Перенесення заряду в полікристалічних плівках Pd нанометрової товщини - Бігун, Р.І.; Гаврилюх, В.М.; Стасюк, З.В.; Леонов, Д.С. (Металлофизика и новейшие технологии, 2016)
Експериментальні залежності «питома електропровідність—товщина шару» «заморожено конденсованих» ультратонких плівок паладію кількісно описано на основі теорій квазикласичного та квантового розмірних ефектів. Тонкі плівки паладію було препаровано та досліджено в умовах надвисокого вакууму. Плівки наносили на поверхню скляних підкладинок та скляних підкладинок, попередньо покритих підшаром ґерманію масовою товщиною у 0,5 нм. Експериментальні дані добре узгоджуються з результатами теоретичних розрахунків, які враховують особливості структури плівок і морфології їхньої поверхні. Розраховано параметри перенесення заряду в досліджуваних зразках. Экспериментальные зависимости «удельная электропроводность—толщина слоя» «замороженно конденсированных» ультратонких плёнок палладия количественно описаны в рамках теорий квазиклассического и квантового размерных эффектов. Тонкие плёнки палладия были приготовлены и исследованы в условиях сверхвысокого вакуума. Плёнки сформированы на поверхностях стеклянных подложек и стеклянных подложек, предварительно покрытых подслоем германия массовой толщиной 0,5 нм. Экспериментальные данные хорошо согласуются с результатами теоретических расчётов, учитывающих особенности структуры плёнок и поверхностной морфологии плёнок. Рассчитаны параметры переноса заряда в плёнках. Conductivity—thickness dependences in quench-condensed palladium ultrathin films are quantitatively described within the scope of the semiclassical and quantum size effect theories. The palladium thin films are prepared and investigated under ultrahigh vacuum conditions. The films are deposited on glass substrate or on glass substrate preliminary covered by germanium sublayers with mass thicknesses of 0.5 nm. The experimental data has a good agreement with the theoretical calculations, which take into account the peculiarities of the metal-films’ structure and the films’ surface morphology. Charge-transport parameters of thin films are calculated.