Особливості впливу проникної радіації на вольт-амперні характеристики прямозміщених світлодіодів GаP
Досліджувалися вольт-амперні характеристики (ВАХ) вихідних світлодіодів GaP та опромінених електронами з Е = 2 МеВ, швидкими нейтронами реактора (Е = 2 МеВ) та α⁺⁺-частинками з Е = 27 МеВ. Вимірювання проводились у автоматичному режимі в інтервалі температур 77…300 К. На низькотемпературних ВАХ (Т ≤...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Datum: | 2015 |
| Hauptverfasser: | , , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2015
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112297 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Особливості впливу проникної радіації на вольт-амперні характеристики прямозміщених світлодіодів GаP / О.М. Гонтарук, О.В. Конорева, П.Г. Литовченко, Є.В. Малий, І.В. Петренко, М.Б. Пінковська, В.П. Тартачник, В.В. Шлапацька // Вопросы атомной науки и техники. — 2015. — № 5. — С. 28-31. — Бібліогр.: 11 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862673447971192832 |
|---|---|
| author | Гонтарук, О.М. Конорева, О.В. Литовченко, П.Г. Малий, Є.В. Петренко, І.В. Пінковська, М.Б. Тартачник, В.П. Шлапацька, В.В. |
| author_facet | Гонтарук, О.М. Конорева, О.В. Литовченко, П.Г. Малий, Є.В. Петренко, І.В. Пінковська, М.Б. Тартачник, В.П. Шлапацька, В.В. |
| citation_txt | Особливості впливу проникної радіації на вольт-амперні характеристики прямозміщених світлодіодів GаP / О.М. Гонтарук, О.В. Конорева, П.Г. Литовченко, Є.В. Малий, І.В. Петренко, М.Б. Пінковська, В.П. Тартачник, В.В. Шлапацька // Вопросы атомной науки и техники. — 2015. — № 5. — С. 28-31. — Бібліогр.: 11 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | Досліджувалися вольт-амперні характеристики (ВАХ) вихідних світлодіодів GaP та опромінених електронами з Е = 2 МеВ, швидкими нейтронами реактора (Е = 2 МеВ) та α⁺⁺-частинками з Е = 27 МеВ. Вимірювання проводились у автоматичному режимі в інтервалі температур 77…300 К. На низькотемпературних ВАХ (Т ≤ 90 К) виявлено N- та S-ділянки від’ємного диференційного опору. Зростання прямого струму на низьковольтній ділянці опромінених зразків зумовлене перерозподілом спаду напруг на базі та p-n-переході. Велике значення швидкості видалення носіїв при α⁺⁺-опроміненні пов’язується з високим рівнем іонізації, характерним для такого виду частинок.
Исследовались вольт-амперные характеристики (ВАХ) исходных светодиодов GaP и облученных электронами с Е = 2 МэВ, быстрыми нейтронами реактора (Е = 2 МэВ) и α⁺⁺-частичками с Е = 27 МэВ. Измерения проводились в автоматическом режиме с интервалом температур 77…300 К. На низкотемпературных ВАХ (Т ≤ 90 К) обнаружены N- и S-области отрицательного дифференциального сопротивления. Рост прямого тока на низковольтном участке облученных образцов вызван перераспределением уменьшения напряжений на базе и p-n-переходе. Большое значение скорости удаления носителей при α⁺⁺-облучении связано с высоким уровнем ионизации, что характерно для такого вида частиц.
The current-voltage characteristics of GaP light emitting diodes (LEDs), irradiated by electrons with E = 2 MeV, fast reactor neutrons (E = 2 MeV) and α-particles with E = 27 MeV were studied. Measurements were carried out automatically in the temperature range 77…300 K. It was revealed N- and S-plot of negative differential resistance in the low-temperature current-voltage curves (T ≤ 90 K). The growth of low-voltage direct current of irradiated samples is caused by redistribution of voltage between the diode’s base and the p-n-junction. Great value of the carriers’ removal rate for alpha-irradiation is associated with high ionization level of this type of particles.
|
| first_indexed | 2025-12-07T15:39:08Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-112297 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T15:39:08Z |
| publishDate | 2015 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Гонтарук, О.М. Конорева, О.В. Литовченко, П.Г. Малий, Є.В. Петренко, І.В. Пінковська, М.Б. Тартачник, В.П. Шлапацька, В.В. 2017-01-19T20:22:28Z 2017-01-19T20:22:28Z 2015 Особливості впливу проникної радіації на вольт-амперні характеристики прямозміщених світлодіодів GаP / О.М. Гонтарук, О.В. Конорева, П.Г. Литовченко, Є.В. Малий, І.В. Петренко, М.Б. Пінковська, В.П. Тартачник, В.В. Шлапацька // Вопросы атомной науки и техники. — 2015. — № 5. — С. 28-31. — Бібліогр.: 11 назв. — укр. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112297 612.315.592 Досліджувалися вольт-амперні характеристики (ВАХ) вихідних світлодіодів GaP та опромінених електронами з Е = 2 МеВ, швидкими нейтронами реактора (Е = 2 МеВ) та α⁺⁺-частинками з Е = 27 МеВ. Вимірювання проводились у автоматичному режимі в інтервалі температур 77…300 К. На низькотемпературних ВАХ (Т ≤ 90 К) виявлено N- та S-ділянки від’ємного диференційного опору. Зростання прямого струму на низьковольтній ділянці опромінених зразків зумовлене перерозподілом спаду напруг на базі та p-n-переході. Велике значення швидкості видалення носіїв при α⁺⁺-опроміненні пов’язується з високим рівнем іонізації, характерним для такого виду частинок. Исследовались вольт-амперные характеристики (ВАХ) исходных светодиодов GaP и облученных электронами с Е = 2 МэВ, быстрыми нейтронами реактора (Е = 2 МэВ) и α⁺⁺-частичками с Е = 27 МэВ. Измерения проводились в автоматическом режиме с интервалом температур 77…300 К. На низкотемпературных ВАХ (Т ≤ 90 К) обнаружены N- и S-области отрицательного дифференциального сопротивления. Рост прямого тока на низковольтном участке облученных образцов вызван перераспределением уменьшения напряжений на базе и p-n-переходе. Большое значение скорости удаления носителей при α⁺⁺-облучении связано с высоким уровнем ионизации, что характерно для такого вида частиц. The current-voltage characteristics of GaP light emitting diodes (LEDs), irradiated by electrons with E = 2 MeV, fast reactor neutrons (E = 2 MeV) and α-particles with E = 27 MeV were studied. Measurements were carried out automatically in the temperature range 77…300 K. It was revealed N- and S-plot of negative differential resistance in the low-temperature current-voltage curves (T ≤ 90 K). The growth of low-voltage direct current of irradiated samples is caused by redistribution of voltage between the diode’s base and the p-n-junction. Great value of the carriers’ removal rate for alpha-irradiation is associated with high ionization level of this type of particles. uk Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Особливості впливу проникної радіації на вольт-амперні характеристики прямозміщених світлодіодів GаP Особенности влияния проникающей радиации на вольт-амперные характеристики прямосмещенных светодиодов GaP Peculiarities of ionizing radiation effect on current-voltage characteristics of forward-biased GaP LEDs Article published earlier |
| spellingShingle | Особливості впливу проникної радіації на вольт-амперні характеристики прямозміщених світлодіодів GаP Гонтарук, О.М. Конорева, О.В. Литовченко, П.Г. Малий, Є.В. Петренко, І.В. Пінковська, М.Б. Тартачник, В.П. Шлапацька, В.В. Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| title | Особливості впливу проникної радіації на вольт-амперні характеристики прямозміщених світлодіодів GаP |
| title_alt | Особенности влияния проникающей радиации на вольт-амперные характеристики прямосмещенных светодиодов GaP Peculiarities of ionizing radiation effect on current-voltage characteristics of forward-biased GaP LEDs |
| title_full | Особливості впливу проникної радіації на вольт-амперні характеристики прямозміщених світлодіодів GаP |
| title_fullStr | Особливості впливу проникної радіації на вольт-амперні характеристики прямозміщених світлодіодів GаP |
| title_full_unstemmed | Особливості впливу проникної радіації на вольт-амперні характеристики прямозміщених світлодіодів GаP |
| title_short | Особливості впливу проникної радіації на вольт-амперні характеристики прямозміщених світлодіодів GаP |
| title_sort | особливості впливу проникної радіації на вольт-амперні характеристики прямозміщених світлодіодів gаp |
| topic | Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| topic_facet | Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112297 |
| work_keys_str_mv | AT gontarukom osoblivostívplivuproniknoíradíacíínavolʹtamperníharakteristikiprâmozmíŝenihsvítlodíodívgap AT konorevaov osoblivostívplivuproniknoíradíacíínavolʹtamperníharakteristikiprâmozmíŝenihsvítlodíodívgap AT litovčenkopg osoblivostívplivuproniknoíradíacíínavolʹtamperníharakteristikiprâmozmíŝenihsvítlodíodívgap AT maliiêv osoblivostívplivuproniknoíradíacíínavolʹtamperníharakteristikiprâmozmíŝenihsvítlodíodívgap AT petrenkoív osoblivostívplivuproniknoíradíacíínavolʹtamperníharakteristikiprâmozmíŝenihsvítlodíodívgap AT pínkovsʹkamb osoblivostívplivuproniknoíradíacíínavolʹtamperníharakteristikiprâmozmíŝenihsvítlodíodívgap AT tartačnikvp osoblivostívplivuproniknoíradíacíínavolʹtamperníharakteristikiprâmozmíŝenihsvítlodíodívgap AT šlapacʹkavv osoblivostívplivuproniknoíradíacíínavolʹtamperníharakteristikiprâmozmíŝenihsvítlodíodívgap AT gontarukom osobennostivliâniâpronikaûŝeiradiaciinavolʹtampernyeharakteristikiprâmosmeŝennyhsvetodiodovgap AT konorevaov osobennostivliâniâpronikaûŝeiradiaciinavolʹtampernyeharakteristikiprâmosmeŝennyhsvetodiodovgap AT litovčenkopg osobennostivliâniâpronikaûŝeiradiaciinavolʹtampernyeharakteristikiprâmosmeŝennyhsvetodiodovgap AT maliiêv osobennostivliâniâpronikaûŝeiradiaciinavolʹtampernyeharakteristikiprâmosmeŝennyhsvetodiodovgap AT petrenkoív osobennostivliâniâpronikaûŝeiradiaciinavolʹtampernyeharakteristikiprâmosmeŝennyhsvetodiodovgap AT pínkovsʹkamb osobennostivliâniâpronikaûŝeiradiaciinavolʹtampernyeharakteristikiprâmosmeŝennyhsvetodiodovgap AT tartačnikvp osobennostivliâniâpronikaûŝeiradiaciinavolʹtampernyeharakteristikiprâmosmeŝennyhsvetodiodovgap AT šlapacʹkavv osobennostivliâniâpronikaûŝeiradiaciinavolʹtampernyeharakteristikiprâmosmeŝennyhsvetodiodovgap AT gontarukom peculiaritiesofionizingradiationeffectoncurrentvoltagecharacteristicsofforwardbiasedgapleds AT konorevaov peculiaritiesofionizingradiationeffectoncurrentvoltagecharacteristicsofforwardbiasedgapleds AT litovčenkopg peculiaritiesofionizingradiationeffectoncurrentvoltagecharacteristicsofforwardbiasedgapleds AT maliiêv peculiaritiesofionizingradiationeffectoncurrentvoltagecharacteristicsofforwardbiasedgapleds AT petrenkoív peculiaritiesofionizingradiationeffectoncurrentvoltagecharacteristicsofforwardbiasedgapleds AT pínkovsʹkamb peculiaritiesofionizingradiationeffectoncurrentvoltagecharacteristicsofforwardbiasedgapleds AT tartačnikvp peculiaritiesofionizingradiationeffectoncurrentvoltagecharacteristicsofforwardbiasedgapleds AT šlapacʹkavv peculiaritiesofionizingradiationeffectoncurrentvoltagecharacteristicsofforwardbiasedgapleds |