Особливості впливу проникної радіації на вольт-амперні характеристики прямозміщених світлодіодів GаP

• Veröffentlicht in: Вопросы атомной науки и техники
• Datum: 2015
• Hauptverfasser: Гонтарук, О.М., Конорева, О.В., Литовченко, П.Г., Малий, Є.В., Петренко, І.В., Пінковська, М.Б., Тартачник, В.П., Шлапацька, В.В.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainian
• Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2015
• Schlagworte: Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112297
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Особливості впливу проникної радіації на вольт-амперні характеристики прямозміщених світлодіодів GаP / О.М. Гонтарук, О.В. Конорева, П.Г. Литовченко, Є.В. Малий, І.В. Петренко, М.Б. Пінковська, В.П. Тартачник, В.В. Шлапацька // Вопросы атомной науки и техники. — 2015. — № 5. — С. 28-31. — Бібліогр.: 11 назв. — укр.

Досліджувалися вольт-амперні характеристики (ВАХ) вихідних світлодіодів GaP та опромінених електронами з Е = 2 МеВ, швидкими нейтронами реактора (Е = 2 МеВ) та α⁺⁺-частинками з Е = 27 МеВ. Вимірювання проводились у автоматичному режимі в інтервалі температур 77…300 К. На низькотемпературних ВАХ (Т ≤ 90 К) виявлено N- та S-ділянки від’ємного диференційного опору. Зростання прямого струму на низьковольтній ділянці опромінених зразків зумовлене перерозподілом спаду напруг на базі та p-n-переході. Велике значення швидкості видалення носіїв при α⁺⁺-опроміненні пов’язується з високим рівнем іонізації, характерним для такого виду частинок. Исследовались вольт-амперные характеристики (ВАХ) исходных светодиодов GaP и облученных электронами с Е = 2 МэВ, быстрыми нейтронами реактора (Е = 2 МэВ) и α⁺⁺-частичками с Е = 27 МэВ. Измерения проводились в автоматическом режиме с интервалом температур 77…300 К. На низкотемпературных ВАХ (Т ≤ 90 К) обнаружены N- и S-области отрицательного дифференциального сопротивления. Рост прямого тока на низковольтном участке облученных образцов вызван перераспределением уменьшения напряжений на базе и p-n-переходе. Большое значение скорости удаления носителей при α⁺⁺-облучении связано с высоким уровнем ионизации, что характерно для такого вида частиц. The current-voltage characteristics of GaP light emitting diodes (LEDs), irradiated by electrons with E = 2 MeV, fast reactor neutrons (E = 2 MeV) and α-particles with E = 27 MeV were studied. Measurements were carried out automatically in the temperature range 77…300 K. It was revealed N- and S-plot of negative differential resistance in the low-temperature current-voltage curves (T ≤ 90 K). The growth of low-voltage direct current of irradiated samples is caused by redistribution of voltage between the diode’s base and the p-n-junction. Great value of the carriers’ removal rate for alpha-irradiation is associated with high ionization level of this type of particles.