Отражение медленных электронов от графена на грани (110)Mo

Отражение медленных электронов от графена на грани (110)Mo

Изучено влияние сегрегации углерода на нагретой в сверхвысоком вакууме атомно-чистой поверхности Мо(110) на отражение медленных (0—50 эВ) электронов методом спектроскопии полного тока (СПТ) и работу выхода φ методом контактной разности потенциалов. В процессе отжига при Тотж = 1400—2000 К величина φ...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Металлофизика и новейшие технологии
Дата:2015
Автори: Нищенко, М.М., Смольник, С.В., Шевченко, Н.А.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2015
Теми:
Строение и свойства наноразмерных и мезоскопических материалов
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112385
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Отражение медленных электронов от графена на грани (110)Mo / М. М. Нищенко, С. В. Смольник, Н. А. Шевченко // Металлофизика и новейшие технологии. — 2015. — Т. 37, № 9. — С. 1183-1201. — Бібліогр.: 45 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-112385
record_format dspace
spelling Нищенко, М.М.
Смольник, С.В.
Шевченко, Н.А.
2017-01-20T18:26:19Z
2017-01-20T18:26:19Z
2015
Отражение медленных электронов от графена на грани (110)Mo / М. М. Нищенко, С. В. Смольник, Н. А. Шевченко // Металлофизика и новейшие технологии. — 2015. — Т. 37, № 9. — С. 1183-1201. — Бібліогр.: 45 назв. — рос.
1024-1809
PACS: 65.40.gh,68.35.B-,68.35.Dv,68.47.De,68.49.Jk,68.65.Pq,73.22.Pr,81.05.ue
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112385
Изучено влияние сегрегации углерода на нагретой в сверхвысоком вакууме атомно-чистой поверхности Мо(110) на отражение медленных (0—50 эВ) электронов методом спектроскопии полного тока (СПТ) и работу выхода φ методом контактной разности потенциалов. В процессе отжига при Тотж = 1400—2000 К величина φ плавно снижается на Δφ = 0,18 эВ (до 4,82 ± 0,02 эВ), что сопровождается монотонным сдвигом двух основных минимумов в СПТ навстречу друг другу на ΔE = 1,2 эВ до значений Е = 4,8 и 12,5 эВ, характерных для возбуждения в графене плазмонов в π-зоне проводимости и (π+σ)-валентной зоне соответственно. Минимумы свидетельствуют об эмиссии электронов в обратном направлении; их сдвиги вызваны смещением энергии π-зоны проводимости вверх, а σ-валентной зоны – вниз. Отжиг при Тотж = 2200—2700 К не изменяет значение φ и все параметры СПТ, а состояние такой поверхности становится термодинамически стабильным для графена на Мо(110). Последний увеличивает число пиков отражения электронов от трёх до пяти и снижает в несколько раз коэффициент их отражения, который спадает практически до нуля при повышении Е.
Вивчено вплив сеґреґації вуглецю на нагрітій у надвисокому вакуумі атомово-чистій поверхні Mo(110) на відбивання повільних (0—50 еВ) електронів методою спектроскопії повного струму (СПС) і роботу виходу φ методою контактної ріжниці потенціялів (КРП). У ході відпалу при Твідп = 1400—2000 К величина φ плавно знижується на Δφ = 0,18 еВ (до 4,82 ± 0,02 еВ), що супроводжується монотонним зсувом двох основних мінімумів у СПС назустріч один одному на ΔE = 1,2 еВ до значень Е = 4,8 и 12,5 еВ, характерних для збудження у графені плазмонів у π-зоні провідности та (π+σ)-валентній зоні відповідно. Мінімуми свідчать про емісію електронів у зворотньому напрямку; їхні зсуви спричинено зміщенням енергії π-зони провідности вгору, а σ-валентної зони – вниз. Відпал при Твідп = 2200—2700 К не змінює значення φ і всі параметри СПС, а стан такої поверхні стає термодинамічно стабільним для графену на Мо(110). Останній збільшує кількість піків відбивання електронів від трьох до п’ятьох і понижує в декілька разів коефіцієнт їхнього відбивання, який спадає практично до нуля з підвищенням Е.
The effect of segregation of carbon on atomically clean surface of Mo(110) heated in ultrahigh vacuum on both the reflection of slow (0—50 eV) electrons by total current spectroscopy (TCS) and the work function φ by the contact potential difference are studied. During the annealing at Тanneal = 1400—2000 K, the φ value gradually decreases by Δφ = 0.18 eV (up to 4.82 ± 0.02 eV), and it is accompanied by a monotonic shift of the two major minima in TCS to meet each other on ΔE = 1.2 eV to the values of E = 4.8 and 12.5 eV, which are typical for the plasmon excitation in graphene in π-conduction band and (π+σ)-valence band, respectively. Minima indicate the electrons’ emission in the opposite direction, and their shifts are caused by energy shift of the conduction π-band upward and σ-valence band downwards. Annealing at Тanneal = 2200—2700 K does not change the φ value and all parameters of the TCS, and the status of such a surface becomes thermodynamically stable for graphene on Mo(110). Graphene increases the number of peaks of electrons’ reflection from three to five, and reduces by several times the reflection coefficient, which drops almost to zero with E increasing.
ru
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
Металлофизика и новейшие технологии
Строение и свойства наноразмерных и мезоскопических материалов
Отражение медленных электронов от графена на грани (110)Mo
Відбивання повільних електронів від графену на поверхні (110)Mo
Reflection of Slow Electrons from Graphene on (110)Mo
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Отражение медленных электронов от графена на грани (110)Mo
spellingShingle Отражение медленных электронов от графена на грани (110)Mo
Нищенко, М.М.
Смольник, С.В.
Шевченко, Н.А.
Строение и свойства наноразмерных и мезоскопических материалов
title_short Отражение медленных электронов от графена на грани (110)Mo
title_full Отражение медленных электронов от графена на грани (110)Mo
title_fullStr Отражение медленных электронов от графена на грани (110)Mo
title_full_unstemmed Отражение медленных электронов от графена на грани (110)Mo
title_sort отражение медленных электронов от графена на грани (110)mo
author Нищенко, М.М.
Смольник, С.В.
Шевченко, Н.А.
author_facet Нищенко, М.М.
Смольник, С.В.
Шевченко, Н.А.
topic Строение и свойства наноразмерных и мезоскопических материалов
topic_facet Строение и свойства наноразмерных и мезоскопических материалов
publishDate 2015
language Russian
container_title Металлофизика и новейшие технологии
publisher Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
format Article
title_alt Відбивання повільних електронів від графену на поверхні (110)Mo
Reflection of Slow Electrons from Graphene on (110)Mo
description Изучено влияние сегрегации углерода на нагретой в сверхвысоком вакууме атомно-чистой поверхности Мо(110) на отражение медленных (0—50 эВ) электронов методом спектроскопии полного тока (СПТ) и работу выхода φ методом контактной разности потенциалов. В процессе отжига при Тотж = 1400—2000 К величина φ плавно снижается на Δφ = 0,18 эВ (до 4,82 ± 0,02 эВ), что сопровождается монотонным сдвигом двух основных минимумов в СПТ навстречу друг другу на ΔE = 1,2 эВ до значений Е = 4,8 и 12,5 эВ, характерных для возбуждения в графене плазмонов в π-зоне проводимости и (π+σ)-валентной зоне соответственно. Минимумы свидетельствуют об эмиссии электронов в обратном направлении; их сдвиги вызваны смещением энергии π-зоны проводимости вверх, а σ-валентной зоны – вниз. Отжиг при Тотж = 2200—2700 К не изменяет значение φ и все параметры СПТ, а состояние такой поверхности становится термодинамически стабильным для графена на Мо(110). Последний увеличивает число пиков отражения электронов от трёх до пяти и снижает в несколько раз коэффициент их отражения, который спадает практически до нуля при повышении Е. Вивчено вплив сеґреґації вуглецю на нагрітій у надвисокому вакуумі атомово-чистій поверхні Mo(110) на відбивання повільних (0—50 еВ) електронів методою спектроскопії повного струму (СПС) і роботу виходу φ методою контактної ріжниці потенціялів (КРП). У ході відпалу при Твідп = 1400—2000 К величина φ плавно знижується на Δφ = 0,18 еВ (до 4,82 ± 0,02 еВ), що супроводжується монотонним зсувом двох основних мінімумів у СПС назустріч один одному на ΔE = 1,2 еВ до значень Е = 4,8 и 12,5 еВ, характерних для збудження у графені плазмонів у π-зоні провідности та (π+σ)-валентній зоні відповідно. Мінімуми свідчать про емісію електронів у зворотньому напрямку; їхні зсуви спричинено зміщенням енергії π-зони провідности вгору, а σ-валентної зони – вниз. Відпал при Твідп = 2200—2700 К не змінює значення φ і всі параметри СПС, а стан такої поверхні стає термодинамічно стабільним для графену на Мо(110). Останній збільшує кількість піків відбивання електронів від трьох до п’ятьох і понижує в декілька разів коефіцієнт їхнього відбивання, який спадає практично до нуля з підвищенням Е. The effect of segregation of carbon on atomically clean surface of Mo(110) heated in ultrahigh vacuum on both the reflection of slow (0—50 eV) electrons by total current spectroscopy (TCS) and the work function φ by the contact potential difference are studied. During the annealing at Тanneal = 1400—2000 K, the φ value gradually decreases by Δφ = 0.18 eV (up to 4.82 ± 0.02 eV), and it is accompanied by a monotonic shift of the two major minima in TCS to meet each other on ΔE = 1.2 eV to the values of E = 4.8 and 12.5 eV, which are typical for the plasmon excitation in graphene in π-conduction band and (π+σ)-valence band, respectively. Minima indicate the electrons’ emission in the opposite direction, and their shifts are caused by energy shift of the conduction π-band upward and σ-valence band downwards. Annealing at Тanneal = 2200—2700 K does not change the φ value and all parameters of the TCS, and the status of such a surface becomes thermodynamically stable for graphene on Mo(110). Graphene increases the number of peaks of electrons’ reflection from three to five, and reduces by several times the reflection coefficient, which drops almost to zero with E increasing.
issn 1024-1809
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112385
citation_txt Отражение медленных электронов от графена на грани (110)Mo / М. М. Нищенко, С. В. Смольник, Н. А. Шевченко // Металлофизика и новейшие технологии. — 2015. — Т. 37, № 9. — С. 1183-1201. — Бібліогр.: 45 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT niŝenkomm otraženiemedlennyhélektronovotgrafenanagrani110mo
AT smolʹniksv otraženiemedlennyhélektronovotgrafenanagrani110mo
AT ševčenkona otraženiemedlennyhélektronovotgrafenanagrani110mo
AT niŝenkomm vídbivannâpovílʹnihelektronívvídgrafenunapoverhní110mo
AT smolʹniksv vídbivannâpovílʹnihelektronívvídgrafenunapoverhní110mo
AT ševčenkona vídbivannâpovílʹnihelektronívvídgrafenunapoverhní110mo
AT niŝenkomm reflectionofslowelectronsfromgrapheneon110mo
AT smolʹniksv reflectionofslowelectronsfromgrapheneon110mo
AT ševčenkona reflectionofslowelectronsfromgrapheneon110mo
first_indexed 2025-12-07T19:15:22Z
last_indexed 2025-12-07T19:15:22Z
_version_ 1850878116294033408

Схожі ресурси