Особливості впливу проникної радіації на вольт-амперні характеристики прямозміщених світлодіодів GаP

• Опубліковано в: : Вопросы атомной науки и техники
• Дата: 2015
• Автори: Гонтарук, О.М., Конорева, О.В., Литовченко, П.Г., Малий, Є.В., Петренко, І.В., Пінковська, М.Б., Тартачник, В.П., Шлапацька, В.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2015
• Теми: Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112297
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Особливості впливу проникної радіації на вольт-амперні характеристики прямозміщених світлодіодів GаP / О.М. Гонтарук, О.В. Конорева, П.Г. Литовченко, Є.В. Малий, І.В. Петренко, М.Б. Пінковська, В.П. Тартачник, В.В. Шлапацька // Вопросы атомной науки и техники. — 2015. — № 5. — С. 28-31. — Бібліогр.: 11 назв. — укр.

Досліджувалися вольт-амперні характеристики (ВАХ) вихідних світлодіодів GaP та опромінених електронами з Е = 2 МеВ, швидкими нейтронами реактора (Е = 2 МеВ) та α⁺⁺-частинками з Е = 27 МеВ. Вимірювання проводились у автоматичному режимі в інтервалі температур 77…300 К. На низькотемпературних ВАХ (Т ≤...