксиду з поверхні кремнієво-
го підложжя і формування на ній епітаксійного карбіду кремнію.
Growth of carbon films and surface erosion during irradiation of quartz
(SiO2) by accelerated C60-ion beams with energies in the range of 2.5—10 keV
at a target temperature of 373 K are investigated. As found, the growth of
carbon films on the surface of the irradiated targets of SiO2 is observed in the
range of ion energies of 2.5—3.75 keV. In this case, carbon deposition rate is
Металлофиз. новейшие технол. / Metallofiz. Noveishie Tekhnol.
2015, т. 37, № 6, сс. 775—788
Оттиски доступны непосредственно от издателя
Фотокопирование разрешено только
в соответствии с лицензией
2015 ИМФ (Институт металлофизики
им. Г. В. Курдюмова НАН Украины)
Напечатано в Украине.
776 М. В. МАЛЕЕВ, Е. Н. ЗУБАРЕВ, В. Е. ПУХА, А. Н. ДРОЗДОВ, А. С. ВУС
limited by the process of erosion of the growth surface, the intensity of which
depends on the energy of the ions. When the ion energy is higher than the up-
per values of these intervals, the film is not formed on the surface, and ero-
sion of the target material takes place. The possibility of both removing of
the amorphous oxide from the surface of Si substrate and forming of an epi-
taxial silicon carbide thereon is shown.
Ключевые слова: структура плёнок, распыление поверхности, энергия
ионов, кварц, фуллерен.
(Получено 24марта 2015 г.)
1. ВВЕДЕНИЕ
Ионные пучки фуллерена C60 нашли применение во вторичной ион-
ной масс-спектрометрии (ВИМС) [1—4] для распыления анализиру-
емого вещества, послойного анализа методом рентгеновской фото-
электронной спектроскопии (РФЭС) [5, 6], показана также возмож-
ность формирования из них сверхтвёрдых нанокомпозитных по-
крытий [7—9]. Интервал энергий, где происходит смена роста плён-
ки на распыление поверхности, индивидуален для материала ми-
шени [10] и, кроме того, может быть связан с химическим составом
остаточной атмосферы вакуумной камеры [11]. Таким образом, рас-
пыление при помощи ускоренных ионов C60 может обладать высокой
селективностью, что весьма важно для формирования нанострукту-
рированных поверхностей и применений в микроэлектронике для
фотолитографических процессов. Особый интерес в этом случае вы-
зывает система SiO2/Si, которая является основой элементной базы
современной микроэлектроники. Если распыление кремния ионами
C60 исследовалось как экспериментальными [11, 12], так и теорети-
ческими [10, 13] методами, то зависимость коэффициента распыле-
ния SiO2 от энергии не определена до сих пор. В работе [6] показана
возможность распыления SiO2 ионами C60 энергией 5 кэВ со скоро-
стью 2,4 нм/мин. Известно также, что при энергии 2,5 кэВ на по-
верхности стекла, основным компонентом которого является SiO2,
формируется углеродная плёнка [14]. Поверхность кремния начи-
нает распыляться при энергии ионов в интервале от 7 до 8 кэВ [11], а
при более низких энергиях растёт алмазоподобная плёнка. Селек-
тивность распыления, наблюдаемая для системы SiO2/Si, связана,
по-видимому, с химическим взаимодействием углеродных атомов,
составляющих каркас молекулы фуллерена, с кислородом и может
быть использована для формирования наноструктур на основе окси-
да кремния и алмазоподобных углеродных плёнок [14] при условии
определения закономерностей распыления поверхности SiO2.
Таким образом, целью данной работы стало определение физиче-
ских закономерностей и механизмов распыления и осаждения ве-
ФИЗИЧЕСКИЕ МЕХАНИЗМЫ РАСПЫЛЕНИЯ МИШЕНЕЙ ИЗ SiO2 ИОНАМИ C60 777
щества при бомбардировке поверхности оксида кремния ускорен-
ными ионами С60 в диапазоне энергий от 2,5 до 10 кэВ, охватываю-
щем переход от роста плёнок к эрозии мишени. Исследование вы-
полнялось при нормальном падении пучка.
2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
2.1. Измерение коэффициента осаждения и распыления
Для экспериментального исследования процессов осаждения и рас-
пыления при взаимодействии ускоренных ионов С60 с поверхностью
использовался модифицированный вакуумный пост ВУП-5М. Ра-
бочее давление в камере во время эксперимента составляло 10
4
Па. Ионный пучок генерировался при помощи ионного источника с
седловидным электрическим полем [7] при ускоряющем напряже-
нии в диапазоне от 3 до 6 кВ. В качестве рабочей среды для ионного
источника использовались пары фуллерена C60. Фуллереновый по-
рошок (C60 чистотой 99,5%, NeoTechProduct, Saint Petersburg, Rus-
sia) загружался в две эффузионные ячейки, расположенные на про-
тивоположных боковых сторонах ионного источника. Для предот-
вращения конденсации C60 на внутренних стенках корпус источни-
ка прогревался до температуры 673 К. Схема экспериментальной
установки приведена на рис. 1.
Рис. 1. Схема экспериментальной установки.
778 М. В. МАЛЕЕВ, Е. Н. ЗУБАРЕВ, В. Е. ПУХА, А. Н. ДРОЗДОВ, А. С. ВУС
Ионный пучок после выхода из источника фокусировался и огра-
ничивался системой электростатических линз и щелей и направ-
лялся в магнитный сепаратор (индукция магнитного поля 0,6 Тл),
где отсекались ионы малых масс и энергий, а также пространствен-
но разделялись ионы С60 различного типа (димеры, одно-, двух- и
трёхзарядные фуллереновые молекулы). Пространственное распре-
деление пучка после магнитного сепаратора приведено на рис 2.
Для определения соотношения компонентов в пучке мы использо-
вали аппроксимацию пространственного распределения элемен-
тарных пучков функциями Гаусса и Лоренца. Суммарная функция
на основе функций Лоренца при этом наиболее близка к экспери-
ментальной кривой. Пространственные границы пучков на рис. 2
показаны вблизи максимумов вертикальными линиями.
В таблице 1 приведены соотношения между компонентами пуч-
ка. Для распыления мишени использовались одно- и двухзарядные
ионы фуллерена. С помощью шторки-зонда, закреплённой на дер-
жателе, подложка, служащая мишенью, выводилась на пучок од-
нозарядных либо двухзарядных ионов C60, затем шторка открыва-
лась, и подложка обрабатывалась пучком ионов. Ток ионов C60 на
Рис. 2. Пространственное распределение пучка после магнитного сепара-
тора.
ТАБЛИЦА 1. Состав ионного пучка С60.
Частицы Процентное содержание, %
2С60
4,7
С60
71,8
С60
22
С60
1,5
ФИЗИЧЕСКИЕ МЕХАНИЗМЫ РАСПЫЛЕНИЯ МИШЕНЕЙ ИЗ SiO2 ИОНАМИ C60 779
мишень измерялся при помощи шторки-зонда до и после распыле-
ния мишени. В процессе распыления ток на мишень поддерживал-
ся постоянным за счёт поддержки стабильности температуры испа-
рителей фуллерена. Контроль ионного тока осуществлялся при по-
мощи зонда на втором мониторинговом выходе пучка ионного ис-
точника. Во время распыления диэлектрических мишеней заряд
пучка компенсировался нейтрализатором, в качестве которого ис-
пользовалась пушка медленных электронов. Энергия электронов,
используемых для нейтрализации, не превышала 50 эВ.
В качестве мишеней использовались оптически прозрачные пла-
стины из плавленого кварца и кремниевые пластины КЭФ-1 с ори-
ентацией (100), покрытые естественным слоем окисла и термически
окислённые с толщиной окисла 100 нм. Тепловой контакт между
подложкодержателем и мишенью осуществлялся через слой жид-
кого металлического сплава In—Ga эвтектического состава. Темпе-
ратура мишени поддерживалась в нужном диапазоне при помощи
вольфрамового нагревателя. Для определения энергетического рас-
пределения пучка на место мишени устанавливался многосеточный
зонд, и энергетическое распределение ионов рассчитывалось путём
дифференцирования кривых задержки [15]. Кривые задержки од-
но- и двухзарядных ионов, с учётом масштабного коэффициента по
току, практически совпадали, то есть средние энергии двухзаряд-
ных ионов в два раза превышают средние энергии однозарядных
ионов. Энергетические распределения ионов C60 при ускоряющих
потенциалах 3, 4, 5 и 6 кВ приведены на рис. 3. Там же приведены
энергетические распределения для двухзарядных ионов при уско-
Рис. 3. Энергетические распределения одно- и двухзарядных ионов C60 при
ускоряющих потенциалах 3, 4, 5 и 6 кВ. Для двухзарядных ионов приве-
дены энергетические распределения для 4 и 6 кВ (значения нижней шка-
лы в этом случае необходимо удвоить).
780 М. В. МАЛЕЕВ, Е. Н. ЗУБАРЕВ, В. Е. ПУХА, А. Н. ДРОЗДОВ, А. С. ВУС
ряющих потенциалах 4 и 6 кВ. Значения средних энергий ионов в
пучках, измеренные при различных ускоряющих потенциалах,
приведены в табл. 2. Определение вторичной электронной эмиссии
выполнялось по разнице полного тока пучка на коллектор зонда и
тока с подачей потенциала на сетку, задерживающую вторичные
электроны. Для однозарядных ионов при ускоряющих напряжени-
ях 3 и 6 кВ коэффициент вторичной эмиссии составил 3% и 10%
соответственно, для двухзарядных ионов при ускоряющем напря-
жении 6 кВ коэффициент вторичной эмиссии составил около 20%.
Коэффициенты распыления вещества мишени и поверхности уг-
леродных плёнок (Y) определялись как отношение числа атомов,
испускаемых мишенью, к числу бомбардирующих мишень ионов
фуллерена. Для этого измерялся ионный ток на мишень с учётом
вторичной электронной эмиссии, и определялась глубина травления
мишени либо толщина плёнки, нарастающей на её поверхности. На
мишень в качестве маски накладывалась никелевая сетка, покры-
тая проводящим углеродным слоем. Покрытие предотвращало за-
грязнение никелем поверхности мишени. Размер ячейки сетки –
0,350,35 мм
2, шаг – 0,4 мм. Ступенька на границе затенения из-
мерялась при помощи двухлучевого интерферометра МИИ-4. Ре-
зультаты измерений в каждой ячейке сетки усреднялись по всей об-
лучаемой поверхности мишени. Количество бомбардирующих ми-
шень ионов определялось из величины тока одно- либо двухзаряд-
ных ионов C60, приходящих на мишень. Расчёт коэффициента рас-
пыления облучаемой поверхности выполнялся по формуле
60
,Ah N nqS It
Y
It qS M
(1)
где I – ток на мишень, S – облучаемая площадь, t – время облу-
чения ионами, q – заряд иона, NA – число Авогадро, n – количе-
ство атомов в молекуле.
При травлении мишени суммируется количество атомов вытрав-
ленного вещества мишени и количество атомов углерода, приходя-
щих на мишень в виде ионов фуллерена, которые тоже удаляются
при распылении (знак плюс в числителе). В этом случае h – глуби-
на травления поверхности, и M – плотность и молекулярная мас-
са вещества мишени. Количество атомов распылённого вещества в
ТАБЛИЦА 2. Зависимость средних энергий ионов в пучке от величины
ускоряющего потенциала (Ua – ускоряющее напряжение на электродах
ионного источника, Ei – средняя энергия ионов).
Ua, кВ 3 4 5 6
Ei, кэВ 2,5 3,6 4,4 5
ФИЗИЧЕСКИЕ МЕХАНИЗМЫ РАСПЫЛЕНИЯ МИШЕНЕЙ ИЗ SiO2 ИОНАМИ C60 781
случае конденсации равна разнице количества атомов углерода,
приходящих на мишень в виде ионов фуллерена и атомов, остаю-
щихся на поверхности мишени в виде плёнки (знак минус в числи-
теле, и относятся к веществу плёнки, h – её толщина). В знаме-
нателе в обоих случаях фигурирует количество ионов фуллерена,
пришедших на мишень.
Плотность плёнок определялась по углу полного внешнего отра-
жения рентгеновских лучей. Регистрация кривых малоуглового
рентгеновского отражения осуществлялась на дифрактометре
ДРОН-3М в излучении CuK1 ( 0,15406 нм) с использованием ко-
сосрезанного кремниевого монохроматора (110). Моделирование
кривых малоугловой рентгеновской дифракции выполнялось в
программе IMD Д. Виндта [16], позволяющей моделировать кривые
зеркального отражения и незеркального рассеяния на основе
DWBA теории взаимодействия рентгеновских лучей с твёрдым те-
лом [17]. Кроме плотности определялась и толщина тонких угле-
родных плёнок путём подгонки формы кривых малоугловой рент-
геновской дифракции (—2-сканирование) в программе IMD. Плот-
ность плёнок определялась для энергий ионов 2,5, 5, 7,5, 10, 11,5
кэВ (рис. 4). Подложкой в этом случае служила кремниевая шайба,
на которую предварительно при энергии ионов 5 кэВ была нанесена
углеродная плёнка толщиной 2 нм. Углеродная плёнка защищала
поверхность кремния от распыления [18]. Данные по плотности уг-
леродных плёнок для промежуточных значений и более высоких
энергий определялись путём линейной интерполяции и экстрапо-
ляции графика зависимости плотности плёнок от энергии. Когда
рост углеродной плёнки отсутствовал, т.е. происходило травление
мишени, для расчётов использовалась плотность плавленого кварца
Рис. 4. График изменения плотности плёнок в зависимости от энергии
ионов для образцов, полученных при температуре 373К.
782 М. В. МАЛЕЕВ, Е. Н. ЗУБАРЕВ, В. Е. ПУХА, А. Н. ДРОЗДОВ, А. С. ВУС
либо плотность кремния.
2.2. Исследование структуры
Исследование структуры плёнок выполнялось при помощи просве-
чивающего электронного микроскопа JEM-3000F (JEOL, Япония) с
типичным разрешением по точкам 0,16 нм. Препарирование образ-
цов для ПЭМ выполнялось по стандартной методике приготовления
поперечных сечений для электронной микроскопии. Образец на
кремнии в виде двух пластинок склеивался сторонами с нанесённой
плёнкой при помощи проводящей эпоксидной смолы, затем меха-
нически шлифовался. Дальнейшее утонение выполнялось при по-
мощи ионных пушек, пучки из которых под малым углом ( 13)
стравливали склеенные образцы с двух боковых сторон. Ускоряю-
щее напряжение на электродах ионных пушек при утонении со-
ставляло 6 кВ.
3. РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ
3.1. Распыление поверхности кварца ускоренными ионами C60
Результаты исследования поверхности мишени из плавленого
кварца при помощи двулучевого интерферометра приведены на
рис. 5. Как выяснилось, при анализе рельефа, полученного в ре-
зультате затенения поверхности маской в виде сетки, облучение по-
верхности плавленого кварца, в зависимости от энергии ускорен-
ных ионов C60, приводит к росту на поверхности мишени углерод-
Рис. 5. Интегральный коэффициент распыления мишени из плавленого
кварца.
ФИЗИЧЕСКИЕ МЕХАНИЗМЫ РАСПЫЛЕНИЯ МИШЕНЕЙ ИЗ SiO2 ИОНАМИ C60 783
ных плёнок либо к травлению поверхности. Чтобы охарактеризо-
вать поверхностные процессы во всем интервале энергий, использу-
ем интегральный коэффициент распыления Y, который показывает
количество выбитых атомов мишени одним ионом фуллерена неза-
висимо от их природы.
При бомбардировке поверхности SiO2 ионами С60 с энергией в ин-
тервале 2,5—3,75 кэВ наблюдался рост углеродной плёнки. С другой
стороны, толщина h углеродной плёнки, измеренная при помощи
интерферометра, меньше чем толщина hi, рассчитанная из количе-
ства вещества, приносимого ионами C60 на поверхность:
hi ItM60/(SqNA), (2)
где M – молекулярная масса углерода, – измеренная плотность
углеродной плёнки. Обозначения остальных величин – такие же,
как в (1). Очевидно, что при разрушении молекулы в момент удара,
часть атомов углерода покидает поверхность мишени. Таким обра-
зом, количество осаждённого вещества на мишень в значительной
мере может лимитироваться распылением. Под распылением мы
подразумеваем ряд процессов, включающих физическое распыле-
ние, термическое испарение атомов из «теплового пика», образую-
щегося в месте удара молекулы с высокой энергией и химическое
распыление при образовании летучих соединений вещества мише-
ни с углеродом [19]. Измерение толщины углеродной плёнки и под-
становка в формулу (1) экспериментальных значений с учётом вто-
ричных эффектов, показало, что даже при энергии ионов C60 2,5
кэВ, каждый удар иона приводит к распылению в среднем 10,7 ато-
мов углерода (коэффициент распыления углерода YC 10,7). Если
рассматривать этот процесс в терминах осаждения углеродной
плёнки, когда из 60 атомов иона фуллерена осаждается на поверх-
ности в среднем 60 10,7 49,3 атома, то можно заключить, что ко-
эффициент осаждения не превышает 0,82. С увеличением энергии
ионов C60 коэффициент осаждения углерода уменьшается и при
энергии 3,75 кэВ составляет 42 атома на ион фуллерена, т.е. 0,7.
При энергии бомбардирующих ионов выше 3,75 кэВ рост плёнки
прекращается и начинается ионное травление поверхности SiO2.
Коэффициент распыления в интервале средних энергий ионов
3,75—4,4 кэВ возрастает с 18 до 60 (в 3,3 раза). Существенное увели-
чение коэффициента распыления («скачок» коэффициента распы-
ления) можно связать с образованием летучих продуктов в резуль-
тате реакций углерода с кислородом мишени (CO, CO2). С другой
стороны, в работе [18] показано существование подобных «скачков»
коэффициента распыления при бомбардировке ионами C60 элемен-
тарных мишеней из углерода и кремния. В этом случае химическое
распыление отсутствует.
784 М. В. МАЛЕЕВ, Е. Н. ЗУБАРЕВ, В. Е. ПУХА, А. Н. ДРОЗДОВ, А. С. ВУС
Shixin Sun и др. [20] для объяснения появления кластеров с вы-
сокими энергиями при распылении Ag ионами C60 предложили
взрывной механизм распыления с образованием высокоскоростных
струй кластеров распылённого вещества. Экспериментальные ре-
зультаты, полученные, а работе [20], подтверждены молекулярно-
динамическим моделированием, проведённым Z. Postawa и др. в
[21]. Переход от механизма, связанного с термическим испарением
из теплового пика [19, 22] к взрывному, может обуславливать ска-
чок коэффициента распыления. Очевидно, подобный механизм
должен реализоваться при превышении некой пороговой энергии
бомбардирующих ионов, величина которой зависит от теплофизи-
ческих характеристик вещества.
Дальнейший рост энергии ионов (более 4,4 кэВ) приводит к плав-
ному росту интегрального коэффициента распыления. При энергии
10 кэВ коэффициент распыления достигает 204, т.е. один ион C60
выбивает с поверхности, кроме 60 атомов углерода, в среднем 48
атомов кремния и 96 атомов кислорода. Закон возрастания инте-
грального коэффициента распыления близок к логарифмическому:
Y 93,6ln(Ei 0,89). (3)
Следует заметить, что для элементарных мишеней (Si, C) инте-
гральный коэффициент распыления при энергиях выше «скачка»
пропорционален энергии ионов с коэффициентом пропорциональ-
ности, характерным для данного вещества [18]. Нелинейность за-
висимости коэффициента распыления для кварца указывает на до-
полнительные механизмы распыления, которые отсутствуют у эле-
ментарных мишеней. Если сравнить положение «скачка» коэффи-
циента распыления при повышении энергии ионов для Si и SiO2,
температуры испарения которых не сильно отличаются (1350C и
1250C для равновесного давления 10
2
Торр [23]), то по энергетиче-
ской шкале положение «скачка» коэффициента распыления отли-
чается в 2 раза (7,5 кэВ и 3,75 кэВ соответственно). Мы предполага-
ем, что дополнительный механизм распыления связан с образова-
нием летучих продуктов реакции углерода с кислородом мишени
(CO, CO2). Этот механизм не является основным, но вносит суще-
ственный вклад как в нелинейность зависимости коэффициента
распыления от энергии, так и в сдвиг его «скачка» в область более
низких энергий ионов.
3.2. Формирование углеродной плёнки на поверхности
окислённого кремния
Исследование распыления поверхности окислённого кремния пока-
зало, что закономерности распыления плёнки SiO2, выращенной
ФИЗИЧЕСКИЕ МЕХАНИЗМЫ РАСПЫЛЕНИЯ МИШЕНЕЙ ИЗ SiO2 ИОНАМИ C60 785
сухим окислением на кремнии, имеют такой же вид, как и для
плавленого кварца. До энергии ионов C60 3,75 кэВ на поверхности
растёт углеродная плёнка, а дальнейшее повышение энергии ионов
приводит к росту интегрального коэффициента распыления и при
энергиях близких к 4,4 кэВ – к распылению окисла. После того,
как граница распыления достигает поверхности кремния, в зави-
симости от энергии ионов, наблюдается либо распыление Si, либо
рост углеродной плёнки. Интервал энергий ионов, в пределах кото-
рого происходит распыление SiO2 и рост углеродной плёнки на
кремнии, составляет 3,1 кэВ (от 4,4 до 7,5 кэВ). Этот интервал ин-
тересен для использования в технологии приборных структур (для
формирования «окон» в диэлектрическом оксиде и росте на по-
верхности кремния углеродных структур).
Для изучения возможности формирования таких «окон» часть
окислённой шайбы Si была закрыта углеродной плёнкой толщиной
5 нм, полученной при энергии ионов 2,5 кэВ, затем эта пластина
была подвергнута воздействию ионного пучка фуллерена с энергией
5 кэВ. Углеродная плёнка, по данным работы [18], не распыляется
вплоть до энергии ионов C60 19 кэВ и, таким образом, может быть
использована в качестве маски. В области с углеродным покрытием
на поверхности, толщина покрытия увеличилась. В области без по-
крытия оксид был вытравлен до кремния, на поверхности которого
выросла углеродная плёнка. Эта область легко определялась по
уменьшенному электрическому сопротивлению.
Для исследования границы углерод—кремний, возникшей после
распыления оксида на поверхности Si, использована высокоразре-
шающая просвечивающая электронная микроскопия (ВР ПЭМ) по-
перечного сечения образца (рис. 6 и 7). Электронный пучок парал-
Рис. 6. ВР ПЭМ поперечного сечения окислённого кремния после распы-
ления окисла.
786 М. В. МАЛЕЕВ, Е. Н. ЗУБАРЕВ, В. Е. ПУХА, А. Н. ДРОЗДОВ, А. С. ВУС
лелен направлению [110]Si и на нижней части изображений наблю-
дается контраст от рядов атомных плоскостей (111)Si с межплос-
костным расстоянием 0,314 нм. На рисунке 6 ясно различимы,
кроме монокристаллического кремния и слоя эпоксидной смолы,
находящиеся между ними четыре зоны, которые последовательно
формировались при бомбардировке кремния ускоренными ионами
C60. Отличия структуры этих зон связано как с влиянием кристал-
лической структуры подложки, так и градиентом концентрации
кремния в перемешенном слое, который возникает в результате
бомбардировки поверхности Si ионами C60 [24]. На рисунке 6 пред-
ставлено ВР ПЭМ-изображение перехода между Si(100) и углерод-
ной плёнкой при большом увеличении.
Анализ ПЭМ изображений позволил установить, что на поверх-
ности кремния формируется эпитаксиальный слой, состоящий из
4—6 атомных плоскостей с межплоскостными расстояниями 0,29
нм. Угол между этими плоскостями и плоскостями (111)Si состав-
ляет 6. Уменьшенные межплоскостные расстояния ( 8%) относи-
тельно межплоскостных (111) кремния для эпитаксиального слоя
позволяют предположить, что он имеет состав SiCx с избытком
кремния над стехиометрическим составом. Рост эпитаксиальных
слоёв SiCx при низких температурах подложки стимулируется воз-
никновением теплового «пика» с температурой в несколько тысяч
градусов, возникающем в месте удара ускоренного иона C60 [25].
Формирование эпитаксиального слоя карбида кремния на Si(111)
поверхности при комнатной температуре наблюдалось Roberto
Verucchi [26] при бомбардировке Si ионами С60 с энергией 30—35 эВ,
т.е. при энергиях на два порядка ниже, чем у нас.
При дальнейшем росте плёнки концентрация Si падает, происхо-
дит срыв эпитаксии и формируется переходной слой, состоящий из
Рис. 7. ВР ПЭМ перехода между Si(100) и углеродной плёнкой.
ФИЗИЧЕСКИЕ МЕХАНИЗМЫ РАСПЫЛЕНИЯ МИШЕНЕЙ ИЗ SiO2 ИОНАМИ C60 787
изогнутых неупорядоченных коротких (4—6 атомных колонок)
плоскостей. Толщина переходного слоя составляет 1нм. За ним
следует слой, состоящий из аморфного вещества, в котором ещё
может присутствовать кремний с малой концентрацией. Некоторые
объекты размером 1 нм (на рис. 7 обведены черным контуром и
показаны стрелкой) могут быть нанокристаллами SiC (расстояние
между линиями полосчатого контраста 0,25 нм). Ширина этого
слоя не превышает 3—4 нм. Далее этот слой плавно переходит в
аморфную плёнку со структурой, типичной для алмазоподобного
углерода [27].
4. ЗАКЛЮЧЕНИЕ
В работе были рассмотрены процессы эрозии поверхности при облу-
чении пучком ускоренных ионов С60 мишеней из плавленого кварца
в диапазоне энергий 2,5—10 кэВ. Определён интегральный коэффи-
циент распыления Y и показано, что до энергии 3,75 кэВ в стацио-
нарном режиме облучения растёт углеродная плёнка. Количество
осаждённого вещества на мишень контролируется дозой облучения
и коэффициентом распыления, который увеличивается от 10,7
ат./ион до 18 ат./ион при увеличении энергии от 2,5 до 3,75 кэВ. В
терминах роста углеродной плёнки коэффициент осаждения сни-
жается при этом с 0,82 до 0,7.
При энергии ионов 4,4 кэВ рост углеродной плёнки отсутствует и
обнаружено травление поверхности мишени. Коэффициент Y со-
ставил 117 ат./ион, т.е. кроме 60 атомов углерода распыляется ещё
57 атомов вещества мишени. Дальнейший рост энергии ионов
(свыше 4,4 кэВ) приводит к плавному росту Y по закону близкому к
логарифмическому. При энергии 10 кэВ интегральный коэффици-
ент распыления достигает 204 ат./ион.
Наблюдаемый скачок Y (в 6,5 раз) в интервале энергий 3,75—4,4
кэВ связан со сменой основного механизма распыления и, может
быть, обусловлен переходом от термического испарения из теплово-
го пика к взрывному испарению.
Показана возможность применения пучков ускоренных ионов C60
в фотолитографии для формирования «окон» в диэлектрическом
оксиде кремния и выращивания в «окне» на поверхности кремния
углеродных структур.
ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА–REFERENCES
1. N. Winograd, Surf. Interface Anal., 45, No. 1: 3 (2013).
2. N. Winograd, Anal. Chem., 77, No. 7: 142 (2005).
3. E. J. Lanni, S. J. Dunham, P. Nemes, S. S. Rubakhin, and J. V. Sweedler,
J. Am. Soc. Mass Spectrom., 25, No. 11: 1897 (2014).
788 М. В. МАЛЕЕВ, Е. Н. ЗУБАРЕВ, В. Е. ПУХА, А. Н. ДРОЗДОВ, А. С. ВУС
4. D. Kobayashi, Y. Yamamoto, and T. Isemura, Surf. Interface Anal., 45, No. 1:
113 (2013).
5. Y. Y. Chen, B.Y. Yu, W. B. Wang, M. F. Hsu, W. C. Lin, Y. C. Lin, J. H. Jou,
and J. J. Shyue, Anal. Chem., 80, No. 2: 501 (2008).
6. N. Sanada, A. Yamamoto, R. Oiwa, and Y. Ohashi, Surf. Interface Anal., 36,
No. 3: 280 (2004).
7. V. E. Pukha, E. N. Zubarev, A. N. Drozdov, A. T. Pugachov, S. H. Jeong, and
S. C. Nam, J. Phys. D: Appl. Phys., 45, No. 33: 335302 (2012).
8. V. E. Pukha, A. T. Pugachov, N. P. Churakova, E. N. Zubarev,
V. E. Vinogradov, and S. C. Nam, J. Nanosci. Nanotechnol., 12, No. 6: 4762
(2012).
9. O. V. Penkov, V. E. Pukha, E. N. Zubarev, S. S. Yoo, and D. E. Kim, Tribology
International, 60: 127 (2013).
10. K. D. Krantzman and B. J. Garrison, J. Phys. Chem. C, 113, No. 8: 3239 (2009).
11. G. Gillen, J. Batteas, C. A. Michaels, P. Chi, J. Small, E. Windsor, A. Fahey,
J. Verkouteren, and K. J. Kim, Appl. Surf. Sci., 252, No. 19: 6521 (2006).
12. J. Kozole and N. Winograd, Appl. Surf. Sci., 255, No. 8: 886 (2008).
13. K. D. Krantzman, D. B. Kingsbury, and B. J. Garrison, Nucl. Instrum. Methods
Phys. Res., Sect. B, 255, No. 1: 238 (2007).
14. M. Khadem, O. V. Penkov, V. E. Pukha, M. V. Maleyev, and D. E. Kim, Carbon,
80: 534 (2014).
15. N. I. Ionov, Zh. Tekh. Fiz., 34: 769 (1964); idem, Soviet Physics–Technical
Physics, 9: 591 (1964).
16. D. L. Windt, Comp. Phys., 12, No. 4: 360 (1998).
17. D. G. Stearns, D. P. Gaines, D.-W. Sweeney, and E. M. Gullikson, J. Appl. Phys.,
84, No. 2: 1003 (1998).
18. M. V. Maleyev, E. N. Zubarev, V. E. Pukha, A. N. Drozdov, A. S. Vus, and
A. Yu. Devizenko, Fizicheskaya Inzheneriya Poverkhnosti, 13, No. 1: 91 (2015)
(in Russian).
19. Raspylenie Tvyordykh Tel Ionnoy Bombardirovkoy. Fizicheskoe Raspylenie
Odnoelementnykh Tvyordykh Tel (Ed. R. Berish) (Moscow: Mir: 1984), Iss. 1
(Russian translation).
20. S. Sun, C. Szakal, N. Winograd, and A. Wucher, J. Am. Soc. Mass Spectrom.,
16, No. 10: 1677 (2005).
21. Z. Postawa, B. Czerwinski, M. Szewczyk, E. J. Smiley, N. Winograd, and
B. J. Garrison, J. Phys. Chem. B, 108, No. 23: 7831 (2004).
22. P. Sigmund, Thin Solid Films, 520, No. 19: 6031 (2012).
23. Tekhnologiya Tonkikh Plyonok: Spravochnik [Handbook of Thin Film
Technology] (Eds. L. I. Maissel and R. Glang) (Moscow: Sovetskoe Radio:
1977), vol. 1 (Russian translation).
24. K. D. Krantzman, C. A. Briner, and B. J. Garrison, J. Phys. Chem. A, 118,
No. 31: 8081 (2014).
25. V. E. Pukha, A. N. Stetsenko, S. N. Dub, and J. K. Lee, J. Nanosci.
Nanotechnol., 7, Nos. 4—5: 1370 (2007).
26. R. Verucchi, L. Aversa, M. V. Nardi, S. Taioli, S. Beccara, D. Alfè, L. Nasi,
F. Rossi, G., Salviati, and S. Iannotta, J. Am. Chem. Soc., 134, No. 42: 17400
(2012).
27. M. Zhong, C. Zhang, and J. Luo, Appl. Surf. Sci., 254, No. 21: 6742 (2008).
<<
/ASCII85EncodePages false
/AllowTransparency false
/AutoPositionEPSFiles true
/AutoRotatePages /None
/Binding /Left
/CalGrayProfile (Dot Gain 20%)
/CalRGBProfile (sRGB IEC61966-2.1)
/CalCMYKProfile (U.S. Web Coated \050SWOP\051 v2)
/sRGBProfile (sRGB IEC61966-2.1)
/CannotEmbedFontPolicy /Error
/CompatibilityLevel 1.4
/CompressObjects /Tags
/CompressPages true
/ConvertImagesToIndexed true
/PassThroughJPEGImages true
/CreateJobTicket false
/DefaultRenderingIntent /Default
/DetectBlends true
/DetectCurves 0.0000
/ColorConversionStrategy /CMYK
/DoThumbnails false
/EmbedAllFonts true
/EmbedOpenType false
/ParseICCProfilesInComments true
/EmbedJobOptions true
/DSCReportingLevel 0
/EmitDSCWarnings false
/EndPage -1
/ImageMemory 1048576
/LockDistillerParams false
/MaxSubsetPct 100
/Optimize true
/OPM 1
/ParseDSCComments true
/ParseDSCCommentsForDocInfo true
/PreserveCopyPage true
/PreserveDICMYKValues true
/PreserveEPSInfo true
/PreserveFlatness true
/PreserveHalftoneInfo false
/PreserveOPIComments true
/PreserveOverprintSettings true
/StartPage 1
/SubsetFonts true
/TransferFunctionInfo /Apply
/UCRandBGInfo /Preserve
/UsePrologue false
/ColorSettingsFile ()
/AlwaysEmbed [ true
]
/NeverEmbed [ true
]
/AntiAliasColorImages false
/CropColorImages true
/ColorImageMinResolution 300
/ColorImageMinResolutionPolicy /OK
/DownsampleColorImages true
/ColorImageDownsampleType /Bicubic
/ColorImageResolution 300
/ColorImageDepth -1
/ColorImageMinDownsampleDepth 1
/ColorImageDownsampleThreshold 1.50000
/EncodeColorImages true
/ColorImageFilter /DCTEncode
/AutoFilterColorImages true
/ColorImageAutoFilterStrategy /JPEG
/ColorACSImageDict <<
/QFactor 0.15
/HSamples [1 1 1 1] /VSamples [1 1 1 1]
>>
/ColorImageDict <<
/QFactor 0.15
/HSamples [1 1 1 1] /VSamples [1 1 1 1]
>>
/JPEG2000ColorACSImageDict <<
/TileWidth 256
/TileHeight 256
/Quality 30
>>
/JPEG2000ColorImageDict <<
/TileWidth 256
/TileHeight 256
/Quality 30
>>
/AntiAliasGrayImages false
/CropGrayImages true
/GrayImageMinResolution 300
/GrayImageMinResolutionPolicy /OK
/DownsampleGrayImages true
/GrayImageDownsampleType /Bicubic
/GrayImageResolution 300
/GrayImageDepth -1
/GrayImageMinDownsampleDepth 2
/GrayImageDownsampleThreshold 1.50000
/EncodeGrayImages true
/GrayImageFilter /DCTEncode
/AutoFilterGrayImages true
/GrayImageAutoFilterStrategy /JPEG
/GrayACSImageDict <<
/QFactor 0.15
/HSamples [1 1 1 1] /VSamples [1 1 1 1]
>>
/GrayImageDict <<
/QFactor 0.15
/HSamples [1 1 1 1] /VSamples [1 1 1 1]
>>
/JPEG2000GrayACSImageDict <<
/TileWidth 256
/TileHeight 256
/Quality 30
>>
/JPEG2000GrayImageDict <<
/TileWidth 256
/TileHeight 256
/Quality 30
>>
/AntiAliasMonoImages false
/CropMonoImages true
/MonoImageMinResolution 1200
/MonoImageMinResolutionPolicy /OK
/DownsampleMonoImages true
/MonoImageDownsampleType /Bicubic
/MonoImageResolution 1200
/MonoImageDepth -1
/MonoImageDownsampleThreshold 1.50000
/EncodeMonoImages true
/MonoImageFilter /CCITTFaxEncode
/MonoImageDict <<
/K -1
>>
/AllowPSXObjects false
/CheckCompliance [
/None
]
/PDFX1aCheck false
/PDFX3Check false
/PDFXCompliantPDFOnly false
/PDFXNoTrimBoxError true
/PDFXTrimBoxToMediaBoxOffset [
0.00000
0.00000
0.00000
0.00000
]
/PDFXSetBleedBoxToMediaBox true
/PDFXBleedBoxToTrimBoxOffset [
0.00000
0.00000
0.00000
0.00000
]
/PDFXOutputIntentProfile ()
/PDFXOutputConditionIdentifier ()
/PDFXOutputCondition ()
/PDFXRegistryName ()
/PDFXTrapped /False
/CreateJDFFile false
/Description <<
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
/BGR <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>
/CHS <FEFF4f7f75288fd94e9b8bbe5b9a521b5efa7684002000410064006f006200650020005000440046002065876863900275284e8e9ad88d2891cf76845370524d53705237300260a853ef4ee54f7f75280020004100630072006f0062006100740020548c002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e003000204ee553ca66f49ad87248672c676562535f00521b5efa768400200050004400460020658768633002>
/CHT <FEFF4f7f752890194e9b8a2d7f6e5efa7acb7684002000410064006f006200650020005000440046002065874ef69069752865bc9ad854c18cea76845370524d5370523786557406300260a853ef4ee54f7f75280020004100630072006f0062006100740020548c002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e003000204ee553ca66f49ad87248672c4f86958b555f5df25efa7acb76840020005000440046002065874ef63002>
/CZE <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>
/DAN <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>
/DEU <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>
/ESP <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>
/ETI <FEFF004b00610073007500740061006700650020006e0065006900640020007300e4007400740065006900640020006b00760061006c006900740065006500740073006500200074007200fc006b006900650065006c007300650020007000720069006e00740069006d0069007300650020006a0061006f006b007300200073006f00620069006c0069006b0065002000410064006f006200650020005000440046002d0064006f006b0075006d0065006e00740069006400650020006c006f006f006d006900730065006b0073002e00200020004c006f006f0064007500640020005000440046002d0064006f006b0075006d0065006e00740065002000730061006100740065002000610076006100640061002000700072006f006700720061006d006d006900640065006700610020004100630072006f0062006100740020006e0069006e0067002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e00300020006a00610020007500750065006d006100740065002000760065007200730069006f006f006e00690064006500670061002e000d000a>
/FRA <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>
/GRE <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>
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
/HRV (Za stvaranje Adobe PDF dokumenata najpogodnijih za visokokvalitetni ispis prije tiskanja koristite ove postavke. Stvoreni PDF dokumenti mogu se otvoriti Acrobat i Adobe Reader 5.0 i kasnijim verzijama.)
/HUN <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>
/ITA <FEFF005500740069006c0069007a007a006100720065002000710075006500730074006500200069006d0070006f007300740061007a0069006f006e00690020007000650072002000630072006500610072006500200064006f00630075006d0065006e00740069002000410064006f00620065002000500044004600200070006900f900200061006400610074007400690020006100200075006e00610020007000720065007300740061006d0070006100200064006900200061006c007400610020007100750061006c0069007400e0002e0020004900200064006f00630075006d0065006e007400690020005000440046002000630072006500610074006900200070006f00730073006f006e006f0020006500730073006500720065002000610070006500720074006900200063006f006e0020004100630072006f00620061007400200065002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e003000200065002000760065007200730069006f006e006900200073007500630063006500730073006900760065002e>
/JPN <FEFF9ad854c18cea306a30d730ea30d730ec30b951fa529b7528002000410064006f0062006500200050004400460020658766f8306e4f5c6210306b4f7f75283057307e305930023053306e8a2d5b9a30674f5c62103055308c305f0020005000440046002030d530a130a430eb306f3001004100630072006f0062006100740020304a30883073002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e003000204ee5964d3067958b304f30533068304c3067304d307e305930023053306e8a2d5b9a306b306f30d530a930f330c8306e57cb30818fbc307f304c5fc59808306730593002>
/KOR <FEFFc7740020c124c815c7440020c0acc6a9d558c5ec0020ace0d488c9c80020c2dcd5d80020c778c1c4c5d00020ac00c7a50020c801d569d55c002000410064006f0062006500200050004400460020bb38c11cb97c0020c791c131d569b2c8b2e4002e0020c774b807ac8c0020c791c131b41c00200050004400460020bb38c11cb2940020004100630072006f0062006100740020bc0f002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e00300020c774c0c1c5d0c11c0020c5f40020c2180020c788c2b5b2c8b2e4002e>
/LTH <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>
/LVI <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>
/NLD (Gebruik deze instellingen om Adobe PDF-documenten te maken die zijn geoptimaliseerd voor prepress-afdrukken van hoge kwaliteit. De gemaakte PDF-documenten kunnen worden geopend met Acrobat en Adobe Reader 5.0 en hoger.)
/NOR <FEFF004200720075006b00200064006900730073006500200069006e006e007300740069006c006c0069006e00670065006e0065002000740069006c002000e50020006f0070007000720065007400740065002000410064006f006200650020005000440046002d0064006f006b0075006d0065006e00740065007200200073006f006d00200065007200200062006500730074002000650067006e0065007400200066006f00720020006600f80072007400720079006b006b0073007500740073006b00720069006600740020006100760020006800f800790020006b00760061006c0069007400650074002e0020005000440046002d0064006f006b0075006d0065006e00740065006e00650020006b0061006e002000e50070006e00650073002000690020004100630072006f00620061007400200065006c006c00650072002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e003000200065006c006c00650072002000730065006e006500720065002e>
/POL <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>
/PTB <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>
/RUM <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>
/RUS <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>
/SKY <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>
/SLV <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>
/SUO <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>
/SVE <FEFF0041006e007600e4006e00640020006400650020006800e4007200200069006e0073007400e4006c006c006e0069006e006700610072006e00610020006f006d002000640075002000760069006c006c00200073006b006100700061002000410064006f006200650020005000440046002d0064006f006b0075006d0065006e007400200073006f006d002000e400720020006c00e4006d0070006c0069006700610020006600f60072002000700072006500700072006500730073002d007500740073006b00720069006600740020006d006500640020006800f600670020006b00760061006c0069007400650074002e002000200053006b006100700061006400650020005000440046002d0064006f006b0075006d0065006e00740020006b0061006e002000f600700070006e00610073002000690020004100630072006f0062006100740020006f00630068002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e00300020006f00630068002000730065006e006100720065002e>
/TUR <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>
/UKR <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>
/ENU (Use these settings to create Adobe PDF documents best suited for high-quality prepress printing. Created PDF documents can be opened with Acrobat and Adobe Reader 5.0 and later.)
>>
/Namespace [
(Adobe)
(Common)
(1.0)
]
/OtherNamespaces [
<<
/AsReaderSpreads false
/CropImagesToFrames true
/ErrorControl /WarnAndContinue
/FlattenerIgnoreSpreadOverrides false
/IncludeGuidesGrids false
/IncludeNonPrinting false
/IncludeSlug false
/Namespace [
(Adobe)
(InDesign)
(4.0)
]
/OmitPlacedBitmaps false
/OmitPlacedEPS false
/OmitPlacedPDF false
/SimulateOverprint /Legacy
>>
<<
/AddBleedMarks false
/AddColorBars false
/AddCropMarks false
/AddPageInfo false
/AddRegMarks false
/ConvertColors /ConvertToCMYK
/DestinationProfileName ()
/DestinationProfileSelector /DocumentCMYK
/Downsample16BitImages true
/FlattenerPreset <<
/PresetSelector /MediumResolution
>>
/FormElements false
/GenerateStructure false
/IncludeBookmarks false
/IncludeHyperlinks false
/IncludeInteractive false
/IncludeLayers false
/IncludeProfiles false
/MultimediaHandling /UseObjectSettings
/Namespace [
(Adobe)
(CreativeSuite)
(2.0)
]
/PDFXOutputIntentProfileSelector /DocumentCMYK
/PreserveEditing true
/UntaggedCMYKHandling /LeaveUntagged
/UntaggedRGBHandling /UseDocumentProfile
/UseDocumentBleed false
>>
]
>> setdistillerparams
<<
/HWResolution [2400 2400]
/PageSize [612.000 792.000]
>> setpagedevice
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-112255 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1024-1809 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-28T12:01:55Z |
| publishDate | 2015 |
| publisher | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Малеев, М.В. Зубарев, Е.Н. Пуха, В.Е. Дроздов, А.Н. Вус, А.С. 2017-01-18T20:29:52Z 2017-01-18T20:29:52Z 2015 Физические механизмы распыления мишеней из SiO₂ ускоренными ионами фуллерена C₆₀ / М. В. Малеев, Е. Н. Зубарев, В. Е. Пуха, А. Н. Дроздов, А. С. Вус // Металлофизика и новейшие технологии. — 2015. — Т. 37, № 6. — С. 775-788. — Бібліогр.: 27 назв. — рос. 1024-1809 PACS: 61.80.Jh, 61.82.Fk, 68.37.Lp, 68.47.Gh, 68.55.Nq, 81.40.Wx, 81.65.Cf https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112255 Исследованы физические закономерности и механизмы роста углеродных плёнок и эрозии поверхности при облучении мишеней из кварца (SiO₂) пучком ускоренных ионов C₆₀ с энергией в интервале 2,5—10 кэВ при температуре мишени 373 К. Установлено, что рост углеродных плёнок на поверхности облучаемых мишеней из SiO₂ наблюдается в интервале энергий ионов 2,5—3,75 кэВ. При этом скорость осаждения углерода лимитируется процессом эрозии поверхности роста, интенсивность которого зависит от энергии ионов. При энергии ионов выше верхних значений указанных интервалов плёнка на поверхности не формируется, и наблюдается эрозия материала мишени. Показана возможность удаления аморфного оксида с поверхности кремниевой подложки и формирование на ней эпитаксиального карбида кремния. Досліджено фізичні закономірності та механізми росту вуглецевих плівок та ерозії поверхні при опроміненні мішеней з кварцу (SiO₂) пучком прискорених йонів C₆₀ з енергією в інтервалі 2,5—10 кеВ за температури мішені у 373 К. Встановлено, що ріст вуглецевих плівок на поверхні мішеней з SiO₂, які опромінюються йонами C₆₀, спостерігається в інтервалі енергій йонів 2,5—3,75 кеВ. При цьому швидкість осадження вуглецю лімітується процесом ерозії поверхні росту, інтенсивність якого залежить від енергії йонів. При енергії йонів вище верхніх значень зазначених інтервалів плівка на поверхні не формується, і спостерігається ерозія матеріялу мішені. Показано можливість видалення аморфного оксиду з поверхні кремнієвого підложжя і формування на ній епітаксійного карбіду кремнію. Growth of carbon films and surface erosion during irradiation of quartz (SiO₂) by accelerated C₆₀-ion beams with energies in the range of 2.5—10 keV at a target temperature of 373 K are investigated. As found, the growth of carbon films on the surface of the irradiated targets of SiO₂ is observed in the range of ion energies of 2.5—3.75 keV. In this case, carbon deposition rate is limited by the process of erosion of the growth surface, the intensity of which depends on the energy of the ions. When the ion energy is higher than the upper values of these intervals, the film is not formed on the surface, and erosion of the target material takes place. The possibility of both removing of the amorphous oxide from the surface of Si substrate and forming of an epitaxial silicon carbide thereon is shown. ru Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Металлофизика и новейшие технологии Строение и свойства наноразмерных и мезоскопических материалов Физические механизмы распыления мишеней из SiO₂ ускоренными ионами фуллерена C₆₀ Фізичні механізми розпорошення мішеней із SiO₂ прискореними йонами фулерена C₆₀ Physical Mechanisms of SiO₂ Target Sputtering with Accelerated Ions of C₆₀ Article published earlier |
| spellingShingle | Физические механизмы распыления мишеней из SiO₂ ускоренными ионами фуллерена C₆₀ Малеев, М.В. Зубарев, Е.Н. Пуха, В.Е. Дроздов, А.Н. Вус, А.С. Строение и свойства наноразмерных и мезоскопических материалов |
| title | Физические механизмы распыления мишеней из SiO₂ ускоренными ионами фуллерена C₆₀ |
| title_alt | Фізичні механізми розпорошення мішеней із SiO₂ прискореними йонами фулерена C₆₀ Physical Mechanisms of SiO₂ Target Sputtering with Accelerated Ions of C₆₀ |
| title_full | Физические механизмы распыления мишеней из SiO₂ ускоренными ионами фуллерена C₆₀ |
| title_fullStr | Физические механизмы распыления мишеней из SiO₂ ускоренными ионами фуллерена C₆₀ |
| title_full_unstemmed | Физические механизмы распыления мишеней из SiO₂ ускоренными ионами фуллерена C₆₀ |
| title_short | Физические механизмы распыления мишеней из SiO₂ ускоренными ионами фуллерена C₆₀ |
| title_sort | физические механизмы распыления мишеней из sio₂ ускоренными ионами фуллерена c₆₀ |
| topic | Строение и свойства наноразмерных и мезоскопических материалов |
| topic_facet | Строение и свойства наноразмерных и мезоскопических материалов |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112255 |
| work_keys_str_mv | AT maleevmv fizičeskiemehanizmyraspyleniâmišeneiizsio2uskorennymiionamifullerenac60 AT zubareven fizičeskiemehanizmyraspyleniâmišeneiizsio2uskorennymiionamifullerenac60 AT puhave fizičeskiemehanizmyraspyleniâmišeneiizsio2uskorennymiionamifullerenac60 AT drozdovan fizičeskiemehanizmyraspyleniâmišeneiizsio2uskorennymiionamifullerenac60 AT vusas fizičeskiemehanizmyraspyleniâmišeneiizsio2uskorennymiionamifullerenac60 AT maleevmv fízičnímehanízmirozporošennâmíšeneiízsio2priskorenimiionamifulerenac60 AT zubareven fízičnímehanízmirozporošennâmíšeneiízsio2priskorenimiionamifulerenac60 AT puhave fízičnímehanízmirozporošennâmíšeneiízsio2priskorenimiionamifulerenac60 AT drozdovan fízičnímehanízmirozporošennâmíšeneiízsio2priskorenimiionamifulerenac60 AT vusas fízičnímehanízmirozporošennâmíšeneiízsio2priskorenimiionamifulerenac60 AT maleevmv physicalmechanismsofsio2targetsputteringwithacceleratedionsofc60 AT zubareven physicalmechanismsofsio2targetsputteringwithacceleratedionsofc60 AT puhave physicalmechanismsofsio2targetsputteringwithacceleratedionsofc60 AT drozdovan physicalmechanismsofsio2targetsputteringwithacceleratedionsofc60 AT vusas physicalmechanismsofsio2targetsputteringwithacceleratedionsofc60 |