Термоэлектрический размерный слойной композиции Al—Cu
Измерена зависимость термоэлектродвижущей силы S(hCu) многослойных композиций Al—Cu от толщины медного слоя hCu в диапазоне hCu = (20—1200) нм. Градиент температуры был перпендикулярным к плоскостям слоёв. Когда 1200 нм > hCu >> lCu (lCu ≤ (30—42) нм – длина свободного пробега электрона в м...
Saved in:
| Published in: | Металлофизика и новейшие технологии |
|---|---|
| Date: | 2016 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2016
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112471 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Термоэлектрический размерный слойной композиции Al—Cu / В. С. Копань, Н. В. Хуторянская, И. А. Селезнева, Ю. В. Копань // Металлофизика и новейшие технологии. — 2016. — Т. 38, № 2. — С. 277-284. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862737340958507008 |
|---|---|
| author | Копань, В.С. Хуторянская, Н.В. Селезнева, И.А. Копань, Ю.В. |
| author_facet | Копань, В.С. Хуторянская, Н.В. Селезнева, И.А. Копань, Ю.В. |
| citation_txt | Термоэлектрический размерный слойной композиции Al—Cu / В. С. Копань, Н. В. Хуторянская, И. А. Селезнева, Ю. В. Копань // Металлофизика и новейшие технологии. — 2016. — Т. 38, № 2. — С. 277-284. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Металлофизика и новейшие технологии |
| description | Измерена зависимость термоэлектродвижущей силы S(hCu) многослойных композиций Al—Cu от толщины медного слоя hCu в диапазоне hCu = (20—1200) нм. Градиент температуры был перпендикулярным к плоскостям слоёв. Когда 1200 нм > hCu >> lCu (lCu ≤ (30—42) нм – длина свободного пробега электрона в меди), тогда |S| ≅ 4 мкВ⋅К⁻¹ сравнима с |S| биметаллов. Когда hCu < 100 нм, слои препятствуют движению электронов как сверхрешётка.
Виміряна залежність термоелектрорушійної сили S(hCu) багатошарових композицій Al—Cu від товщини мідного шару hCu у діяпазоні hCu = (20—1200) нм. Ґрадієнт температури був перпендикулярним до площин шарів. Коли 1200 нм > hCu >> lCu нм (lCu ≤ (30—42) – довжина вільного пробігу електрона в міді), тоді |S| ≅ 4 мкВ⋅К⁻¹ є порівнянною із |S| біметалів. Коли hCu < 100 нм, шари перешкоджають рухові електронів як надґратниця.
The dependence of the thermoelectric power S(hCu) of multilayer composition Al—Cu on the Cu-layer thickness, hCu, is measured in range hCu = (20—1200) nm. The temperature gradient is normal to plains of layers. When 1200 nm > hСu >> lCu (lCu ≤ (30—42) nm–electron free pass in Cu), the |S| ≅ 4 μV⋅K⁻¹ is comparable with |S| of bimetals. When hСu < 100 nm, the layers impede to electron motion as superlattice.
|
| first_indexed | 2025-12-07T19:58:58Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-112471 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1024-1809 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T19:58:58Z |
| publishDate | 2016 |
| publisher | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Копань, В.С. Хуторянская, Н.В. Селезнева, И.А. Копань, Ю.В. 2017-01-22T14:07:11Z 2017-01-22T14:07:11Z 2016 Термоэлектрический размерный слойной композиции Al—Cu / В. С. Копань, Н. В. Хуторянская, И. А. Селезнева, Ю. В. Копань // Металлофизика и новейшие технологии. — 2016. — Т. 38, № 2. — С. 277-284. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 1024-1809 PACS: 72.15.Jf, 72.80.Tm, 73.40.Cg, 73.40.Jn, 73.50.Lw, 73.61.At, 81.40.Rs DOI: 10.15407/mfint.38.02.0277 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112471 Измерена зависимость термоэлектродвижущей силы S(hCu) многослойных композиций Al—Cu от толщины медного слоя hCu в диапазоне hCu = (20—1200) нм. Градиент температуры был перпендикулярным к плоскостям слоёв. Когда 1200 нм > hCu >> lCu (lCu ≤ (30—42) нм – длина свободного пробега электрона в меди), тогда |S| ≅ 4 мкВ⋅К⁻¹ сравнима с |S| биметаллов. Когда hCu < 100 нм, слои препятствуют движению электронов как сверхрешётка. Виміряна залежність термоелектрорушійної сили S(hCu) багатошарових композицій Al—Cu від товщини мідного шару hCu у діяпазоні hCu = (20—1200) нм. Ґрадієнт температури був перпендикулярним до площин шарів. Коли 1200 нм > hCu >> lCu нм (lCu ≤ (30—42) – довжина вільного пробігу електрона в міді), тоді |S| ≅ 4 мкВ⋅К⁻¹ є порівнянною із |S| біметалів. Коли hCu < 100 нм, шари перешкоджають рухові електронів як надґратниця. The dependence of the thermoelectric power S(hCu) of multilayer composition Al—Cu on the Cu-layer thickness, hCu, is measured in range hCu = (20—1200) nm. The temperature gradient is normal to plains of layers. When 1200 nm > hСu >> lCu (lCu ≤ (30—42) nm–electron free pass in Cu), the |S| ≅ 4 μV⋅K⁻¹ is comparable with |S| of bimetals. When hСu < 100 nm, the layers impede to electron motion as superlattice. ru Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Металлофизика и новейшие технологии Электронные структура и свойства Термоэлектрический размерный слойной композиции Al—Cu Термоелектричний розмірний ефект багатошарової композиції Al—Cu Thermoelectric Size Effect of a Multilayer Composition Al—Cu Article published earlier |
| spellingShingle | Термоэлектрический размерный слойной композиции Al—Cu Копань, В.С. Хуторянская, Н.В. Селезнева, И.А. Копань, Ю.В. Электронные структура и свойства |
| title | Термоэлектрический размерный слойной композиции Al—Cu |
| title_alt | Термоелектричний розмірний ефект багатошарової композиції Al—Cu Thermoelectric Size Effect of a Multilayer Composition Al—Cu |
| title_full | Термоэлектрический размерный слойной композиции Al—Cu |
| title_fullStr | Термоэлектрический размерный слойной композиции Al—Cu |
| title_full_unstemmed | Термоэлектрический размерный слойной композиции Al—Cu |
| title_short | Термоэлектрический размерный слойной композиции Al—Cu |
| title_sort | термоэлектрический размерный слойной композиции al—cu |
| topic | Электронные структура и свойства |
| topic_facet | Электронные структура и свойства |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112471 |
| work_keys_str_mv | AT kopanʹvs termoélektričeskiirazmernyisloinoikompoziciialcu AT hutorânskaânv termoélektričeskiirazmernyisloinoikompoziciialcu AT seleznevaia termoélektričeskiirazmernyisloinoikompoziciialcu AT kopanʹûv termoélektričeskiirazmernyisloinoikompoziciialcu AT kopanʹvs termoelektričniirozmírniiefektbagatošarovoíkompozicííalcu AT hutorânskaânv termoelektričniirozmírniiefektbagatošarovoíkompozicííalcu AT seleznevaia termoelektričniirozmírniiefektbagatošarovoíkompozicííalcu AT kopanʹûv termoelektričniirozmírniiefektbagatošarovoíkompozicííalcu AT kopanʹvs thermoelectricsizeeffectofamultilayercompositionalcu AT hutorânskaânv thermoelectricsizeeffectofamultilayercompositionalcu AT seleznevaia thermoelectricsizeeffectofamultilayercompositionalcu AT kopanʹûv thermoelectricsizeeffectofamultilayercompositionalcu |