Переходы Джозефсона с повышенным значением характеристического напряжения
С использованием масочной технологии путём вакуумного осаждения были созданы и исследованы близостные MgB₂—Al—Al₂O₃—MoRe переходы и резонансно-перколяционные MgB₂—Si(W)—MoRe переходы Джозефсона на основе тонких плёнок диборида магния MgB₂. Повышенные значения характеристического напряжения ICRN = 30...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Металлофизика и новейшие технологии |
|---|---|
| Дата: | 2016 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2016
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112482 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Переходы Джозефсона с повышенным значением характеристического напряжения / В. Е. Шатерник, А. П. Шаповалов, А. В. Шатерник, Т. А. Прихна // Металлофизика и новейшие технологии. — 2016. — Т. 38, № 3. — С. 319-328. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-112482 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Шатерник, В.Е. Шаповалов, А.П. Шатерник, А.В. Прихна, Т.А. 2017-01-22T14:45:07Z 2017-01-22T14:45:07Z 2016 Переходы Джозефсона с повышенным значением характеристического напряжения / В. Е. Шатерник, А. П. Шаповалов, А. В. Шатерник, Т. А. Прихна // Металлофизика и новейшие технологии. — 2016. — Т. 38, № 3. — С. 319-328. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. 1024-1809 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112482 DOI: 10.15407/mfint.38.03.0319 PACS: 73.23.-b, 73.40.Gk, 73.40.Ns, 74.50.+r, 74.70.Ad, 85.25.Am, 85.25.Cp, 85.25.Dq С использованием масочной технологии путём вакуумного осаждения были созданы и исследованы близостные MgB₂—Al—Al₂O₃—MoRe переходы и резонансно-перколяционные MgB₂—Si(W)—MoRe переходы Джозефсона на основе тонких плёнок диборида магния MgB₂. Повышенные значения характеристического напряжения ICRN = 30—38 мВ созданных переходов Джозефсона MgB₂—Si(W)—MoRe позволяют улучшить чувствительность двухконтактных СКВИДов в несколько раз за счёт увеличения коэффициента преобразования магнитный поток—напряжение. З використанням маскової технології шляхом вакуумного осадження було створено та досліджено Джозефсонові близькісні MgB₂—Al—Al₂O₃—MoRe переходи та резонансно-перколяційні MgB₂—Si(W)—MoRe переходи на основі тонких плівок дибориду магнію MgB₂. Підвищені значення характеристичної напруги ICRN = 30—38 мВ створених Джозефсонових переходів MgB₂—Si(W)—MoRe уможливлюють поліпшити чутливість двоконтактних НКВІДів у декілька разів за рахунок збільшення коефіцієнта перетворення магнітний потік—напруга. By using vacuum deposition and shadow-masks’ technique, there are fabricated and investigated Josephson proximity MgB₂—Al—Al₂O₃—MoRe junctions and Josephson resonance-percolation MgB₂—Si(W)—MoRe junctions based on the magnesium diboride (MgB₂) thin films. The increased values of the characteristic voltage ICRN = 30—38 mV of fabricated MgB₂—Si(W)—MoRe junctions give a possibility to increase DC SQUID sensitivity by several times as a result of the increasing of their flux-to-voltage transfer coefficient. ru Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Металлофизика и новейшие технологии Электронные структура и свойства Переходы Джозефсона с повышенным значением характеристического напряжения Переходи Джозефсона з підвищеним значенням характеристичної напруги Josephson Junctions with the Increased Value of a Characteristic Voltage Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Переходы Джозефсона с повышенным значением характеристического напряжения |
| spellingShingle |
Переходы Джозефсона с повышенным значением характеристического напряжения Шатерник, В.Е. Шаповалов, А.П. Шатерник, А.В. Прихна, Т.А. Электронные структура и свойства |
| title_short |
Переходы Джозефсона с повышенным значением характеристического напряжения |
| title_full |
Переходы Джозефсона с повышенным значением характеристического напряжения |
| title_fullStr |
Переходы Джозефсона с повышенным значением характеристического напряжения |
| title_full_unstemmed |
Переходы Джозефсона с повышенным значением характеристического напряжения |
| title_sort |
переходы джозефсона с повышенным значением характеристического напряжения |
| author |
Шатерник, В.Е. Шаповалов, А.П. Шатерник, А.В. Прихна, Т.А. |
| author_facet |
Шатерник, В.Е. Шаповалов, А.П. Шатерник, А.В. Прихна, Т.А. |
| topic |
Электронные структура и свойства |
| topic_facet |
Электронные структура и свойства |
| publishDate |
2016 |
| language |
Russian |
| container_title |
Металлофизика и новейшие технологии |
| publisher |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Переходи Джозефсона з підвищеним значенням характеристичної напруги Josephson Junctions with the Increased Value of a Characteristic Voltage |
| description |
С использованием масочной технологии путём вакуумного осаждения были созданы и исследованы близостные MgB₂—Al—Al₂O₃—MoRe переходы и резонансно-перколяционные MgB₂—Si(W)—MoRe переходы Джозефсона на основе тонких плёнок диборида магния MgB₂. Повышенные значения характеристического напряжения ICRN = 30—38 мВ созданных переходов Джозефсона MgB₂—Si(W)—MoRe позволяют улучшить чувствительность двухконтактных СКВИДов в несколько раз за счёт увеличения коэффициента преобразования магнитный поток—напряжение.
З використанням маскової технології шляхом вакуумного осадження було створено та досліджено Джозефсонові близькісні MgB₂—Al—Al₂O₃—MoRe переходи та резонансно-перколяційні MgB₂—Si(W)—MoRe переходи на основі тонких плівок дибориду магнію MgB₂. Підвищені значення характеристичної напруги ICRN = 30—38 мВ створених Джозефсонових переходів MgB₂—Si(W)—MoRe уможливлюють поліпшити чутливість двоконтактних НКВІДів у декілька разів за рахунок збільшення коефіцієнта перетворення магнітний потік—напруга.
By using vacuum deposition and shadow-masks’ technique, there are fabricated and investigated Josephson proximity MgB₂—Al—Al₂O₃—MoRe junctions and Josephson resonance-percolation MgB₂—Si(W)—MoRe junctions based on the magnesium diboride (MgB₂) thin films. The increased values of the characteristic voltage ICRN = 30—38 mV of fabricated MgB₂—Si(W)—MoRe junctions give a possibility to increase DC SQUID sensitivity by several times as a result of the increasing of their flux-to-voltage transfer coefficient.
|
| issn |
1024-1809 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112482 |
| citation_txt |
Переходы Джозефсона с повышенным значением характеристического напряжения / В. Е. Шатерник, А. П. Шаповалов, А. В. Шатерник, Т. А. Прихна // Металлофизика и новейшие технологии. — 2016. — Т. 38, № 3. — С. 319-328. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT šaternikve perehodydžozefsonaspovyšennymznačeniemharakterističeskogonaprâženiâ AT šapovalovap perehodydžozefsonaspovyšennymznačeniemharakterističeskogonaprâženiâ AT šaternikav perehodydžozefsonaspovyšennymznačeniemharakterističeskogonaprâženiâ AT prihnata perehodydžozefsonaspovyšennymznačeniemharakterističeskogonaprâženiâ AT šaternikve perehodidžozefsonazpídviŝenimznačennâmharakterističnoínaprugi AT šapovalovap perehodidžozefsonazpídviŝenimznačennâmharakterističnoínaprugi AT šaternikav perehodidžozefsonazpídviŝenimznačennâmharakterističnoínaprugi AT prihnata perehodidžozefsonazpídviŝenimznačennâmharakterističnoínaprugi AT šaternikve josephsonjunctionswiththeincreasedvalueofacharacteristicvoltage AT šapovalovap josephsonjunctionswiththeincreasedvalueofacharacteristicvoltage AT šaternikav josephsonjunctionswiththeincreasedvalueofacharacteristicvoltage AT prihnata josephsonjunctionswiththeincreasedvalueofacharacteristicvoltage |
| first_indexed |
2025-12-07T13:22:46Z |
| last_indexed |
2025-12-07T13:22:46Z |
| _version_ |
1850855932818358272 |