Особливості впливу проникної радіації на вольт-амперні характеристики прямозміщених світлодіодів GаP

Особливості впливу проникної радіації на вольт-амперні характеристики прямозміщених світлодіодів GаP

Досліджувалися вольт-амперні характеристики (ВАХ) вихідних світлодіодів GaP та опромінених електронами з Е = 2 МеВ, швидкими нейтронами реактора (Е = 2 МеВ) та α⁺⁺-частинками з Е = 27 МеВ. Вимірювання проводились у автоматичному режимі в інтервалі температур 77…300 К. На низькотемпературних ВАХ (Т ≤...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Вопросы атомной науки и техники
Дата:2015
Автори: Гонтарук, О.М., Конорева, О.В., Литовченко, П.Г., Малий, Є.В., Петренко, І.В., Пінковська, М.Б., Тартачник, В.П., Шлапацька, В.В.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2015
Теми:
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112297
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Особливості впливу проникної радіації на вольт-амперні характеристики прямозміщених світлодіодів GаP / О.М. Гонтарук, О.В. Конорева, П.Г. Литовченко, Є.В. Малий, І.В. Петренко, М.Б. Пінковська, В.П. Тартачник, В.В. Шлапацька // Вопросы атомной науки и техники. — 2015. — № 5. — С. 28-31. — Бібліогр.: 11 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-112297
record_format dspace
spelling Гонтарук, О.М.
Конорева, О.В.
Литовченко, П.Г.
Малий, Є.В.
Петренко, І.В.
Пінковська, М.Б.
Тартачник, В.П.
Шлапацька, В.В.
2017-01-19T20:22:28Z
2017-01-19T20:22:28Z
2015
Особливості впливу проникної радіації на вольт-амперні характеристики прямозміщених світлодіодів GаP / О.М. Гонтарук, О.В. Конорева, П.Г. Литовченко, Є.В. Малий, І.В. Петренко, М.Б. Пінковська, В.П. Тартачник, В.В. Шлапацька // Вопросы атомной науки и техники. — 2015. — № 5. — С. 28-31. — Бібліогр.: 11 назв. — укр.
1562-6016
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112297
612.315.592
Досліджувалися вольт-амперні характеристики (ВАХ) вихідних світлодіодів GaP та опромінених електронами з Е = 2 МеВ, швидкими нейтронами реактора (Е = 2 МеВ) та α⁺⁺-частинками з Е = 27 МеВ. Вимірювання проводились у автоматичному режимі в інтервалі температур 77…300 К. На низькотемпературних ВАХ (Т ≤ 90 К) виявлено N- та S-ділянки від’ємного диференційного опору. Зростання прямого струму на низьковольтній ділянці опромінених зразків зумовлене перерозподілом спаду напруг на базі та p-n-переході. Велике значення швидкості видалення носіїв при α⁺⁺-опроміненні пов’язується з високим рівнем іонізації, характерним для такого виду частинок.
Исследовались вольт-амперные характеристики (ВАХ) исходных светодиодов GaP и облученных электронами с Е = 2 МэВ, быстрыми нейтронами реактора (Е = 2 МэВ) и α⁺⁺-частичками с Е = 27 МэВ. Измерения проводились в автоматическом режиме с интервалом температур 77…300 К. На низкотемпературных ВАХ (Т ≤ 90 К) обнаружены N- и S-области отрицательного дифференциального сопротивления. Рост прямого тока на низковольтном участке облученных образцов вызван перераспределением уменьшения напряжений на базе и p-n-переходе. Большое значение скорости удаления носителей при α⁺⁺-облучении связано с высоким уровнем ионизации, что характерно для такого вида частиц.
The current-voltage characteristics of GaP light emitting diodes (LEDs), irradiated by electrons with E = 2 MeV, fast reactor neutrons (E = 2 MeV) and α-particles with E = 27 MeV were studied. Measurements were carried out automatically in the temperature range 77…300 K. It was revealed N- and S-plot of negative differential resistance in the low-temperature current-voltage curves (T ≤ 90 K). The growth of low-voltage direct current of irradiated samples is caused by redistribution of voltage between the diode’s base and the p-n-junction. Great value of the carriers’ removal rate for alpha-irradiation is associated with high ionization level of this type of particles.
uk
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
Вопросы атомной науки и техники
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
Особливості впливу проникної радіації на вольт-амперні характеристики прямозміщених світлодіодів GаP
Особенности влияния проникающей радиации на вольт-амперные характеристики прямосмещенных светодиодов GaP
Peculiarities of ionizing radiation effect on current-voltage characteristics of forward-biased GaP LEDs
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Особливості впливу проникної радіації на вольт-амперні характеристики прямозміщених світлодіодів GаP
spellingShingle Особливості впливу проникної радіації на вольт-амперні характеристики прямозміщених світлодіодів GаP
Гонтарук, О.М.
Конорева, О.В.
Литовченко, П.Г.
Малий, Є.В.
Петренко, І.В.
Пінковська, М.Б.
Тартачник, В.П.
Шлапацька, В.В.
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
title_short Особливості впливу проникної радіації на вольт-амперні характеристики прямозміщених світлодіодів GаP
title_full Особливості впливу проникної радіації на вольт-амперні характеристики прямозміщених світлодіодів GаP
title_fullStr Особливості впливу проникної радіації на вольт-амперні характеристики прямозміщених світлодіодів GаP
title_full_unstemmed Особливості впливу проникної радіації на вольт-амперні характеристики прямозміщених світлодіодів GаP
title_sort особливості впливу проникної радіації на вольт-амперні характеристики прямозміщених світлодіодів gаp
author Гонтарук, О.М.
Конорева, О.В.
Литовченко, П.Г.
Малий, Є.В.
Петренко, І.В.
Пінковська, М.Б.
Тартачник, В.П.
Шлапацька, В.В.
author_facet Гонтарук, О.М.
Конорева, О.В.
Литовченко, П.Г.
Малий, Є.В.
Петренко, І.В.
Пінковська, М.Б.
Тартачник, В.П.
Шлапацька, В.В.
topic Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
topic_facet Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
publishDate 2015
language Ukrainian
container_title Вопросы атомной науки и техники
publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
format Article
title_alt Особенности влияния проникающей радиации на вольт-амперные характеристики прямосмещенных светодиодов GaP
Peculiarities of ionizing radiation effect on current-voltage characteristics of forward-biased GaP LEDs
description Досліджувалися вольт-амперні характеристики (ВАХ) вихідних світлодіодів GaP та опромінених електронами з Е = 2 МеВ, швидкими нейтронами реактора (Е = 2 МеВ) та α⁺⁺-частинками з Е = 27 МеВ. Вимірювання проводились у автоматичному режимі в інтервалі температур 77…300 К. На низькотемпературних ВАХ (Т ≤ 90 К) виявлено N- та S-ділянки від’ємного диференційного опору. Зростання прямого струму на низьковольтній ділянці опромінених зразків зумовлене перерозподілом спаду напруг на базі та p-n-переході. Велике значення швидкості видалення носіїв при α⁺⁺-опроміненні пов’язується з високим рівнем іонізації, характерним для такого виду частинок. Исследовались вольт-амперные характеристики (ВАХ) исходных светодиодов GaP и облученных электронами с Е = 2 МэВ, быстрыми нейтронами реактора (Е = 2 МэВ) и α⁺⁺-частичками с Е = 27 МэВ. Измерения проводились в автоматическом режиме с интервалом температур 77…300 К. На низкотемпературных ВАХ (Т ≤ 90 К) обнаружены N- и S-области отрицательного дифференциального сопротивления. Рост прямого тока на низковольтном участке облученных образцов вызван перераспределением уменьшения напряжений на базе и p-n-переходе. Большое значение скорости удаления носителей при α⁺⁺-облучении связано с высоким уровнем ионизации, что характерно для такого вида частиц. The current-voltage characteristics of GaP light emitting diodes (LEDs), irradiated by electrons with E = 2 MeV, fast reactor neutrons (E = 2 MeV) and α-particles with E = 27 MeV were studied. Measurements were carried out automatically in the temperature range 77…300 K. It was revealed N- and S-plot of negative differential resistance in the low-temperature current-voltage curves (T ≤ 90 K). The growth of low-voltage direct current of irradiated samples is caused by redistribution of voltage between the diode’s base and the p-n-junction. Great value of the carriers’ removal rate for alpha-irradiation is associated with high ionization level of this type of particles.
issn 1562-6016
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112297
citation_txt Особливості впливу проникної радіації на вольт-амперні характеристики прямозміщених світлодіодів GаP / О.М. Гонтарук, О.В. Конорева, П.Г. Литовченко, Є.В. Малий, І.В. Петренко, М.Б. Пінковська, В.П. Тартачник, В.В. Шлапацька // Вопросы атомной науки и техники. — 2015. — № 5. — С. 28-31. — Бібліогр.: 11 назв. — укр.
work_keys_str_mv AT gontarukom osoblivostívplivuproniknoíradíacíínavolʹtamperníharakteristikiprâmozmíŝenihsvítlodíodívgap
AT konorevaov osoblivostívplivuproniknoíradíacíínavolʹtamperníharakteristikiprâmozmíŝenihsvítlodíodívgap
AT litovčenkopg osoblivostívplivuproniknoíradíacíínavolʹtamperníharakteristikiprâmozmíŝenihsvítlodíodívgap
AT maliiêv osoblivostívplivuproniknoíradíacíínavolʹtamperníharakteristikiprâmozmíŝenihsvítlodíodívgap
AT petrenkoív osoblivostívplivuproniknoíradíacíínavolʹtamperníharakteristikiprâmozmíŝenihsvítlodíodívgap
AT pínkovsʹkamb osoblivostívplivuproniknoíradíacíínavolʹtamperníharakteristikiprâmozmíŝenihsvítlodíodívgap
AT tartačnikvp osoblivostívplivuproniknoíradíacíínavolʹtamperníharakteristikiprâmozmíŝenihsvítlodíodívgap
AT šlapacʹkavv osoblivostívplivuproniknoíradíacíínavolʹtamperníharakteristikiprâmozmíŝenihsvítlodíodívgap
AT gontarukom osobennostivliâniâpronikaûŝeiradiaciinavolʹtampernyeharakteristikiprâmosmeŝennyhsvetodiodovgap
AT konorevaov osobennostivliâniâpronikaûŝeiradiaciinavolʹtampernyeharakteristikiprâmosmeŝennyhsvetodiodovgap
AT litovčenkopg osobennostivliâniâpronikaûŝeiradiaciinavolʹtampernyeharakteristikiprâmosmeŝennyhsvetodiodovgap
AT maliiêv osobennostivliâniâpronikaûŝeiradiaciinavolʹtampernyeharakteristikiprâmosmeŝennyhsvetodiodovgap
AT petrenkoív osobennostivliâniâpronikaûŝeiradiaciinavolʹtampernyeharakteristikiprâmosmeŝennyhsvetodiodovgap
AT pínkovsʹkamb osobennostivliâniâpronikaûŝeiradiaciinavolʹtampernyeharakteristikiprâmosmeŝennyhsvetodiodovgap
AT tartačnikvp osobennostivliâniâpronikaûŝeiradiaciinavolʹtampernyeharakteristikiprâmosmeŝennyhsvetodiodovgap
AT šlapacʹkavv osobennostivliâniâpronikaûŝeiradiaciinavolʹtampernyeharakteristikiprâmosmeŝennyhsvetodiodovgap
AT gontarukom peculiaritiesofionizingradiationeffectoncurrentvoltagecharacteristicsofforwardbiasedgapleds
AT konorevaov peculiaritiesofionizingradiationeffectoncurrentvoltagecharacteristicsofforwardbiasedgapleds
AT litovčenkopg peculiaritiesofionizingradiationeffectoncurrentvoltagecharacteristicsofforwardbiasedgapleds
AT maliiêv peculiaritiesofionizingradiationeffectoncurrentvoltagecharacteristicsofforwardbiasedgapleds
AT petrenkoív peculiaritiesofionizingradiationeffectoncurrentvoltagecharacteristicsofforwardbiasedgapleds
AT pínkovsʹkamb peculiaritiesofionizingradiationeffectoncurrentvoltagecharacteristicsofforwardbiasedgapleds
AT tartačnikvp peculiaritiesofionizingradiationeffectoncurrentvoltagecharacteristicsofforwardbiasedgapleds
AT šlapacʹkavv peculiaritiesofionizingradiationeffectoncurrentvoltagecharacteristicsofforwardbiasedgapleds
first_indexed 2025-12-07T15:39:08Z
last_indexed 2025-12-07T15:39:08Z
_version_ 1850864512436011008

Схожі ресурси