Эмиссионные характеристики легированных азотом наноструктурных алмазных покрытий, синтезированных в плазме тлеющего разряда

Эмиссионные характеристики легированных азотом наноструктурных алмазных покрытий, синтезированных в плазме тлеющего разряда

Исследованы эмиссионные характеристики легированных азотом наноструктурных алмазных покрытий с удельным сопротивлением в диапазоне 2,3∙10⁴—4∙10¹ Ом∙см, полученных в плазме тлеющего разряда в различных условиях. Показано, что эмиссионный ток с поверхности образцов появляется после удаления примесей п...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Металлофизика и новейшие технологии
Дата:2015
Автори: Дудник, С.Ф., Кошевой, К.И., Нищенко, М.М., Смольник, С.В., Стрельницкий, В.Е., Шевченко, Н.А.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2015
Теми:
Электронные структура и свойства
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112438
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Эмиссионные характеристики легированных азотом наноструктурных алмазных покрытий, синтезированных в плазме тлеющего разряда / С.Ф. Дудник, К. И. Кошевой, М.М. Нищенко, С.В. Смольник, В.Е. Стрельницкий, Н.А. Шевченко // Металлофизика и новейшие технологии. — 2015. — Т. 37, № 11. — С. 1487-1501. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-112438
record_format dspace
spelling Дудник, С.Ф.
Кошевой, К.И.
Нищенко, М.М.
Смольник, С.В.
Стрельницкий, В.Е.
Шевченко, Н.А.
2017-01-21T17:24:57Z
2017-01-21T17:24:57Z
2015
Эмиссионные характеристики легированных азотом наноструктурных алмазных покрытий, синтезированных в плазме тлеющего разряда / С.Ф. Дудник, К. И. Кошевой, М.М. Нищенко, С.В. Смольник, В.Е. Стрельницкий, Н.А. Шевченко // Металлофизика и новейшие технологии. — 2015. — Т. 37, № 11. — С. 1487-1501. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.
1024-1809
PACS: 65.40.gh, 73.20.At,73.30.+y, 73.63.Bd, 79.40.+z, 81.05.uj, 81.65.Lp
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112438
Исследованы эмиссионные характеристики легированных азотом наноструктурных алмазных покрытий с удельным сопротивлением в диапазоне 2,3∙10⁴—4∙10¹ Ом∙см, полученных в плазме тлеющего разряда в различных условиях. Показано, что эмиссионный ток с поверхности образцов появляется после удаления примесей при отжиге в интервале 603—818 К, создающих поверхностные акцепторные электронные состояния p-типа, влияющие на работу выхода, определяемую методом контактной разницы потенциалов по смещению вольт-амперной характеристики. Для наноструктурного алмазного покрытия с удельным сопротивлением 2,4∙10² Ом∙см получено наиболее низкое значение работы выхода 1,28 эВ и наибольшая плотность тока 6,9 мА/см² при 963 К.
Досліджено емісійні характеристики леґованих Нітроґеном наноструктурних діямантових покриттів із питомим опором у діяпазоні 2,3∙10⁴—4∙10¹ Ом∙см, одержаних у плазмі жеврійного розряду за різних умов. Показано, що емісійний струм із поверхні зразків з’являється після видалення домішок при відпалі в інтервалі 603—818 К, що створюють поверхневі акцепторні електронні стани p-типу, які впливають на роботу виходу, що визначається методою контактної ріжниці потенціялів по зміщенню вольт-амперної характеристики. Для наноструктурного діямантового покриття з питомим опором у 2,4∙10² Ом∙см одержано найбільш низьке значення роботи виходу у 1,28 еВ і найбільшу густину струму у 6,9 мА/см² при 963 К.
The emission characteristics of the nitrogen-doped nanostructure diamond coatings with a resistivity in the range of 2.3∙10⁴—4∙10¹ Ohm∙cm obtained in glow discharge plasma under different conditions are investigated. As shown, the emission current from the sample surface appears after the removing of impurities during annealing in the range 603—818 K, which create surface acceptor electron states of p-type. That states affect the work function determined by the contact potential difference of shifting current—voltage characteristics. For the nanostructure diamond coating with a resistivity of 2.4∙10² Ohm∙cm, the lowest value of the work function of 1.28 eV and the highest current density of 6.9 mA/см² at 963 K are determined.
ru
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
Металлофизика и новейшие технологии
Электронные структура и свойства
Эмиссионные характеристики легированных азотом наноструктурных алмазных покрытий, синтезированных в плазме тлеющего разряда
Емісійні характеристики легованих азотом наноструктурних алмазних покриттів, синтезованих у плазмі тліючого розряду
Emission Characteristics of Nitrogen-Doped Nanostructure Diamond Coating Synthesized in Glow Discharge Plasma
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Эмиссионные характеристики легированных азотом наноструктурных алмазных покрытий, синтезированных в плазме тлеющего разряда
spellingShingle Эмиссионные характеристики легированных азотом наноструктурных алмазных покрытий, синтезированных в плазме тлеющего разряда
Дудник, С.Ф.
Кошевой, К.И.
Нищенко, М.М.
Смольник, С.В.
Стрельницкий, В.Е.
Шевченко, Н.А.
Электронные структура и свойства
title_short Эмиссионные характеристики легированных азотом наноструктурных алмазных покрытий, синтезированных в плазме тлеющего разряда
title_full Эмиссионные характеристики легированных азотом наноструктурных алмазных покрытий, синтезированных в плазме тлеющего разряда
title_fullStr Эмиссионные характеристики легированных азотом наноструктурных алмазных покрытий, синтезированных в плазме тлеющего разряда
title_full_unstemmed Эмиссионные характеристики легированных азотом наноструктурных алмазных покрытий, синтезированных в плазме тлеющего разряда
title_sort эмиссионные характеристики легированных азотом наноструктурных алмазных покрытий, синтезированных в плазме тлеющего разряда
author Дудник, С.Ф.
Кошевой, К.И.
Нищенко, М.М.
Смольник, С.В.
Стрельницкий, В.Е.
Шевченко, Н.А.
author_facet Дудник, С.Ф.
Кошевой, К.И.
Нищенко, М.М.
Смольник, С.В.
Стрельницкий, В.Е.
Шевченко, Н.А.
topic Электронные структура и свойства
topic_facet Электронные структура и свойства
publishDate 2015
language Russian
container_title Металлофизика и новейшие технологии
publisher Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
format Article
title_alt Емісійні характеристики легованих азотом наноструктурних алмазних покриттів, синтезованих у плазмі тліючого розряду
Emission Characteristics of Nitrogen-Doped Nanostructure Diamond Coating Synthesized in Glow Discharge Plasma
description Исследованы эмиссионные характеристики легированных азотом наноструктурных алмазных покрытий с удельным сопротивлением в диапазоне 2,3∙10⁴—4∙10¹ Ом∙см, полученных в плазме тлеющего разряда в различных условиях. Показано, что эмиссионный ток с поверхности образцов появляется после удаления примесей при отжиге в интервале 603—818 К, создающих поверхностные акцепторные электронные состояния p-типа, влияющие на работу выхода, определяемую методом контактной разницы потенциалов по смещению вольт-амперной характеристики. Для наноструктурного алмазного покрытия с удельным сопротивлением 2,4∙10² Ом∙см получено наиболее низкое значение работы выхода 1,28 эВ и наибольшая плотность тока 6,9 мА/см² при 963 К. Досліджено емісійні характеристики леґованих Нітроґеном наноструктурних діямантових покриттів із питомим опором у діяпазоні 2,3∙10⁴—4∙10¹ Ом∙см, одержаних у плазмі жеврійного розряду за різних умов. Показано, що емісійний струм із поверхні зразків з’являється після видалення домішок при відпалі в інтервалі 603—818 К, що створюють поверхневі акцепторні електронні стани p-типу, які впливають на роботу виходу, що визначається методою контактної ріжниці потенціялів по зміщенню вольт-амперної характеристики. Для наноструктурного діямантового покриття з питомим опором у 2,4∙10² Ом∙см одержано найбільш низьке значення роботи виходу у 1,28 еВ і найбільшу густину струму у 6,9 мА/см² при 963 К. The emission characteristics of the nitrogen-doped nanostructure diamond coatings with a resistivity in the range of 2.3∙10⁴—4∙10¹ Ohm∙cm obtained in glow discharge plasma under different conditions are investigated. As shown, the emission current from the sample surface appears after the removing of impurities during annealing in the range 603—818 K, which create surface acceptor electron states of p-type. That states affect the work function determined by the contact potential difference of shifting current—voltage characteristics. For the nanostructure diamond coating with a resistivity of 2.4∙10² Ohm∙cm, the lowest value of the work function of 1.28 eV and the highest current density of 6.9 mA/см² at 963 K are determined.
issn 1024-1809
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112438
citation_txt Эмиссионные характеристики легированных азотом наноструктурных алмазных покрытий, синтезированных в плазме тлеющего разряда / С.Ф. Дудник, К. И. Кошевой, М.М. Нищенко, С.В. Смольник, В.Е. Стрельницкий, Н.А. Шевченко // Металлофизика и новейшие технологии. — 2015. — Т. 37, № 11. — С. 1487-1501. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT dudniksf émissionnyeharakteristikilegirovannyhazotomnanostrukturnyhalmaznyhpokrytiisintezirovannyhvplazmetleûŝegorazrâda
AT koševoiki émissionnyeharakteristikilegirovannyhazotomnanostrukturnyhalmaznyhpokrytiisintezirovannyhvplazmetleûŝegorazrâda
AT niŝenkomm émissionnyeharakteristikilegirovannyhazotomnanostrukturnyhalmaznyhpokrytiisintezirovannyhvplazmetleûŝegorazrâda
AT smolʹniksv émissionnyeharakteristikilegirovannyhazotomnanostrukturnyhalmaznyhpokrytiisintezirovannyhvplazmetleûŝegorazrâda
AT strelʹnickiive émissionnyeharakteristikilegirovannyhazotomnanostrukturnyhalmaznyhpokrytiisintezirovannyhvplazmetleûŝegorazrâda
AT ševčenkona émissionnyeharakteristikilegirovannyhazotomnanostrukturnyhalmaznyhpokrytiisintezirovannyhvplazmetleûŝegorazrâda
AT dudniksf emísíiníharakteristikilegovanihazotomnanostrukturnihalmaznihpokrittívsintezovanihuplazmítlíûčogorozrâdu
AT koševoiki emísíiníharakteristikilegovanihazotomnanostrukturnihalmaznihpokrittívsintezovanihuplazmítlíûčogorozrâdu
AT niŝenkomm emísíiníharakteristikilegovanihazotomnanostrukturnihalmaznihpokrittívsintezovanihuplazmítlíûčogorozrâdu
AT smolʹniksv emísíiníharakteristikilegovanihazotomnanostrukturnihalmaznihpokrittívsintezovanihuplazmítlíûčogorozrâdu
AT strelʹnickiive emísíiníharakteristikilegovanihazotomnanostrukturnihalmaznihpokrittívsintezovanihuplazmítlíûčogorozrâdu
AT ševčenkona emísíiníharakteristikilegovanihazotomnanostrukturnihalmaznihpokrittívsintezovanihuplazmítlíûčogorozrâdu
AT dudniksf emissioncharacteristicsofnitrogendopednanostructurediamondcoatingsynthesizedinglowdischargeplasma
AT koševoiki emissioncharacteristicsofnitrogendopednanostructurediamondcoatingsynthesizedinglowdischargeplasma
AT niŝenkomm emissioncharacteristicsofnitrogendopednanostructurediamondcoatingsynthesizedinglowdischargeplasma
AT smolʹniksv emissioncharacteristicsofnitrogendopednanostructurediamondcoatingsynthesizedinglowdischargeplasma
AT strelʹnickiive emissioncharacteristicsofnitrogendopednanostructurediamondcoatingsynthesizedinglowdischargeplasma
AT ševčenkona emissioncharacteristicsofnitrogendopednanostructurediamondcoatingsynthesizedinglowdischargeplasma
first_indexed 2025-12-07T17:30:31Z
last_indexed 2025-12-07T17:30:31Z
_version_ 1850871520416497664

Схожі ресурси