Физические механизмы распыления мишеней из SiO₂ ускоренными ионами фуллерена C₆₀
Исследованы физические закономерности и механизмы роста углеродных плёнок и эрозии поверхности при облучении мишеней из кварца (SiO₂) пучком ускоренных ионов C₆₀ с энергией в интервале 2,5—10 кэВ при температуре мишени 373 К. Установлено, что рост углеродных плёнок на поверхности облучаемых мишеней...
Saved in:
| Published in: | Металлофизика и новейшие технологии |
|---|---|
| Date: | 2015 |
| Main Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2015
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112255 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Физические механизмы распыления мишеней из SiO₂ ускоренными ионами фуллерена C₆₀ / М. В. Малеев, Е. Н. Зубарев, В. Е. Пуха, А. Н. Дроздов, А. С. Вус // Металлофизика и новейшие технологии. — 2015. — Т. 37, № 6. — С. 775-788. — Бібліогр.: 27 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-112255 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Малеев, М.В. Зубарев, Е.Н. Пуха, В.Е. Дроздов, А.Н. Вус, А.С. 2017-01-18T20:29:52Z 2017-01-18T20:29:52Z 2015 Физические механизмы распыления мишеней из SiO₂ ускоренными ионами фуллерена C₆₀ / М. В. Малеев, Е. Н. Зубарев, В. Е. Пуха, А. Н. Дроздов, А. С. Вус // Металлофизика и новейшие технологии. — 2015. — Т. 37, № 6. — С. 775-788. — Бібліогр.: 27 назв. — рос. 1024-1809 PACS: 61.80.Jh, 61.82.Fk, 68.37.Lp, 68.47.Gh, 68.55.Nq, 81.40.Wx, 81.65.Cf https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112255 Исследованы физические закономерности и механизмы роста углеродных плёнок и эрозии поверхности при облучении мишеней из кварца (SiO₂) пучком ускоренных ионов C₆₀ с энергией в интервале 2,5—10 кэВ при температуре мишени 373 К. Установлено, что рост углеродных плёнок на поверхности облучаемых мишеней из SiO₂ наблюдается в интервале энергий ионов 2,5—3,75 кэВ. При этом скорость осаждения углерода лимитируется процессом эрозии поверхности роста, интенсивность которого зависит от энергии ионов. При энергии ионов выше верхних значений указанных интервалов плёнка на поверхности не формируется, и наблюдается эрозия материала мишени. Показана возможность удаления аморфного оксида с поверхности кремниевой подложки и формирование на ней эпитаксиального карбида кремния. Досліджено фізичні закономірності та механізми росту вуглецевих плівок та ерозії поверхні при опроміненні мішеней з кварцу (SiO₂) пучком прискорених йонів C₆₀ з енергією в інтервалі 2,5—10 кеВ за температури мішені у 373 К. Встановлено, що ріст вуглецевих плівок на поверхні мішеней з SiO₂, які опромінюються йонами C₆₀, спостерігається в інтервалі енергій йонів 2,5—3,75 кеВ. При цьому швидкість осадження вуглецю лімітується процесом ерозії поверхні росту, інтенсивність якого залежить від енергії йонів. При енергії йонів вище верхніх значень зазначених інтервалів плівка на поверхні не формується, і спостерігається ерозія матеріялу мішені. Показано можливість видалення аморфного оксиду з поверхні кремнієвого підложжя і формування на ній епітаксійного карбіду кремнію. Growth of carbon films and surface erosion during irradiation of quartz (SiO₂) by accelerated C₆₀-ion beams with energies in the range of 2.5—10 keV at a target temperature of 373 K are investigated. As found, the growth of carbon films on the surface of the irradiated targets of SiO₂ is observed in the range of ion energies of 2.5—3.75 keV. In this case, carbon deposition rate is limited by the process of erosion of the growth surface, the intensity of which depends on the energy of the ions. When the ion energy is higher than the upper values of these intervals, the film is not formed on the surface, and erosion of the target material takes place. The possibility of both removing of the amorphous oxide from the surface of Si substrate and forming of an epitaxial silicon carbide thereon is shown. ru Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Металлофизика и новейшие технологии Строение и свойства наноразмерных и мезоскопических материалов Физические механизмы распыления мишеней из SiO₂ ускоренными ионами фуллерена C₆₀ Фізичні механізми розпорошення мішеней із SiO₂ прискореними йонами фулерена C₆₀ Physical Mechanisms of SiO₂ Target Sputtering with Accelerated Ions of C₆₀ Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Физические механизмы распыления мишеней из SiO₂ ускоренными ионами фуллерена C₆₀ |
| spellingShingle |
Физические механизмы распыления мишеней из SiO₂ ускоренными ионами фуллерена C₆₀ Малеев, М.В. Зубарев, Е.Н. Пуха, В.Е. Дроздов, А.Н. Вус, А.С. Строение и свойства наноразмерных и мезоскопических материалов |
| title_short |
Физические механизмы распыления мишеней из SiO₂ ускоренными ионами фуллерена C₆₀ |
| title_full |
Физические механизмы распыления мишеней из SiO₂ ускоренными ионами фуллерена C₆₀ |
| title_fullStr |
Физические механизмы распыления мишеней из SiO₂ ускоренными ионами фуллерена C₆₀ |
| title_full_unstemmed |
Физические механизмы распыления мишеней из SiO₂ ускоренными ионами фуллерена C₆₀ |
| title_sort |
физические механизмы распыления мишеней из sio₂ ускоренными ионами фуллерена c₆₀ |
| author |
Малеев, М.В. Зубарев, Е.Н. Пуха, В.Е. Дроздов, А.Н. Вус, А.С. |
| author_facet |
Малеев, М.В. Зубарев, Е.Н. Пуха, В.Е. Дроздов, А.Н. Вус, А.С. |
| topic |
Строение и свойства наноразмерных и мезоскопических материалов |
| topic_facet |
Строение и свойства наноразмерных и мезоскопических материалов |
| publishDate |
2015 |
| language |
Russian |
| container_title |
Металлофизика и новейшие технологии |
| publisher |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Фізичні механізми розпорошення мішеней із SiO₂ прискореними йонами фулерена C₆₀ Physical Mechanisms of SiO₂ Target Sputtering with Accelerated Ions of C₆₀ |
| description |
Исследованы физические закономерности и механизмы роста углеродных плёнок и эрозии поверхности при облучении мишеней из кварца (SiO₂) пучком ускоренных ионов C₆₀ с энергией в интервале 2,5—10 кэВ при температуре мишени 373 К. Установлено, что рост углеродных плёнок на поверхности облучаемых мишеней из SiO₂ наблюдается в интервале энергий ионов 2,5—3,75 кэВ. При этом скорость осаждения углерода лимитируется процессом эрозии поверхности роста, интенсивность которого зависит от энергии ионов. При энергии ионов выше верхних значений указанных интервалов плёнка на поверхности не формируется, и наблюдается эрозия материала мишени. Показана возможность удаления аморфного оксида с поверхности кремниевой подложки и формирование на ней эпитаксиального карбида кремния.
Досліджено фізичні закономірності та механізми росту вуглецевих плівок та ерозії поверхні при опроміненні мішеней з кварцу (SiO₂) пучком прискорених йонів C₆₀ з енергією в інтервалі 2,5—10 кеВ за температури мішені у 373 К. Встановлено, що ріст вуглецевих плівок на поверхні мішеней з SiO₂, які опромінюються йонами C₆₀, спостерігається в інтервалі енергій йонів 2,5—3,75 кеВ. При цьому швидкість осадження вуглецю лімітується процесом ерозії поверхні росту, інтенсивність якого залежить від енергії йонів. При енергії йонів вище верхніх значень зазначених інтервалів плівка на поверхні не формується, і спостерігається ерозія матеріялу мішені. Показано можливість видалення аморфного оксиду з поверхні кремнієвого підложжя і формування на ній епітаксійного карбіду кремнію.
Growth of carbon films and surface erosion during irradiation of quartz (SiO₂) by accelerated C₆₀-ion beams with energies in the range of 2.5—10 keV at a target temperature of 373 K are investigated. As found, the growth of carbon films on the surface of the irradiated targets of SiO₂ is observed in the range of ion energies of 2.5—3.75 keV. In this case, carbon deposition rate is limited by the process of erosion of the growth surface, the intensity of which depends on the energy of the ions. When the ion energy is higher than the upper values of these intervals, the film is not formed on the surface, and erosion of the target material takes place. The possibility of both removing of the amorphous oxide from the surface of Si substrate and forming of an epitaxial silicon carbide thereon is shown.
|
| issn |
1024-1809 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112255 |
| citation_txt |
Физические механизмы распыления мишеней из SiO₂ ускоренными ионами фуллерена C₆₀ / М. В. Малеев, Е. Н. Зубарев, В. Е. Пуха, А. Н. Дроздов, А. С. Вус // Металлофизика и новейшие технологии. — 2015. — Т. 37, № 6. — С. 775-788. — Бібліогр.: 27 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT maleevmv fizičeskiemehanizmyraspyleniâmišeneiizsio2uskorennymiionamifullerenac60 AT zubareven fizičeskiemehanizmyraspyleniâmišeneiizsio2uskorennymiionamifullerenac60 AT puhave fizičeskiemehanizmyraspyleniâmišeneiizsio2uskorennymiionamifullerenac60 AT drozdovan fizičeskiemehanizmyraspyleniâmišeneiizsio2uskorennymiionamifullerenac60 AT vusas fizičeskiemehanizmyraspyleniâmišeneiizsio2uskorennymiionamifullerenac60 AT maleevmv fízičnímehanízmirozporošennâmíšeneiízsio2priskorenimiionamifulerenac60 AT zubareven fízičnímehanízmirozporošennâmíšeneiízsio2priskorenimiionamifulerenac60 AT puhave fízičnímehanízmirozporošennâmíšeneiízsio2priskorenimiionamifulerenac60 AT drozdovan fízičnímehanízmirozporošennâmíšeneiízsio2priskorenimiionamifulerenac60 AT vusas fízičnímehanízmirozporošennâmíšeneiízsio2priskorenimiionamifulerenac60 AT maleevmv physicalmechanismsofsio2targetsputteringwithacceleratedionsofc60 AT zubareven physicalmechanismsofsio2targetsputteringwithacceleratedionsofc60 AT puhave physicalmechanismsofsio2targetsputteringwithacceleratedionsofc60 AT drozdovan physicalmechanismsofsio2targetsputteringwithacceleratedionsofc60 AT vusas physicalmechanismsofsio2targetsputteringwithacceleratedionsofc60 |
| first_indexed |
2025-11-28T12:01:55Z |
| last_indexed |
2025-11-28T12:01:55Z |
| _version_ |
1850853728877281280 |