Эмиссионные характеристики легированных азотом наноструктурных алмазных покрытий, синтезированных в плазме тлеющего разряда
Исследованы эмиссионные характеристики легированных азотом наноструктурных алмазных покрытий с удельным сопротивлением в диапазоне 2,3∙10⁴—4∙10¹ Ом∙см, полученных в плазме тлеющего разряда в различных условиях. Показано, что эмиссионный ток с поверхности образцов появляется после удаления примесей п...
Saved in:
| Published in: | Металлофизика и новейшие технологии |
|---|---|
| Date: | 2015 |
| Main Authors: | , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2015
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112438 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Эмиссионные характеристики легированных азотом наноструктурных алмазных покрытий, синтезированных в плазме тлеющего разряда / С.Ф. Дудник, К. И. Кошевой, М.М. Нищенко, С.В. Смольник, В.Е. Стрельницкий, Н.А. Шевченко // Металлофизика и новейшие технологии. — 2015. — Т. 37, № 11. — С. 1487-1501. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860104420003414016 |
|---|---|
| author | Дудник, С.Ф. Кошевой, К.И. Нищенко, М.М. Смольник, С.В. Стрельницкий, В.Е. Шевченко, Н.А. |
| author_facet | Дудник, С.Ф. Кошевой, К.И. Нищенко, М.М. Смольник, С.В. Стрельницкий, В.Е. Шевченко, Н.А. |
| citation_txt | Эмиссионные характеристики легированных азотом наноструктурных алмазных покрытий, синтезированных в плазме тлеющего разряда / С.Ф. Дудник, К. И. Кошевой, М.М. Нищенко, С.В. Смольник, В.Е. Стрельницкий, Н.А. Шевченко // Металлофизика и новейшие технологии. — 2015. — Т. 37, № 11. — С. 1487-1501. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Металлофизика и новейшие технологии |
| description | Исследованы эмиссионные характеристики легированных азотом наноструктурных алмазных покрытий с удельным сопротивлением в диапазоне 2,3∙10⁴—4∙10¹ Ом∙см, полученных в плазме тлеющего разряда в различных условиях. Показано, что эмиссионный ток с поверхности образцов появляется после удаления примесей при отжиге в интервале 603—818 К, создающих поверхностные акцепторные электронные состояния p-типа, влияющие на работу выхода, определяемую методом контактной разницы потенциалов по смещению вольт-амперной характеристики. Для наноструктурного алмазного покрытия с удельным сопротивлением 2,4∙10² Ом∙см получено наиболее низкое значение работы выхода 1,28 эВ и наибольшая плотность тока 6,9 мА/см² при 963 К.
Досліджено емісійні характеристики леґованих Нітроґеном наноструктурних діямантових покриттів із питомим опором у діяпазоні 2,3∙10⁴—4∙10¹ Ом∙см, одержаних у плазмі жеврійного розряду за різних умов. Показано, що емісійний струм із поверхні зразків з’являється після видалення домішок при відпалі в інтервалі 603—818 К, що створюють поверхневі акцепторні електронні стани p-типу, які впливають на роботу виходу, що визначається методою контактної ріжниці потенціялів по зміщенню вольт-амперної характеристики. Для наноструктурного діямантового покриття з питомим опором у 2,4∙10² Ом∙см одержано найбільш низьке значення роботи виходу у 1,28 еВ і найбільшу густину струму у 6,9 мА/см² при 963 К.
The emission characteristics of the nitrogen-doped nanostructure diamond coatings with a resistivity in the range of 2.3∙10⁴—4∙10¹ Ohm∙cm obtained in glow discharge plasma under different conditions are investigated. As shown, the emission current from the sample surface appears after the removing of impurities during annealing in the range 603—818 K, which create surface acceptor electron states of p-type. That states affect the work function determined by the contact potential difference of shifting current—voltage characteristics. For the nanostructure diamond coating with a resistivity of 2.4∙10² Ohm∙cm, the lowest value of the work function of 1.28 eV and the highest current density of 6.9 mA/см² at 963 K are determined.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:30:31Z |
| format | Article |
| fulltext |
1487
ЭЛЕКТРОННЫЕ СТРУКТУРА И СВОЙСТВА
PACS numbers:65.40.gh, 73.20.At,73.30.+y,73.63.Bd,79.40.+z,81.05.uj, 81.65.Lp
Эмиссионные характеристики легированных
азотом наноструктурных алмазных покрытий,
синтезированных в плазме тлеющего разряда
С. Ф. Дудник
*, К. И. Кошевой
*, М. М. Нищенко, С. В. Смольник,
В. Е. Стрельницкий
*, Н. А. Шевченко
Институт металлофизики им. Г. В. Курдюмова НАН Украины,
бульв. Акад. Вернадского 36,
03680, ГСП, Киев, Украина
*Национальный научный центр «Харьковский физико-технический институт»,
ул. Академическая 1,
61108, Харьков, Украина
Исследованы эмиссионные характеристики легированных азотом нано-
структурных алмазных покрытий с удельным сопротивлением в диапа-
зоне 2,3104—4101
Омсм, полученных в плазме тлеющего разряда в раз-
личных условиях. Показано, что эмиссионный ток с поверхности образ-
цов появляется после удаления примесей при отжиге в интервале 603—
818 К, создающих поверхностные акцепторные электронные состояния p-
типа, влияющие на работу выхода, определяемую методом контактной
разницы потенциалов по смещению вольт-амперной характеристики. Для
наноструктурного алмазного покрытия с удельным сопротивлением
2,4102
Омсм получено наиболее низкое значение работы выхода 1,28 эВ и
наибольшая плотность тока 6,9 мА/см2
при 963 К.
Correspondence author: Sviatoslav Viktorovich Smolnik
E-mail: sviatsmol@gmail.com
G. V. Kurdyumov Institute for Metal Physics, N.A.S.U.,
36 Academician Vernadsky Blvd., UA-03680 Kyiv, Ukraine
*National Science Centre ‘Kharkiv Institute of Physics and Technology’,
1 Akademichna Str., 61108 Kharkiv, Ukraine
S. F. Dudnyk, K. I. Koshevoi, M. M. Nishchenko, S. V. Smolnik, V. E. Strelnytskyi,
and M. Ya. Shevchenko,
Emission Characteristics of Nitrogen-Doped Nanostructure Diamond Coatings
Synthesized in Glow Discharge Plasma, Metallofiz. Noveishie Tekhnol., 37, No. 11:
1487—1501 (2015) (in Russian).
Металлофиз. новейшие технол. / Metallofiz. Noveishie Tekhnol.
2015, т. 37, № 11, сс. 1487—1501
Оттиски доступны непосредственно от издателя
Фотокопирование разрешено только
в соответствии с лицензией
2015 ИМФ (Институт металлофизики
им. Г. В. Курдюмова НАН Украины)
Напечатано в Украине.
1488 С. Ф. ДУДНИК, К. И. КОШЕВОЙ, М. М. НИЩЕНКО и др.
Ключевые слова: алмазные плёнки, термоэлектронная эмиссия, работа
выхода, поверхностные электронные состояния.
Досліджено емісійні характеристики леґованих Нітроґеном наноструктур-
них діямантових покриттів із питомим опором у діяпазоні 2,3104—4101
Омсм, одержаних у плазмі жеврійного розряду за різних умов. Показано,
що емісійний струм із поверхні зразків з’являється після видалення домі-
шок при відпалі в інтервалі 603—818 К, що створюють поверхневі акцепторні
електронні стани p-типу, які впливають на роботу виходу, що визначається
методою контактної ріжниці потенціялів по зміщенню вольт-амперної хара-
ктеристики. Для наноструктурного діямантового покриття з питомим
опором у 2,4102
Омсм одержано найбільш низьке значення роботи вихо-
ду у 1,28 еВ і найбільшу густину струму у 6,9 мА/см2
при 963 К.
Ключові слова: діямантові плівки, термоелектронна емісія, робота входу,
поверхневі електронні стани.
The emission characteristics of the nitrogen-doped nanostructure diamond
coatings with a resistivity in the range of 2.3104—4101
Ohmcm obtained in
glow discharge plasma under different conditions are investigated. As shown,
the emission current from the sample surface appears after the removing of
impurities during annealing in the range 603—818 K, which create surface ac-
ceptor electron states of p-type. That states affect the work function deter-
mined by the contact potential difference of shifting current—voltage charac-
teristics. For the nanostructure diamond coating with a resistivity of 2.4102
Ohmcm, the lowest value of the work function of 1.28 eV and the highest
current density of 6.9 mA/cm2
at 963 K are determined.
Keywords: diamond films, thermionic emission, work function, surface elec-
tron states.
(Получено 17 сентября 2015 г.)
1. ВВЕДЕНИЕ
Алмаз, обладая отрицательным сродством к электрону [1], привле-
кает к себе внимание исследователей в области разработки новых
термоэмиссионных материалов и материалов для «холодных» ка-
тодов. Практическая возможность использования алмаза в каче-
стве эмиссионного материала появилась с разработкой методов ле-
гирования для придания ему свойств полупроводника. Одним из
таких методов является метод легирования азотом наноструктур-
ных плёночных алмазных материалов при получении их осаждени-
ем из газовой фазы [2].
Исследования эмиссионных свойств легированных азотом нано-
структурных алмазных покрытий показали, что работа выхода
электронов, температурный порог эмиссии, пороговое значение
напряжённости электрического поля электронной эмиссии у раз-
ЭМИССИОННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЛЕГИРОВАННЫХ АЛМАЗНЫХ ПОКРЫТИЙ 1489
ных авторов имеют разные значения [3—6]. Это, по-видимому, свя-
зано с разными условиями получения таких покрытий и, как след-
ствие, c разным составом, структурными и другими характеристи-
ками, оказывающими влияние на эмиссионные свойства исследуе-
мых материалов. Синтез легированных азотом наноструктурных
алмазных покрытий в плазме тлеющего разряда позволяет полу-
чать их в условиях, которые могут существенно отличаться от усло-
вий получения таких покрытий наиболее распространёнными ме-
тодами – методом горячей нити или в плазме СВЧ-разряда [7, 8].
Поэтому представляет интерес исследование эмиссионных характе-
ристик легированных азотом наноструктурных алмазных покры-
тий, полученных в плазме тлеющего разряда в различных условиях.
2. МЕТОДИКА ПОЛУЧЕНИЯ ПОКРЫТИЙ
И ИССЛЕДОВАНИЯ ИХ СВОЙСТВ
Наноструктурные легированные азотом алмазные покрытия полу-
чали на оборудовании, основные характеристики которого приведе-
ны в работе [7]. В качестве подложек при получении алмазных по-
крытий использовались пластинки из молибдена 77 мм
2
толщи-
ной 0,4 мм. Перед нанесением покрытия поверхность подложек ме-
ханически обрабатывалась порошком ультрадисперсного алмаза для
создания на поверхности подложки первичных центров кристалли-
зации алмазной фазы. Синтез покрытий осуществляли при общем
давлении газов 8103
Па в диапазоне температур 1125—1285 K. Кон-
центрация компонентов газовой смеси выбиралась на основании ра-
нее проведённых исследований [9] такой, чтобы получить образцы с
различными структурными характеристиками и с удельным элек-
трическим сопротивлением в широком диапазоне изменения этой
величины. Температура подложки при синтезе алмазных плёнок
контролировалась по показаниям термопары, вмонтированной в
подложкодержатель, и оптического пирометра «Промінь».
Морфология и структурные характеристики наноструктурных
алмазных покрытий определяли с помощью сканирующего элек-
тронного микроскопа JSM-7001F и рентгеновского дифрактометра
ДРОН-3. Удельное сопротивление покрытий определяли с исполь-
зованием двухэлектродной схемы. Одним их электродов служила
молибденовая подложка, вторым – покрытие из Ті, нанесённое ва-
куумно-дуговым методом через маску с отверстием 4 мм. В таб-
лице 1 приведены характеристики полученных эксперименталь-
ных образцов.
Морфология наноструктурных легированных азотом алмазных
покрытий представлена на рис. 1. Покрытия с удельным сопротив-
лением от 2,8103
Омсм и ниже (образцы 3—5) имели примерно оди-
наковую структуру поверхности с анизотропной формой нанокри-
1490 С. Ф. ДУДНИК, К. И. КОШЕВОЙ, М. М. НИЩЕНКО и др.
сталлов (рис. 1, а). Покрытия с удельным сопротивлением более
7,7103
Омсм (образцы 1, 2) имели иную структуру поверхности с
глобулярной формой нанокристаллов (рис. 1, б).
Эмиссионные характеристики покрытий определялись в сверхвы-
соковакуумной установке [10], в которой с помощью безмасляных
средств откачки получен вакуум 1,3310
9
Па. Для измерения работы
выхода электронов и определения изменения её величины в ре-
зультате различных воздействий на поверхность материалов (отжиг,
адсорбция, десорбция, сегрегация) применён метод определения
контактной разности потенциалов (КРП) по смещению вольтампер-
ной характеристики (ВАХ) в тормозящем поле, предложенный Ан-
ТАБЛИЦА 1. Удельное электросопротивление и величина ОКР получен-
ных образцов.
TABLE 1. The electrical resistivity and the magnitude of the coherent-
scattering region (CSR) for obtained samples.
№ образца Удельное сопротивление, Омсм Величина ОКР, нм
1 2,3104 16
2 7,7103 21
3 2,8103 25
4 2,4102 15
5 4,0101 15
Рис. 1. Морфология поверхности наноструктурных алмазных покрытий:
анизотропная форма нанокристаллов (образцы 3—5) (a), глобулярная фор-
ма нанокристаллов (образцы 1, 2) (б).
Fig. 1. The surface morphology of nanostructure diamond coatings: aniso-
tropic nanocrystals form (samples 3—5) (а), globular form of nanocrystals
(samples 1, 2) (б).
ЭМИССИОННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЛЕГИРОВАННЫХ АЛМАЗНЫХ ПОКРЫТИЙ 1491
дерсоном [11]. В этом методе пучок электронов из измерительной
электронной пушки (схема измерений приведена на рис. 2) направ-
ляется на исследуемую поверхность и снимается зависимость тока I
от приложенного напряжения U между образцом и катодом измери-
тельной пушки. На поворотном устройстве камеры вакуумной уста-
новки располагается шесть образцов, что позволяет проводить ис-
следование их свойств в идентичных вакуумных условиях и изме-
рять работу выхода относительно образцов с известной работой вы-
хода. В качестве таковых были выбраны грани (110) и (100) воль-
фрама, полученные из совершенных монокристаллов, выращенных
методом зонной плавки. Эти кристаллы длительно прогревались при
2800—3000 К, обезуглероживались в атмосфере кислорода до тех пор,
пока не были получены стабильные их ВАХ и значения работы вы-
хода [12, 13], которые характеризуют атомарно-чистые поверхности.
После снятия ВАХ образца с известной величиной снимается
ВАХ исследуемого образца и определяется КРП между ними. Метод
Рис. 2. Измерительная пушка и схема измерений работы выхода и спек-
тров полного тока: О – образец, K – катод измерительной пушки, Т –
термопара ВР5-ВР20, Д1 и Д2 – диафрагмы для формирования электрон-
ного пучка, С – двухкоординатный самописец, П – потенциометр для
изменения потенциала образца (энергии первичных электронов), RH –
сопротивление нагрузки для измерения тока в цепи образца.
Fig. 2. Measuring gun and the measurements’ scheme of both work function
and spectra of the total current: O–sample, K–cathode of the gun measur-
ing, T–thermocouple ВР5-ВР20, Д1 and Д2–apertures to form an electron
beam, C–XY recorder, П–potentiometer for changing the potential of the
sample (the primary electron energy), RH–load resistance for measuring cur-
rent in a circuit pattern.
1492 С. Ф. ДУДНИК, К. И. КОШЕВОЙ, М. М. НИЩЕНКО и др.
КРП применим для определения величины в области температур,
при которой отсутствует эмиссия электронов из поверхности образ-
ца. При появлении эмиссионного тока его эмиссионные параметры
(R и постоянная Ричардсона A) определялись из уравнения Ричард-
сона—Дэшмана:
2
( ) expj T AT
kT
. Для этого измерялась зави-
симость плотности эмиссионного тока от температуры образца.
Для измерения эмиссионного тока использовалась та же элек-
тродная система, что и для измерения контактной разности потен-
циалов. Подложка (образец) радиационно нагревалась от воль-
фрам—рениевой (WRe20) спирали, расположенной на расстоянии
2—3 мм параллельно нелегированной стороне подложки. Темпера-
тура подложки определялась термопарой WRe5—WRe20. Электро-
ны из образца попадали на катод измерительной пушки, которым
была вольфрамовая проволока диаметром 80 мкм. Расстояние обра-
зец—катод составляло 4 мм. Площадь поверхности, на которую со-
бирались электроны, составляла 6,410
5
см
2.
3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ
На рисунке 3 представлены ВАХ исходного состояния образцов
№ 3, № 4, № 5, а также ВАХ атомарно-чистой грани (110)W с рабо-
той выхода 5,3 эВ. Относительно этого значения определена вели-
чина образцов: 3 4,6 эВ, 4 4,2 эВ, 5 4,4 эВ. Эти образцы в
вакуумной камере не прогревались (не считая обезгаживания каме-
ры при температуре 473—573 К для получения вакуума 1,3310
9
Па), поэтому на их поверхности могут присутствовать различные
загрязнения, которые также могут оказывать влияние на величину
работы выхода электрона.
Образец № 2. После записи ВАХ исходного состояния поверхности
образца № 2 с 3,94 эВ в диапазоне 0—80 В (время записи 30 сек)
произошло увеличение до 5,24 эВ, а после воздействия электронов
с большей энергией (E 160 эВ) в течение t 2 мин, наоборот, при-
вело к уменьшению до 3,86 эВ, что на 0,1 эВ меньше исходного
значения (3,94 эВ). Это связано, по-видимому, с десорбцией газо-
вых примесей с поверхности образца при облучении её электронами
с этой энергией.
При последующем воздействии электронов с E 20 эВ в течение
t 2 мин на поверхность этого образца с 3,86 эВ произошло уве-
личение на 0,56 эВ, а при E 40 эВ на 1,06 эВ и стала равной
4,92 эВ. Начиная с энергии электронов 60 эВ, наблюдалось умень-
шение от достигнутого значения, и при E 160 эВ величина сно-
ва становилась равной 3,94 эВ. Последующее воздействие электро-
нов с E 180 и 200 эВ не привело к изменению состояния поверхно-
ЭМИССИОННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЛЕГИРОВАННЫХ АЛМАЗНЫХ ПОКРЫТИЙ 1493
сти и, соответственно, величины 3,94 эВ. Следует отметить, что
экспозиция этой поверхности в вакууме 9,810
3
Па в течение t 30
часов не изменяет , т.е. адсорбция газов остаточной атмосферы
(H2, N2) не происходит.
После прогрева образца до 523 К величина уменьшилась на
0,32 эВ и стала равной 3,62 эВ. Прогрев до 603 К не изменил это
значение работы выхода электронов. При этой температуре была
зафиксирована эмиссия электронов из образца. Измеренная зави-
симость плотности тока j от температуры T в диапазоне 703—793 К
(рис. 4, кривая 1) позволила определить из зависимости
2
ln( )jT
(1000/ )f T (рис. 5, кривая 1) значения R 1,48 эВ и A 23
Асм2К2. Для сравнения на рис. 4 и рис. 5 (кривая 3) приведены
результаты из работы [4] в которой получена работа выхода
R 1,99 эВ и постоянная Ричардсона AR 70 Асм2К2. При темпе-
Рис. 3. ВАХ образцов: 1 – W(110), 2 – образец № 5, 3 – образец № 3, 4 –
образец № 4.
Fig. 3. The current—voltage characteristics of samples: 1–W(110), 2–sample
No. 5, 3–sample No. 3, 4–sample No. 4.
1494 С. Ф. ДУДНИК, К. И. КОШЕВОЙ, М. М. НИЩЕНКО и др.
ратуре 793 К плотность тока достигала значения 4,24 мАсм2. По-
сле прогрева при этой температуре работа выхода электронов, из-
меренная методом КРП при комнатной температуре и температуре
образца, при которой отсутствует эмиссия электронов, была равной
3,8 эВ. Важно отметить то, что в этом состоянии отсутствовало вли-
яние медленных электронов на работу выхода, наблюдаемое для
исходного состояния поверхности образца № 2.
Образец № 4. Образец прогревался в интервале температур 353—963
К. После прогрева образца при 743 К работа выхода электронов,
определённая относительно W(110), равна 3,8 эВ. Вакуум в процес-
се прогрева составлял (1,33—5,31)10
7
Па. После отжига образца
при 778 К величина стала равной 4,0 эВ.
При нагреве образца до 818 К в вакууме 3,9910
7
Па был зафик-
сирован с образца ток эмиссии. В таблице 2 приведены значения то-
ка и давление Р в камере для соответствующих температур.
Зависимость плотности тока от T приведена на рис. 4 (кривая 2).
Из зависимостей на рис. 5 (кривая 2) определена работа выхода
электронов, которая равна 1,28 эВ, а постоянная Ричардсона
AR 0,048 Асм2К2. После прогрева данного образца при темпера-
туре 963 К работа выхода электронов, определённая методом КРП,
стала равной 4,2 эВ.
Образец № 5. На рисунке 6 в вакууме 110
7
Па записана ВАХ грани
(110) W (кривая 1) и исходного состояния образца 5 (кривая 2). Как
видно, она идёт не параллельно ВАХ атомарно чистой грани воль-
Рис. 4. Зависимость плотности эмиссионного тока J(T) от температуры:
1 – образец № 2, 2 – образец № 4, 3 – данные работы [4].
Fig. 4. Density of emission current J(T) as a function of temperature: 1–sample
No. 2, 2–sample No. 4, 3–data from [4].
ЭМИССИОННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЛЕГИРОВАННЫХ АЛМАЗНЫХ ПОКРЫТИЙ 1495
фрама, что свидетельствует о неоднородности поверхности, т. е. о
наличии пятен на поверхности с различной работой выхода от 4,4 эВ
и больше. После записи ВАХ в диапазоне (0—80) В (время записи 30
сек.) ВАХ в области напряжений 5—5 В сместилась в область боль-
ших напряжений (кривая 3), что связано с накоплением заряда на
поверхности образца при воздействии электронов с энергией 80 эВ,
который препятствует (тормозит) потоку электронов с измерительной
пушки.
Был произведён отжиг образца в диапазоне 328—808 К. Уже через
10 мин при T 328 К произошло смещение ВАХ (кривая 4) в сторо-
ну меньших напряжений и к уменьшению , что связано с частич-
Рис. 5. Зависимость плотности эмиссионного тока ln(J/T2) f(1000/T):
1 – образец № 2, 2 – образец № 4, 3 – данные работы [4].
Fig. 5. Dependence of emission current density ln(J/T2) f(1000/T): 1–sample
No. 2, 2–sample No. 4, 3–data from [4].
ТАБЛИЦА 2. Значение тока эмиссии и давления в камере в зависимости
от температуры нагрева образца № 4.
TABLE 2. The value of the both emission current and pressure in the chamber
depending on the heating temperature of the sample No. 4.
T, К I10
8, A J10
3,А·см2 Р10
7, Па
818 2,6 0,405 4
863 5,9 0,920 9
893 16,8 2,620
933 36 5,616 53
963 44 6,860 93
1496 С. Ф. ДУДНИК, К. И. КОШЕВОЙ, М. М. НИЩЕНКО и др.
ным снятием заряда с поверхности. Но на поверхности все же име-
ются участки с различной работой выхода. После отжига при 413 К
t 10 мин ВАХ (кривая 5) идёт параллельно ВАХ грани (110)W. Это
свидетельствует об отсутствии участков с различной , на которые
падает пучок электронов из катода измерительной пушки. Работа
выхода в этом случае равна 3,94 эВ. Повышение температуры при-
водит к дальнейшему уменьшению и после прогрева при T 578 К
t 10 мин 3,45 эВ (ВАХ 6).
При 613 К обнаружен ток с поверхности величиной 3,210
8
A и
повышение давления от 410
7
Па до 210
6
Па. Прогрев до 708 К не
изменил работу выхода, измеренную методом КРП, которая равна
3,45 эВ. Это значение не изменяется при облучении поверхности
Рис. 6. ВАХ образца W(110) (1) и образца № 5 для различных состояний
его поверхности, а именно, 2 – исходное состояние, 3 – после воздей-
ствия электронов, после прогрева: 4 – 328 К, 5 – 413 К, 6 – 578 К.
Fig. 6. The current—voltage characteristics of the sample the W(110) (1) and the
sample No. 5 for different states of the surface, i.e. 2–original state, 3–after
influence of the electrons, after annealing: 4–328 K, 5–413 K, 6–578 K.
ЭМИССИОННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЛЕГИРОВАННЫХ АЛМАЗНЫХ ПОКРЫТИЙ 1497
образца медленными электронами с энергией до 80 эВ, что свиде-
тельствует об отсутствии поверхностных загрязнений, создающих
акцепторные уровни.
После прогрева при 808 К t 1 мин эмиссионный ток с поверхно-
сти образца составляет 10,110
8
A при вакууме 110
6
Па. Через 20
мин прогрева величина тока уменьшилась до значения 410
8
A и
вакуум улучшился до 510
7
Па. Работа выхода, измеренная при
комнатной температуре, равна 3,73 эВ и не изменяется при воздей-
ствии медленных электронов.
В таблице 3 приведены эмиссионные параметры всех исследо-
ванных образцов, а также данные работ [4—6]. В работе [4] исследо-
вали эмиссионные свойства алмазных нанокристаллических плё-
нок, легированных азотом, выращенных на Si-подложке, а в рабо-
тах [5, 6] – на молибденовой подложке.
4. ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ ЭКСПЕРИМЕНТОВ
Из таблицы 3 следует, что после прогрева образцов до 793—963 К
ТАБЛИЦА 3. Эмиссионные параметры всех исследованных образцов, а
также данные работ [4—6].
TABLE 3. Emission parameters of all investigated samples as well as the data
from Refs. [4—6].
№ образца
R,
эВ
AR,
Асм2К2
T, К
(нач. эмисс.)
J,
мА/см2
, эВ
(измеренная КРП)
2 1,48 23 603
4,24
при 793 К
3,94 – исходное значение
3,62 – после 553—603 К
3,80 – после 793 К
3 633
2,57
при 743 К
4,6 – исходное значение
3,74 – после 633 К
4,1 – после 843 К
4 1,28 0,048 818
6,86
при 963 К
4,2 — исходное значение
3,80 — после 743 К
4,2 — после 963 К
5 613
1,57
при 808 К
4,4 – исходное значение
3,94 – после 413 К
3,45 – после 708 К
3,73 – после 808 К
Работа [4] 1,99 70 533
0,7
при 943 К
Работа [5] 1,29 0,84 523
Работа [6] 1,44 4,05 643
1498 С. Ф. ДУДНИК, К. И. КОШЕВОЙ, М. М. НИЩЕНКО и др.
величина , измеренная методом КРП, равна 3,73—4,2 эВ, а изме-
ренная методом Ричардсона – 1,28—1,48 эВ. Это отличие может
быть связано с тем, что при измерении методом КРП поток элек-
тронов направлен из вакуума на поверхность образца, а при изме-
рении методом Ричардсона – из образца в вакуум. Для низкоэнер-
гетических электронов (0—5 эВ), которые используются в методе
КРП, средняя длина пробега составляет 5—20 Å, что соответствует
2—5 поверхностным слоям твёрдого тела [14].
В работе [15] для монокристалла алмаза (100), легированного
азотом, фотоэмиссионные измерения показали изгиб границ энер-
гетической зоны кверху и величину , имеющую значение больше 3
эВ. Все водород-обработанные поверхности показывают отрица-
тельное электронное сродство (ОЭС), в то время как Н-свободные –
положительное электронное сродство (ПЭС).
Работа выхода бор-легированной алмазной поверхности (100)
намного больше, чем для азот-легированной. Аналогичные резуль-
таты были получены для p- и n-типа поверхности Si. Для поверхно-
сти p-типа уровень Ферми EF ближе к максимуму валентной зоны
(МВЗ), а EF n-типа поверхности ближе к минимуму зоны проводи-
мости (МЗП). Водород удаляет поверхностные состояния p-типа,
вызывая сжатие зон на поверхности.
В работе [16] отмечалось, что информация, получаемая об элек-
тронном сродстве к электрону твёрдых тел из фотоэмиссионных дан-
ных с использованием значения ширины запрещённой зоны, полу-
ченной в оптических измерениях, относится к возбуждённой элек-
тронной системе. Поэтому вычисленное из этих данных значение
электронного сродства e может отличаться от истинного на величи-
ну до 0,6 эВ [17]. Сродство к электрону зависит от поверхностных
условий, от агрегатного состояния твёрдого тела, от кристаллогра-
фической ориентации поверхности. Для реализации условия отри-
цательности электронного сродства необходимо, чтобы Eg [16].
Для всех исследованных образцов наблюдается смещение ВАХ в
область больших напряжений (это в методе КРП соответствует уве-
личению ) при воздействии на их поверхность медленных элек-
тронов. После отжига до температур 600—800 К смещение ВАХ от-
сутствует и появляется эмиссионный ток с поверхности образцов.
По-видимому, на поверхности присутствуют примеси, которые
служат источником поверхностных состояний акцепторного типа.
На акцепторные уровни переходят электроны из приповерхностно-
го слоя, и вблизи поверхности образуется двойной заряженный
слой, который препятствует выходу электронов из образцов. Эти
акцепторные уровни захватывают также электроны, падающие на
поверхность со стороны вакуума, создавая отрицательный заряд.
Этот заряд тормозит падающие электроны от измерительной элек-
тронной пушки и необходима большая их энергия для преодоления
ЭМИССИОННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЛЕГИРОВАННЫХ АЛМАЗНЫХ ПОКРЫТИЙ 1499
этого тормозящего потенциала. С этим связано смещение ВАХ в об-
ласть больших напряжений.
Отсутствие изменения поверхностного потенциала при воздей-
ствии медленных электронов после отжига образцов при темпера-
турах 600—800 К и появление эмиссионного тока является индика-
тором удаления примесей из поверхности образцов, создающих по-
верхностные состояния акцепторного типа.
Отличие температур появления эмиссионного тока (603—613 К)
для образцов № 2, 3, 5 и 813 К для образца № 4, по-видимому, свя-
зано с различными примесями, отличающихся энергией десорбции.
Работа выхода исследуемых образцов после отжига до 800 К не
изменяется при экспозиции их в вакууме 10
2
Па. В работе [1] мето-
дом низкоэнергетической электронной дифракции (LEED) также
было обнаружено, что поверхность алмаза (111) с ОЭС экстремально
инертна к адсорбции. В работе [15] отмечается, что алмазные по-
верхности устойчивы на воздухе. Ни одна из исследованных по-
верхностей не обнаруживает загрязнение даже после пребывания
их в течение нескольких недель на воздухе.
Сравнение эмиссионных параметров образцов № 2 и № 4, имею-
щих различное удельное сопротивление покрытий, показывает
уменьшение работы выхода и увеличение плотности эмиссионного
тока до 6,86 мА/см2
при 963 К для образца № 4 с меньшим удель-
ным сопротивлением. Работа выхода этого образца такая же, как и
в работе [5], но имеется различие в величине постоянной Ричардсо-
на AR. Для образца № 4 она равна 0,048, а в работе [5] – 0,84.
5. ВЫВОДЫ
1. Смещение ВАХ в область больших напряжений при облучении
поверхности образцов электронами с энергией 80 эВ связано с
накоплением отрицательного заряда на поверхности, который пре-
пятствует потоку электронов с измерительной пушки и свидетель-
ствует о наличии поверхностных электронных состояний p-типа
(акцепторных уровней), увеличивающих работу выхода.
2. Отжиг покрытий в диапазоне 603—818 К удаляет примеси с по-
верхности образцов, влияющие на работу выхода при воздействии
медленных электронов.
3. Для наноструктурного алмазного покрытия с удельным сопротив-
лением 2,4·102
Омсм получено наиболее низкое значение работы вы-
хода 1,28 эВ и наибольшая плотность тока 6,86 мА/см2
при 963 К.
ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА
1. F. J. Himpsel, J. A. Knapp, J. A. VanVechten, and D. E. Eastman, Phys. Rev. B,
1500 С. Ф. ДУДНИК, К. И. КОШЕВОЙ, М. М. НИЩЕНКО и др.
20: 624 (1979).
2. O. A. Williams, S. Curat, J. E. Gerbi, D. M. Gruen, and R. B. Jackman, Appl.
Phys. Lett., 85, No. 10: 1680 (2001).
3. S. H. Seo , T. H. Lee , Y. D. Kim , Ch. K. Park , and J. S. Park, Thin Solid Films,
447—448: 212 (2004).
4. M. Suzuki, T. Ono, N. Sakuma, and T. Sakai, Diamond & Related Materials, 18:
1274 (2009).
5. F. A. M. Koeck and R. J. Nemanich, Diamond & Related Materials, 18, No. 2:
232 (2009).
6. F. A. M. Koeck, R. J. Nemanich, Y. Balasubramaniam, K. Haenen, and
J. Sharp, Diamond & Related Materials, 20, No. 8: 1229 (2011).
7. И. И. Выровец, В. И. Грицына, С. Ф. Дудник, О. А. Опалев, О. М. Решетняк,
В. Е. Стрельницкий, Материалы 21 Международного симпозиума «Тонкие
пленки в электронике» (Москва: ОАО «ЦНИТИ ТЕХНОМАШ»: 2008).
8. И. И. Выровец, В. И. Грицына, С. Ф. Дудник, О. А. Опалев, Е. Н. Решетняк,
В. Е. Стрельницкий, Международная научная конференция «Физико-
химические основы формирования и модификации микро - и наноструктур»
(октябрь 2009 г., Харьков), т. 1, с. 210.
9. В. И. Грицына, С. Ф. Дудник, К. И. Кошевой, О. А. Опалев, Е. Н. Решетняк,
В. Е. Стрельницкий, Физическая инженерия поверхности, 11, № 4: 338 (2013).
10. Б. Я. Меламед, В. И. Силантьев, Н. А. Шевченко, Физические методы ис-
следования металлов (Киев: Наукова думка: 1981).
11. P. A. Anderson, Phys. Rev., 47: 958 (1935).
12. В. И. Силантьев, Н. А. Шевченко, Б. Я. Меламед, УФЖ, 24, № 8: 1227 (1979).
13. В. И. Силантьев, Н. А. Шевченко, Б. Я. Меламед, Вопросы атомной науки и
техники. Серия: Общая и ядерная физика, 1, № 2: 66 (1983).
14. С. А. Комолов, Интегральная вторично-электронная спектроскопия по-
верхности (Ленинград: Изд. Ленинградского университета: 1986)
15. L. Diederich, O. M. Küttel, P. Aebi, and L. Schlapbach, Surf. Sci., 418: 219
(1998).
16. O. М. Артамонов, С. Н. Самарин, ЖТФ, 61, № 10: 186 (1991).
17. D. Straub, L. Ley, and F. I. Himpsel, Phys. Rev. B, 33, No. 4: 2607 (1986).
REFERENCES
1. F. J. Himpsel, J. A. Knapp, J. A. VanVechten, and D. E. Eastman, Phys. Rev. B,
20: 624 (1979).
2. O. A. Williams, S. Curat, J. E. Gerbi, D. M. Gruen, and R. B. Jackman, Appl.
Phys. Lett., 85, No. 10: 1680 (2001).
3. S. H. Seo , T. H. Lee , Y. D. Kim , Ch. K. Park , and J. S. Park, Thin Solid Films,
447—448: 212 (2004).
4. M. Suzuki, T. Ono, N. Sakuma, and T. Sakai, Diamond & Related Materials, 18:
1274 (2009).
5. F. A. M. Koeck and R. J. Nemanich, Diamond & Related Materials, 18, No. 2:
232 (2009).
6. F. A. M. Koeck, R. J. Nemanich, Y. Balasubramaniam, K. Haenen, and
J. Sharp, Diamond & Related Materials, 20, No. 8: 1229 (2011).
7. I. I. Vyrovets, V. I. Gritsyna, S. F. Dudnik, O. A. Opalev, O. M. Reshetnyak, and
ЭМИССИОННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЛЕГИРОВАННЫХ АЛМАЗНЫХ ПОКРЫТИЙ 1501
V. E. Strel’nickii, Materialy 21 Mezhdunarodnogo Simpoziuma ‘Tonkie Plenki v
Elektronike’ (Moscow: OAO ‘TsNITI TEHNOMASh’: 2008) (in Russian).
8. I. I. Vyrovets, V. I. Gritsyna, S. F. Dudnik, O. A. Opalev, O. M. Reshetnyak, and
V. E. Strel’nickii, Mezhdunarodnaya Nauchnaya Konferentsiya
‘Fiziko-Khimicheskie Osnovy Formirovaniya i Modifikatsii Mikro - i
Nanostruktur’, (October 2009, Kharkov), vol. 1, p. 210 (in Russian).
9. V. I. Gritsyna, S. F. Dudnik, K. I. Koshevoi, O. A. Opalev, E. N. Reshetnyak,
and V. E. Strel’nickii, Physical Surface Engineering, 11, No. 4: 338 (2013)
(in Russian).
10. B. Ya. Melamed, V. I. Silantiev, and N. A. Shevchenko, Fizicheskie Metody
Issledovaniya Metallov [Physical Methods of Metals Studying] (Kiev:
Naukova Dumka: 1981) (in Russian).
11. P. A. Anderson, Phys. Rev., 47: 958 (1935).
12. V. I. Silantiev, N. A. Shevchenko, and B. Ya. Melamed, Ukrainskiy Fizicheskiy
Zhurnal, 24, No. 8: 1227 (1979) (in Russian).
13. V. I. Silantiev, N. A. Shevchenko, and B. Ya. Melamed, Voprosy Atomnoy Nauki
i Tekhniki. Seriya: Obshchaya i Yadernaya Fizika, 1, No. 2: 66 (1983)
(in Russian).
14. S. A. Komolov, Integral’naya Vtorichno-Elektronnaya Spektroskopiya
Poverkhnosti [Total Current Spectroscopy of Surfaces] (Leningrad: Izd.
Leningrad Universitet: 1986) (in Russian).
15. L. Diederich, O. M. Küttel, P. Aebi, and L. Schlapbach, Surf. Sci., 418: 219
(1998).
16. O. M. Artamonov and S. N. Samarin, ZhTF, 61, No. 10: 186 (1991) (in Rus-
sian).
17. D. Straub, L. Ley, and F. I. Himpsel, Phys. Rev. B, 33, No. 4: 2607 (1986).
<<
/ASCII85EncodePages false
/AllowTransparency false
/AutoPositionEPSFiles true
/AutoRotatePages /None
/Binding /Left
/CalGrayProfile (Dot Gain 20%)
/CalRGBProfile (sRGB IEC61966-2.1)
/CalCMYKProfile (U.S. Web Coated \050SWOP\051 v2)
/sRGBProfile (sRGB IEC61966-2.1)
/CannotEmbedFontPolicy /Error
/CompatibilityLevel 1.4
/CompressObjects /Tags
/CompressPages true
/ConvertImagesToIndexed true
/PassThroughJPEGImages true
/CreateJobTicket false
/DefaultRenderingIntent /Default
/DetectBlends true
/DetectCurves 0.0000
/ColorConversionStrategy /CMYK
/DoThumbnails false
/EmbedAllFonts true
/EmbedOpenType false
/ParseICCProfilesInComments true
/EmbedJobOptions true
/DSCReportingLevel 0
/EmitDSCWarnings false
/EndPage -1
/ImageMemory 1048576
/LockDistillerParams false
/MaxSubsetPct 100
/Optimize true
/OPM 1
/ParseDSCComments true
/ParseDSCCommentsForDocInfo true
/PreserveCopyPage true
/PreserveDICMYKValues true
/PreserveEPSInfo true
/PreserveFlatness true
/PreserveHalftoneInfo false
/PreserveOPIComments true
/PreserveOverprintSettings true
/StartPage 1
/SubsetFonts true
/TransferFunctionInfo /Apply
/UCRandBGInfo /Preserve
/UsePrologue false
/ColorSettingsFile ()
/AlwaysEmbed [ true
]
/NeverEmbed [ true
]
/AntiAliasColorImages false
/CropColorImages true
/ColorImageMinResolution 300
/ColorImageMinResolutionPolicy /OK
/DownsampleColorImages true
/ColorImageDownsampleType /Bicubic
/ColorImageResolution 300
/ColorImageDepth -1
/ColorImageMinDownsampleDepth 1
/ColorImageDownsampleThreshold 1.50000
/EncodeColorImages true
/ColorImageFilter /DCTEncode
/AutoFilterColorImages true
/ColorImageAutoFilterStrategy /JPEG
/ColorACSImageDict <<
/QFactor 0.15
/HSamples [1 1 1 1] /VSamples [1 1 1 1]
>>
/ColorImageDict <<
/QFactor 0.15
/HSamples [1 1 1 1] /VSamples [1 1 1 1]
>>
/JPEG2000ColorACSImageDict <<
/TileWidth 256
/TileHeight 256
/Quality 30
>>
/JPEG2000ColorImageDict <<
/TileWidth 256
/TileHeight 256
/Quality 30
>>
/AntiAliasGrayImages false
/CropGrayImages true
/GrayImageMinResolution 300
/GrayImageMinResolutionPolicy /OK
/DownsampleGrayImages true
/GrayImageDownsampleType /Bicubic
/GrayImageResolution 300
/GrayImageDepth -1
/GrayImageMinDownsampleDepth 2
/GrayImageDownsampleThreshold 1.50000
/EncodeGrayImages true
/GrayImageFilter /DCTEncode
/AutoFilterGrayImages true
/GrayImageAutoFilterStrategy /JPEG
/GrayACSImageDict <<
/QFactor 0.15
/HSamples [1 1 1 1] /VSamples [1 1 1 1]
>>
/GrayImageDict <<
/QFactor 0.15
/HSamples [1 1 1 1] /VSamples [1 1 1 1]
>>
/JPEG2000GrayACSImageDict <<
/TileWidth 256
/TileHeight 256
/Quality 30
>>
/JPEG2000GrayImageDict <<
/TileWidth 256
/TileHeight 256
/Quality 30
>>
/AntiAliasMonoImages false
/CropMonoImages true
/MonoImageMinResolution 1200
/MonoImageMinResolutionPolicy /OK
/DownsampleMonoImages true
/MonoImageDownsampleType /Bicubic
/MonoImageResolution 1200
/MonoImageDepth -1
/MonoImageDownsampleThreshold 1.50000
/EncodeMonoImages true
/MonoImageFilter /CCITTFaxEncode
/MonoImageDict <<
/K -1
>>
/AllowPSXObjects false
/CheckCompliance [
/None
]
/PDFX1aCheck false
/PDFX3Check false
/PDFXCompliantPDFOnly false
/PDFXNoTrimBoxError true
/PDFXTrimBoxToMediaBoxOffset [
0.00000
0.00000
0.00000
0.00000
]
/PDFXSetBleedBoxToMediaBox true
/PDFXBleedBoxToTrimBoxOffset [
0.00000
0.00000
0.00000
0.00000
]
/PDFXOutputIntentProfile ()
/PDFXOutputConditionIdentifier ()
/PDFXOutputCondition ()
/PDFXRegistryName ()
/PDFXTrapped /False
/CreateJDFFile false
/Description <<
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
/BGR <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>
/CHS <FEFF4f7f75288fd94e9b8bbe5b9a521b5efa7684002000410064006f006200650020005000440046002065876863900275284e8e9ad88d2891cf76845370524d53705237300260a853ef4ee54f7f75280020004100630072006f0062006100740020548c002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e003000204ee553ca66f49ad87248672c676562535f00521b5efa768400200050004400460020658768633002>
/CHT <FEFF4f7f752890194e9b8a2d7f6e5efa7acb7684002000410064006f006200650020005000440046002065874ef69069752865bc9ad854c18cea76845370524d5370523786557406300260a853ef4ee54f7f75280020004100630072006f0062006100740020548c002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e003000204ee553ca66f49ad87248672c4f86958b555f5df25efa7acb76840020005000440046002065874ef63002>
/CZE <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>
/DAN <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>
/DEU <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>
/ESP <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>
/ETI <FEFF004b00610073007500740061006700650020006e0065006900640020007300e4007400740065006900640020006b00760061006c006900740065006500740073006500200074007200fc006b006900650065006c007300650020007000720069006e00740069006d0069007300650020006a0061006f006b007300200073006f00620069006c0069006b0065002000410064006f006200650020005000440046002d0064006f006b0075006d0065006e00740069006400650020006c006f006f006d006900730065006b0073002e00200020004c006f006f0064007500640020005000440046002d0064006f006b0075006d0065006e00740065002000730061006100740065002000610076006100640061002000700072006f006700720061006d006d006900640065006700610020004100630072006f0062006100740020006e0069006e0067002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e00300020006a00610020007500750065006d006100740065002000760065007200730069006f006f006e00690064006500670061002e000d000a>
/FRA <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>
/GRE <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>
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
/HRV (Za stvaranje Adobe PDF dokumenata najpogodnijih za visokokvalitetni ispis prije tiskanja koristite ove postavke. Stvoreni PDF dokumenti mogu se otvoriti Acrobat i Adobe Reader 5.0 i kasnijim verzijama.)
/HUN <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>
/ITA <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>
/JPN <FEFF9ad854c18cea306a30d730ea30d730ec30b951fa529b7528002000410064006f0062006500200050004400460020658766f8306e4f5c6210306b4f7f75283057307e305930023053306e8a2d5b9a30674f5c62103055308c305f0020005000440046002030d530a130a430eb306f3001004100630072006f0062006100740020304a30883073002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e003000204ee5964d3067958b304f30533068304c3067304d307e305930023053306e8a2d5b9a306b306f30d530a930f330c8306e57cb30818fbc307f304c5fc59808306730593002>
/KOR <FEFFc7740020c124c815c7440020c0acc6a9d558c5ec0020ace0d488c9c80020c2dcd5d80020c778c1c4c5d00020ac00c7a50020c801d569d55c002000410064006f0062006500200050004400460020bb38c11cb97c0020c791c131d569b2c8b2e4002e0020c774b807ac8c0020c791c131b41c00200050004400460020bb38c11cb2940020004100630072006f0062006100740020bc0f002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e00300020c774c0c1c5d0c11c0020c5f40020c2180020c788c2b5b2c8b2e4002e>
/LTH <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>
/LVI <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>
/NLD (Gebruik deze instellingen om Adobe PDF-documenten te maken die zijn geoptimaliseerd voor prepress-afdrukken van hoge kwaliteit. De gemaakte PDF-documenten kunnen worden geopend met Acrobat en Adobe Reader 5.0 en hoger.)
/NOR <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>
/POL <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>
/PTB <FEFF005500740069006c0069007a006500200065007300730061007300200063006f006e00660069006700750072006100e700f50065007300200064006500200066006f0072006d00610020006100200063007200690061007200200064006f00630075006d0065006e0074006f0073002000410064006f0062006500200050004400460020006d00610069007300200061006400650071007500610064006f00730020007000610072006100200070007200e9002d0069006d0070007200650073007300f50065007300200064006500200061006c007400610020007100750061006c00690064006100640065002e0020004f007300200064006f00630075006d0065006e0074006f00730020005000440046002000630072006900610064006f007300200070006f00640065006d0020007300650072002000610062006500720074006f007300200063006f006d0020006f0020004100630072006f006200610074002000650020006f002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e0030002000650020007600650072007300f50065007300200070006f00730074006500720069006f007200650073002e>
/RUM <FEFF005500740069006c0069007a00610163006900200061006300650073007400650020007300650074010300720069002000700065006e007400720075002000610020006300720065006100200064006f00630075006d0065006e00740065002000410064006f006200650020005000440046002000610064006500630076006100740065002000700065006e0074007200750020007400690070010300720069007200650061002000700072006500700072006500730073002000640065002000630061006c006900740061007400650020007300750070006500720069006f006100720103002e002000200044006f00630075006d0065006e00740065006c00650020005000440046002000630072006500610074006500200070006f00740020006600690020006400650073006300680069007300650020006300750020004100630072006f006200610074002c002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e00300020015f00690020007600650072007300690075006e0069006c006500200075006c0074006500720069006f006100720065002e>
/RUS <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>
/SKY <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>
/SLV <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>
/SUO <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>
/SVE <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>
/TUR <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>
/UKR <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>
/ENU (Use these settings to create Adobe PDF documents best suited for high-quality prepress printing. Created PDF documents can be opened with Acrobat and Adobe Reader 5.0 and later.)
>>
/Namespace [
(Adobe)
(Common)
(1.0)
]
/OtherNamespaces [
<<
/AsReaderSpreads false
/CropImagesToFrames true
/ErrorControl /WarnAndContinue
/FlattenerIgnoreSpreadOverrides false
/IncludeGuidesGrids false
/IncludeNonPrinting false
/IncludeSlug false
/Namespace [
(Adobe)
(InDesign)
(4.0)
]
/OmitPlacedBitmaps false
/OmitPlacedEPS false
/OmitPlacedPDF false
/SimulateOverprint /Legacy
>>
<<
/AddBleedMarks false
/AddColorBars false
/AddCropMarks false
/AddPageInfo false
/AddRegMarks false
/ConvertColors /ConvertToCMYK
/DestinationProfileName ()
/DestinationProfileSelector /DocumentCMYK
/Downsample16BitImages true
/FlattenerPreset <<
/PresetSelector /MediumResolution
>>
/FormElements false
/GenerateStructure false
/IncludeBookmarks false
/IncludeHyperlinks false
/IncludeInteractive false
/IncludeLayers false
/IncludeProfiles false
/MultimediaHandling /UseObjectSettings
/Namespace [
(Adobe)
(CreativeSuite)
(2.0)
]
/PDFXOutputIntentProfileSelector /DocumentCMYK
/PreserveEditing true
/UntaggedCMYKHandling /LeaveUntagged
/UntaggedRGBHandling /UseDocumentProfile
/UseDocumentBleed false
>>
]
>> setdistillerparams
<<
/HWResolution [2400 2400]
/PageSize [612.000 792.000]
>> setpagedevice
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-112438 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1024-1809 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:30:31Z |
| publishDate | 2015 |
| publisher | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Дудник, С.Ф. Кошевой, К.И. Нищенко, М.М. Смольник, С.В. Стрельницкий, В.Е. Шевченко, Н.А. 2017-01-21T17:24:57Z 2017-01-21T17:24:57Z 2015 Эмиссионные характеристики легированных азотом наноструктурных алмазных покрытий, синтезированных в плазме тлеющего разряда / С.Ф. Дудник, К. И. Кошевой, М.М. Нищенко, С.В. Смольник, В.Е. Стрельницкий, Н.А. Шевченко // Металлофизика и новейшие технологии. — 2015. — Т. 37, № 11. — С. 1487-1501. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. 1024-1809 PACS: 65.40.gh, 73.20.At,73.30.+y, 73.63.Bd, 79.40.+z, 81.05.uj, 81.65.Lp https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112438 Исследованы эмиссионные характеристики легированных азотом наноструктурных алмазных покрытий с удельным сопротивлением в диапазоне 2,3∙10⁴—4∙10¹ Ом∙см, полученных в плазме тлеющего разряда в различных условиях. Показано, что эмиссионный ток с поверхности образцов появляется после удаления примесей при отжиге в интервале 603—818 К, создающих поверхностные акцепторные электронные состояния p-типа, влияющие на работу выхода, определяемую методом контактной разницы потенциалов по смещению вольт-амперной характеристики. Для наноструктурного алмазного покрытия с удельным сопротивлением 2,4∙10² Ом∙см получено наиболее низкое значение работы выхода 1,28 эВ и наибольшая плотность тока 6,9 мА/см² при 963 К. Досліджено емісійні характеристики леґованих Нітроґеном наноструктурних діямантових покриттів із питомим опором у діяпазоні 2,3∙10⁴—4∙10¹ Ом∙см, одержаних у плазмі жеврійного розряду за різних умов. Показано, що емісійний струм із поверхні зразків з’являється після видалення домішок при відпалі в інтервалі 603—818 К, що створюють поверхневі акцепторні електронні стани p-типу, які впливають на роботу виходу, що визначається методою контактної ріжниці потенціялів по зміщенню вольт-амперної характеристики. Для наноструктурного діямантового покриття з питомим опором у 2,4∙10² Ом∙см одержано найбільш низьке значення роботи виходу у 1,28 еВ і найбільшу густину струму у 6,9 мА/см² при 963 К. The emission characteristics of the nitrogen-doped nanostructure diamond coatings with a resistivity in the range of 2.3∙10⁴—4∙10¹ Ohm∙cm obtained in glow discharge plasma under different conditions are investigated. As shown, the emission current from the sample surface appears after the removing of impurities during annealing in the range 603—818 K, which create surface acceptor electron states of p-type. That states affect the work function determined by the contact potential difference of shifting current—voltage characteristics. For the nanostructure diamond coating with a resistivity of 2.4∙10² Ohm∙cm, the lowest value of the work function of 1.28 eV and the highest current density of 6.9 mA/см² at 963 K are determined. ru Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Металлофизика и новейшие технологии Электронные структура и свойства Эмиссионные характеристики легированных азотом наноструктурных алмазных покрытий, синтезированных в плазме тлеющего разряда Емісійні характеристики легованих азотом наноструктурних алмазних покриттів, синтезованих у плазмі тліючого розряду Emission Characteristics of Nitrogen-Doped Nanostructure Diamond Coating Synthesized in Glow Discharge Plasma Article published earlier |
| spellingShingle | Эмиссионные характеристики легированных азотом наноструктурных алмазных покрытий, синтезированных в плазме тлеющего разряда Дудник, С.Ф. Кошевой, К.И. Нищенко, М.М. Смольник, С.В. Стрельницкий, В.Е. Шевченко, Н.А. Электронные структура и свойства |
| title | Эмиссионные характеристики легированных азотом наноструктурных алмазных покрытий, синтезированных в плазме тлеющего разряда |
| title_alt | Емісійні характеристики легованих азотом наноструктурних алмазних покриттів, синтезованих у плазмі тліючого розряду Emission Characteristics of Nitrogen-Doped Nanostructure Diamond Coating Synthesized in Glow Discharge Plasma |
| title_full | Эмиссионные характеристики легированных азотом наноструктурных алмазных покрытий, синтезированных в плазме тлеющего разряда |
| title_fullStr | Эмиссионные характеристики легированных азотом наноструктурных алмазных покрытий, синтезированных в плазме тлеющего разряда |
| title_full_unstemmed | Эмиссионные характеристики легированных азотом наноструктурных алмазных покрытий, синтезированных в плазме тлеющего разряда |
| title_short | Эмиссионные характеристики легированных азотом наноструктурных алмазных покрытий, синтезированных в плазме тлеющего разряда |
| title_sort | эмиссионные характеристики легированных азотом наноструктурных алмазных покрытий, синтезированных в плазме тлеющего разряда |
| topic | Электронные структура и свойства |
| topic_facet | Электронные структура и свойства |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112438 |
| work_keys_str_mv | AT dudniksf émissionnyeharakteristikilegirovannyhazotomnanostrukturnyhalmaznyhpokrytiisintezirovannyhvplazmetleûŝegorazrâda AT koševoiki émissionnyeharakteristikilegirovannyhazotomnanostrukturnyhalmaznyhpokrytiisintezirovannyhvplazmetleûŝegorazrâda AT niŝenkomm émissionnyeharakteristikilegirovannyhazotomnanostrukturnyhalmaznyhpokrytiisintezirovannyhvplazmetleûŝegorazrâda AT smolʹniksv émissionnyeharakteristikilegirovannyhazotomnanostrukturnyhalmaznyhpokrytiisintezirovannyhvplazmetleûŝegorazrâda AT strelʹnickiive émissionnyeharakteristikilegirovannyhazotomnanostrukturnyhalmaznyhpokrytiisintezirovannyhvplazmetleûŝegorazrâda AT ševčenkona émissionnyeharakteristikilegirovannyhazotomnanostrukturnyhalmaznyhpokrytiisintezirovannyhvplazmetleûŝegorazrâda AT dudniksf emísíiníharakteristikilegovanihazotomnanostrukturnihalmaznihpokrittívsintezovanihuplazmítlíûčogorozrâdu AT koševoiki emísíiníharakteristikilegovanihazotomnanostrukturnihalmaznihpokrittívsintezovanihuplazmítlíûčogorozrâdu AT niŝenkomm emísíiníharakteristikilegovanihazotomnanostrukturnihalmaznihpokrittívsintezovanihuplazmítlíûčogorozrâdu AT smolʹniksv emísíiníharakteristikilegovanihazotomnanostrukturnihalmaznihpokrittívsintezovanihuplazmítlíûčogorozrâdu AT strelʹnickiive emísíiníharakteristikilegovanihazotomnanostrukturnihalmaznihpokrittívsintezovanihuplazmítlíûčogorozrâdu AT ševčenkona emísíiníharakteristikilegovanihazotomnanostrukturnihalmaznihpokrittívsintezovanihuplazmítlíûčogorozrâdu AT dudniksf emissioncharacteristicsofnitrogendopednanostructurediamondcoatingsynthesizedinglowdischargeplasma AT koševoiki emissioncharacteristicsofnitrogendopednanostructurediamondcoatingsynthesizedinglowdischargeplasma AT niŝenkomm emissioncharacteristicsofnitrogendopednanostructurediamondcoatingsynthesizedinglowdischargeplasma AT smolʹniksv emissioncharacteristicsofnitrogendopednanostructurediamondcoatingsynthesizedinglowdischargeplasma AT strelʹnickiive emissioncharacteristicsofnitrogendopednanostructurediamondcoatingsynthesizedinglowdischargeplasma AT ševčenkona emissioncharacteristicsofnitrogendopednanostructurediamondcoatingsynthesizedinglowdischargeplasma |