Переходы Джозефсона с повышенным значением характеристического напряжения

• Veröffentlicht in: Металлофизика и новейшие технологии
• Datum: 2016
• Hauptverfasser: Шатерник, В.Е., Шаповалов, А.П., Шатерник, А.В., Прихна, Т.А.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2016
• Schlagworte: Электронные структура и свойства
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112482
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Переходы Джозефсона с повышенным значением характеристического напряжения / В. Е. Шатерник, А. П. Шаповалов, А. В. Шатерник, Т. А. Прихна // Металлофизика и новейшие технологии. — 2016. — Т. 38, № 3. — С. 319-328. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.

С использованием масочной технологии путём вакуумного осаждения были созданы и исследованы близостные MgB₂—Al—Al₂O₃—MoRe переходы и резонансно-перколяционные MgB₂—Si(W)—MoRe переходы Джозефсона на основе тонких плёнок диборида магния MgB₂. Повышенные значения характеристического напряжения ICRN = 30—38 мВ созданных переходов Джозефсона MgB₂—Si(W)—MoRe позволяют улучшить чувствительность двухконтактных СКВИДов в несколько раз за счёт увеличения коэффициента преобразования магнитный поток—напряжение. З використанням маскової технології шляхом вакуумного осадження було створено та досліджено Джозефсонові близькісні MgB₂—Al—Al₂O₃—MoRe переходи та резонансно-перколяційні MgB₂—Si(W)—MoRe переходи на основі тонких плівок дибориду магнію MgB₂. Підвищені значення характеристичної напруги ICRN = 30—38 мВ створених Джозефсонових переходів MgB₂—Si(W)—MoRe уможливлюють поліпшити чутливість двоконтактних НКВІДів у декілька разів за рахунок збільшення коефіцієнта перетворення магнітний потік—напруга. By using vacuum deposition and shadow-masks’ technique, there are fabricated and investigated Josephson proximity MgB₂—Al—Al₂O₃—MoRe junctions and Josephson resonance-percolation MgB₂—Si(W)—MoRe junctions based on the magnesium diboride (MgB₂) thin films. The increased values of the characteristic voltage ICRN = 30—38 mV of fabricated MgB₂—Si(W)—MoRe junctions give a possibility to increase DC SQUID sensitivity by several times as a result of the increasing of their flux-to-voltage transfer coefficient.