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The bias voltage and its influence on the etching rate of silicon

The influence of the bias voltage on the silicon etching rate in the plasma-chemical reactor (PСR) with controlled magnetic fields have been investigated. The dependences of the silicon etching rate on the power, discharge current and on the pressure in the chamber PCR are obtained. It is found that...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Вопросы атомной науки и техники
Datum:	2015
Hauptverfasser:	Fedorovich, О.А., Hladkovskiy, V.V., Polozov, B.P., Kruglenko, М.P.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2015
Schlagworte:	Экспериментальные методы и обработка данных
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112376
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	The bias voltage and its influence on the etching rate of silicon / О.А. Fedorovich, V.V. Hladkovskiy, B.P. Polozov, М.P. Kruglenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2015. — № 6. — С. 146-150. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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