Роль рекристаллизации вольфрама в формировании шероховатости его поверхности под влиянием последовательного воздействия нейтронов и распыления
Экспериментально изучена модификация структуры поверхности и изменение оптических свойств двух типов вольфрама (W-IG и W-rc) при воздействии факторов, имитирующих условия работы в Международном экспериментальном термоядерном реакторе (ИТЭР): последовательное воздействие нейтронов и атомов перезарядк...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Металлофизика и новейшие технологии |
|---|---|
| Дата: | 2016 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2016
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112598 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Роль рекристаллизации вольфрама в формировании шероховатости его поверхности под влиянием последовательного воздействия нейтронов и распыления / А. И. Беляева, А. А. Галуза, И. В. Koленов, А. А. Савченко // Металлофизика и новейшие технологии. — 2016. — Т. 38, № 8. — С. 1077-1102. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1859684110726856704 |
|---|---|
| author | Беляева, А.И. Галуза, А.А. Koленов, И.В. Савченко, А.А. |
| author_facet | Беляева, А.И. Галуза, А.А. Koленов, И.В. Савченко, А.А. |
| citation_txt | Роль рекристаллизации вольфрама в формировании шероховатости его поверхности под влиянием последовательного воздействия нейтронов и распыления / А. И. Беляева, А. А. Галуза, И. В. Koленов, А. А. Савченко // Металлофизика и новейшие технологии. — 2016. — Т. 38, № 8. — С. 1077-1102. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Металлофизика и новейшие технологии |
| description | Экспериментально изучена модификация структуры поверхности и изменение оптических свойств двух типов вольфрама (W-IG и W-rc) при воздействии факторов, имитирующих условия работы в Международном экспериментальном термоядерном реакторе (ИТЭР): последовательное воздействие нейтронов и атомов перезарядки (распыление). Впервые доказано, что рекристаллизация W-IG приводит к стабилизации структуры его поверхности и, как следствие, оптических характеристик. Проведённые комплексные исследования радиационных превращений поверхности позволили выяснить физические механизмы её эрозии под влиянием факторов ИТЭР и построить модели шероховатой поверхности. Впервые обоснована модель сосуществования двух типов шероховатости на поверхности W-IG и её модификации при рекристаллизации.
Експериментально досліджено модифікування структури поверхні та зміну оптичних властивостей двох типів вольфраму (W-IG і W-rc) під впливом чинників, що імітують умови роботи в Міжнародному експериментальному термоядерному реакторі (ІТЕР): послідовний вплив нейтронів та атомів перезарядки (розпорошення). Вперше доведено, що рекристалізація W-IG приводить до стабілізації структури його поверхні та, як наслідок, оптичних характеристик. Проведено комплексні дослідження радіяційних перетворень поверхні, що уможливили з’ясувати фізичні механізми її ерозії під впливом чинників ІТЕР і побудувати моделі шерсткости поверхні. Вперше обґрунтовано модель співіснування двох типів шерсткости на поверхні W-IG та її модифікування при рекристалізації.
The paper presents experimental study of surface-structure modification and optical-properties’ change of two types of tungsten (W-IG and W-rc) under impact of factors imitating operating conditions in International Thermonuclear Experimental Reactor (ITER): successive impact of neutrons and recharge atoms (sputtering). For the first time, the fact is determined that the W-IG recrystallization leads to stabilization of both surface structure and, as a result, optical properties. The comprehensive study of radiation-induced transformations of the surface reveals physical mechanisms of its erosion under the ITER factors and results in creation of the roughness model. For the first time, a model of coexistence of two types of roughness on the W-IG surface and its transformations under recrystallization is grounded.
|
| first_indexed | 2025-11-30T21:53:37Z |
| format | Article |
| fulltext |
1077
МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОВЕРХНОСТИ И ПЛЁНКИ
PACS numbers:07.60.Hv, 68.35.Ct,68.37.Hk,78.20.Ci,81.10.Jt,81.40.Tv, 81.70.Fy
Роль рекристаллизации вольфрама в формировании
шероховатости его поверхности под влиянием
последовательного воздействия нейтронов и распыления
A. И. Беляева
*, A. A. Галуза
*,**, И. В. Koленов**,***, A. A. Савченко
*
*Национальный технический университет
«Харьковский политехнический институт»,
ул. Кирпичёва, 21,
61002 Харьков, Украина
**Институт электрофизики и радиационных технологий НАН Украины,
ул. Чернышевского, 28,
61002 Харьков, Украина
***Институт радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова НАН Украины,
ул. Академика Проскуры, 12,
61085 Харьков, Украина
Экспериментально изучена модификация структуры поверхности и изме-
нение оптических свойств двух типов вольфрама (W-IG и W-rc) при воз-
действии факторов, имитирующих условия работы в Международном
экспериментальном термоядерном реакторе (ИТЭР): последовательное
воздействие нейтронов и атомов перезарядки (распыление). Впервые до-
казано, что рекристаллизация W-IG приводит к стабилизации структуры
его поверхности и, как следствие, оптических характеристик. Проведён-
ные комплексные исследования радиационных превращений поверхно-
Corresponding author: Alla Ivanivna Belyaeva
E-mail: aibelyaeva@mail.ru
*National Technical University ‘Kharkiv Polytechnic Institute’,
21 Kyrpychov Str., 61002 Kharkiv, Ukraine
**Institute of Electrophysics and Radiation Technologies, N.A.S. of Ukraine,
28 Chernyshevsky Str., 61002 Kharkiv, Ukraine
***O. Ya. Usikov Institute for Radiophysics and Electronics, N.A.S. of Ukraine,
12 Academician Proskura Str., 61085 Kharkiv, Ukraine
Please cite this article as: A. I. Belyaeva, O. A. Galuza, I. V. Kolenov, and
A. O. Savchenko, Role of Recrystallization of Tungsten in Formation of a Roughness
of Its Surface Under Influence of Successive Action of Neutrons and Sputtering,
Metallofiz. Noveishie Tekhnol., 38, No. 8: 1077—1102 (2016),
DOI: 10.15407/mfint.38.08.1077.
Металлофиз. новейшие технол. / Metallofiz. Noveishie Tekhnol.
2016, т. 38, № 8, сс. 1077—1102 / DOI: 10.15407/mfint.38.08.1077
Оттиски доступны непосредственно от издателя
Фотокопирование разрешено только
в соответствии с лицензией
2016 ИМФ (Институт металлофизики
им. Г. В. Курдюмова НАН Украины)
Напечатано в Украине.
1078 A. И. БЕЛЯЕВА, A. A. ГАЛУЗА, И. В. KOЛЕНОВ, A. A. САВЧЕНКО
сти позволили выяснить физические механизмы её эрозии под влиянием
факторов ИТЭР и построить модели шероховатой поверхности. Впервые
обоснована модель сосуществования двух типов шероховатости на по-
верхности W-IG и её модификации при рекристаллизации.
Ключевые слова: вольфрам, W-rc, W-IG, ИТЭР, рекристаллизация,
нейтроны, атомы перезарядки, распыление, поверхность.
Експериментально досліджено модифікування структури поверхні та
зміну оптичних властивостей двох типів вольфраму (W-IG і W-rc) під
впливом чинників, що імітують умови роботи в Міжнародному експери-
ментальному термоядерному реакторі (ІТЕР): послідовний вплив нейтро-
нів та атомів перезарядки (розпорошення). Вперше доведено, що рекрис-
талізація W-IG приводить до стабілізації структури його поверхні та, як
наслідок, оптичних характеристик. Проведено комплексні дослідження
радіяційних перетворень поверхні, що уможливили з’ясувати фізичні
механізми її ерозії під впливом чинників ІТЕР і побудувати моделі шерс-
ткости поверхні. Вперше обґрунтовано модель співіснування двох типів
шерсткости на поверхні W-IG та її модифікування при рекристалізації.
Ключові слова: вольфрам, W-rc, W-IG, ІТЕР, рекристалізація, нейтрони,
атоми перезарядки, розпорошення, поверхня.
The paper presents experimental study of surface-structure modification and
optical-properties’ change of two types of tungsten (W-IG and W-rc) under
impact of factors imitating operating conditions in International Thermonu-
clear Experimental Reactor (ITER): successive impact of neutrons and re-
charge atoms (sputtering). For the first time, the fact is determined that the
W-IG recrystallization leads to stabilization of both surface structure and, as
a result, optical properties. The comprehensive study of radiation-induced
transformations of the surface reveals physical mechanisms of its erosion
under the ITER factors and results in creation of the roughness model. For
the first time, a model of coexistence of two types of roughness on the W-IG
surface and its transformations under recrystallization is grounded.
Key words: tungsten, W-rc, W-IG, ITER, recrystallization, neutrons, re-
charge atoms (sputtering), surface.
(Получено 20 июля 2016 г.)
1. ВВЕДЕНИЕ
В рабочем режиме контроль над параметрами плазмы в ИТЕР будет
осуществляться с помощью оптических и лазерных методов (в ши-
роком диапазоне электромагнитного излучения), все оптические
схемы которых должны быть построены на металлических зерка-
лах. Основная роль в системе оптической диагностики плазмы при-
надлежит первым зеркалам (ПЗ), задача которых состоит в переда-
че электромагнитного излучения от плазмы в анализирующую
часть системы диагностики. Так как ПЗ будут размещены в реакто-
РОЛЬ РЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ W В ШЕРОХОВАТОСТИ ЕГО ПОВЕРХНОСТИ 1079
ре в прямой видимости плазмы, они окажутся в тех же условиях,
что и первая стенка вакуумной камеры и будут принимать на себя
поток всех видов излучения плазмы – корпускулярного, электро-
магнитного и нейтронного. Суть проблемы ПЗ состоит в том, что в
результате длительного воздействия термоядерной плазмы и ряда
эксплуатационных операций в установках токамак будет происхо-
дить деградация его оптических характеристик и в первую очередь
коэффициента зеркального отражения – главной рабочей характе-
ристики.
Помимо электромагнитного и нейтронного излучения, обращён-
ные к плазме зеркала будут подвержены бомбардировке нейтраль-
ными атомами дейтерия и трития, образующимися в плазме в ре-
зультате процессов перезарядки быстрых ионов плазмы («атомами
перезарядки»). Атомы перезарядки (АП) имеют широкий энерге-
тический спектр (10—103
эВ), что более чем на порядок превышает
энергию связи атомов любого материала. Поэтому будет происхо-
дить распыление поверхности ПЗ, что может привести к увеличе-
нию её шероховатости и доли рассеянного отражения, с чем связано
снижение коэффициента зеркального отражения.
Для понимания природы влияния экстремальных условий ИТЭР
на рабочие характеристики ПЗ и определения тех, которые нужно
оптимизировать для продления срока его службы, необходимо изу-
чить влияние вредных факторов на работу ПЗ в условиях, имити-
рующих работу ИТЭР, и провести анализ экспериментальных ре-
зультатов, полученных в лаборатории.
Вольфрам – тугоплавкий материал с высокой точкой плавления
(3680 К). Хорошее сопротивление эрозии и термостойкость, малый
коэффициент термического расширения, очень высокий порог рас-
пыления под действием частиц плазмы и малый захват трития де-
лает его перспективным для внутрикорпусных элементов ITER и
DEMO, особенно для тех их частей, где энергия ионов водорода и
дейтерия больше порога распыления.
В настоящее время в качестве материала для внутрикорпусных
элементов ИТЭР рассматриваются специально разработанный
ITER-grade вольфрам (W-IG), в рекристаллизованном состоянии
(W-rc), сплавы на основе вольфрама: W—Re, W—Ti, W—V и т.д.
Настоящая работа является обобщением и продолжением наших
предыдущих исследований [1, 2]. Изучены основные закономерно-
сти эрозии и эволюции структуры поверхности образцов вольфра-
мовых ПЗ при воздействии факторов, имитирующих условия рабо-
ты в ИТЭР: исследуется влияние последовательного воздействия
нейтронного облучения и АП-плазмы на рельеф поверхности и оп-
тические характеристики наиболее перспективных кандидатов для
ПЗ – W-IG и рекристаллизованного (W-rc) W-IG. Впервые прове-
дён сравнительный анализ, построены физические модели шерохо-
1080 A. И. БЕЛЯЕВА, A. A. ГАЛУЗА, И. В. KOЛЕНОВ, A. A. САВЧЕНКО
ватой поверхности и определена роль рекристаллизации в её фор-
мировании.
2. ОБРАЗЦЫ И МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
Исследованы образцы ПЗ из вольфрама двух типов.
Первый тип, – W-IG, – материал, модифицированный с целью
обеспечения требований конструкций реактора [3]. Вольфрамовая
пластина чистотой 99,99% и теоретической плотностью 99,7% была
изготовлена по специальной технологии компанией A.L.M.T. Corp.
(Япония) [4]. Прут поликристаллического вольфрама подвергался
ковке в радиальном направлении (рис. 1, а) и отжигался 1 час при
1000C для снятия механического напряжения, полученного во
время деформации. В результате такой обработки зёрна вытянуты
Рис. 1. Схема технологического процесса и результирующая структура
зёрен вольфрамового прута: прут до (а) и после (б) ковки в радиальном
направлении; структура зёрен – перпендикулярно (в) и параллельно (г)
оси прута [3].
Fig. 1. Processing flow scheme and final grain structure of the tungsten rod:
the rod before (а) and after (б) radial forging; grain structure–perpendicular
(в) and parallel (г) to the rod axis [3].
РОЛЬ РЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ W В ШЕРОХОВАТОСТИ ЕГО ПОВЕРХНОСТИ 1081
перпендикулярно направлению деформации (рис. 1, б). На рисунках
1, в, г приведены фото поверхности вдоль и поперёк оси цилиндра,
соответственно. Микроструктура W-IG состоит из кристаллитов,
ориентация которых связана с осью деформации при изготовлении и
представляет собой зёрна, вытянутые вдоль оси деформации. Размер
зёрен составляет 1—3 мкм в ширину и до 5 мкм в длину.
Технология получения W-IG позволяет добиться высокой тепло-
проводности в направлении нормали к поверхности. Для W-IG с
зёрнами, вытянутыми перпендикулярно поверхности, теплопро-
водность выше, а удержание водорода в 2—10 раз больше, чем для
материала с зёрнами в плоскости поверхности [5]. Вольфрам имеет
ОЦК-решётку. При радиальном сжатии металлы с решёткой такого
типа приобретают две преимущественные ориентации – [100] и
[110] [6]. Таким образом, появляется текстура деформации, которая
определяется технологией изготовления ITER-grade вольфрама.
Второй тип вольфрама (W-rc) получен рекристаллизацией W-IG
вольфрама путём отжига при 2073 К на протяжении 1 часа.
Пластины W-IG и W-rc разрезались на образцы размером
10102 мм
3, которые полировались с двух сторон механически и
электрохимически до высокого оптического качества поверхности.
Образцы вырезались вдоль оси цилиндра – в направлении тексту-
ры (рис. 1, б, г).
Для моделирования нейтронного облучения в ИТЭР образцы W-
IG и W-rc облучались ионами W
6
с энергией 20 МэВ до дозы 3,0 сна
(self-damaged W). Максимум повреждения находится на глубине
1,35 мкм, средняя глубина проникновения W-ионов составила
2,2 мкм. Результат расчёта профиля глубины повреждения при-
ведён в работе [1]. Обратная сторона образцов не подвергалась облу-
чению ионами W
6
и использовалась, как контрольная, при после-
дующих распылениях ионами Ar с энергией 600 эВ, имитирующих
распыление атомами перезарядки. Таким образом, для исследова-
ния было подготовлено два образца из вольфрама различных типов.
Образцы зеркал были подвержены серии распылений на уста-
новке ДСМ-2 [7]. Перед началом распыления ионами Ar обе сторо-
ны образцов вольфрама подвергались стандартной процедуре уда-
ления органических загрязнений [1]. Измеренный после такой
процедуры коэффициент отражения принимается за начальное
значение. Из-за малой скорости распыления вольфрама ионами во-
дорода и дейтерия для сокращения длительности эксперимента ис-
пользовались ионы Ar
с энергией 600 эВ.
После чистки обе стороны каждого образца были распылены
ионами Ar 600 эВ в 7 этапов с постепенным накоплением флюенса
ионов. Значения суммарного флюенса ионов Ar после каждого эта-
па распыления приведены в [1]. В настоящем исследовании обсуж-
даются результаты для первого F1 (флюенс 0,231023
ион/м
2) и по-
1082 A. И. БЕЛЯЕВА, A. A. ГАЛУЗА, И. В. KOЛЕНОВ, A. A. САВЧЕНКО
следнего F7 (накопленный флюенс 6,51023
ион/м
2) распылений.
Сначала распылялась контрольная сторона образца, затем образец
переворачивали, и в идентичных условиях распылялась облучён-
ная сторона (3 сна). Толщина распылённого слоя после последнего
распыления составила 3,9 мкм, что примерно в два раза превышает
среднюю глубину проникновения ионов W
6.
После чистки и каждого этапа распыления поверхность образца
анализировалась с помощью оптической микроскопии и интерфе-
рометрии.
Для исследования рельефа поверхности использовался микроин-
терферометрический комплекс на базе микроинтерферометра
МИИ-4 [8, 9] и многофункциональный оптический комплекс [10,
11]. Поверхность более детально изучалась с помощью атомно-
силовой микроскопии (АСМ – C3M Solver P47-PRO), сканирующей
электронной микроскопии (SEM) с EBSD-анализом – JSM 6390LV
(JEOL Ltd Japan) и конфокальной лазерной сканирующей микро-
скопии (CLSM; Olympus LEXT OSL4000).
3. ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ ВОЗДЕЙСТВИЕ НЕЙТРОНОВ
И АТОМОВ ПЕРЕЗАРЯДКИ НА СТРУКТУРУ И ОПТИЧЕСКИЕ
СВОЙСТВА ОБРАЗЦОВ ЗЕРКАЛ W-IG И W-rc
3.1. ITER-grade вольфрам – W-IG
3.1.1. Структура поверхности
Детальное изучение структуры поверхности образца W-IG, исход-
ной и облучённой до 3 сна, до распыления плазмой, полученные с
помощью микроинтерферометрического комплекса, показало, что
обе поверхности гладкие, о чём свидетельствуют параллельные по-
лосы на интерференционных картинах [2]. При этом картины каче-
ственно не отличаются для исходной поверхности и для предвари-
тельно обработанной ионами W
6
дозой 3 сна; скорость распыления
одинакова для исходных и self-damaged образцов W-IG.
Более детально особенности появившейся в результате распыле-
ния шероховатости изучены с помощью АСМ (рис. 2). На профиле
наблюдается два типа шероховатости: мелкомасштабная (Rмz 100
нм) и крупномасштабная (Rкz 2 мкм). Для выяснения природы
появления 2-х типов шероховатости проведены дополнительные
CLSM- и EBSD-исследования.
Преимущественные направления рельефа хорошо заметны на
рис. 3. Данные EBSD (рис. 3, а) показали, что некоторые области
одинакового цвета имеют размеры десятки микрон и направлены из
верхнего левого к нижнему правому углу рисунка. Идентичность
цвета означает, что ориентации зёрен внутри такой области (их
РОЛЬ РЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ W В ШЕРОХОВАТОСТИ ЕГО ПОВЕРХНОСТИ 1083
можно назвать «конгломераты») близки друг к другу. Из анализа
рис. 3 можно сделать вывод: если отклонение ориентации зёрен по-
ликристаллического W-IG от данного кристаллографического
направления не превышает 9, то коэффициент их распыления
будет таким, как для зёрен, точно ориентированных вдоль данной
оси. Каждая группа зёрен (конгломерат) обозначена на рис. 3, а
определённым цветом. Мелкомасштабная шероховатость наблюда-
ется внутри конгломерата.
Конгломераты создают анизотропную субструктуру материала с
группами различных размеров и образуют поверхностную шерохо-
ватость с большим периодом. Среднее расстояние между такими
группами определяет величину крупномасштабной неоднородности.
Такой рельеф поверхности принципиально отличается от релье-
фа обычных поликристаллических образцов, распылённых в ана-
логичных условиях [12], и является следствием сложной техноло-
гии изготовления W-IG. Период неоднородности различен в разных
Рис. 2. Структура поверхности образца W-IG после распыления слоя тол-
щиной 3,9 мкм (данные АСМ) (а) и её профиль (б).
Fig. 2. The structure of the W-IG sample surface after sputtering 3.9 m
layer (AFM data) (а) and its profile (б).
1084 A. И. БЕЛЯЕВА, A. A. ГАЛУЗА, И. В. KOЛЕНОВ, A. A. САВЧЕНКО
направлениях и составляет 30 мкм и 130 мкм по горизонтали и
вертикали, соответственно (рис. 3, б).
Таким образом, экспериментальное исследование структуры по-
казало, что размеры микроструктурных элементов вольфрама
( 5 мкм длиной и 1—3 мкм шириной) не являются определяющи-
ми для характеристики микрорельефа. Реальный рельеф, развива-
ющийся на поверхности W-IG при распылении, имеет гораздо
бóльшие по величине линейные размеры.
Следует также обратить внимание на то обстоятельство, что на
рис. 3 преобладают чёрные и серые цвета, т.е. направления {100} и
{110}, а белый (направление {111}) практически отсутствует. В этом
проявляется текстура, связанная с различной ориентацией зёрен
поликристаллического вольфрама, появившаяся в результате ме-
ханической обработки при создании W-IG [6]. Образование предпо-
чтительных ориентировок в процессе пластической деформации
тесно связано как с характером напряжённого и деформированного
состояния, так и с изменениями структуры металла, происходя-
щими в процессе обработки давлением. Текстуру вольфрама по
данным ряда исследований можно описать ориентировкой {001}
(110) [6]. Рассеяние при степени деформации 96% составляет 12
вокруг направления прокатки и 7 вокруг поперечного направле-
ния. Анализ полученных текстур может дать сведения о механизме
Рис. 3. Поверхность образца W-IG: участок 9090 мкм
2
(данные EBSD),
ориентация зёрен перпендикулярно поверхности определяется цветовой
кодировкой (вставка слева) (а); 2D-результаты CLSM-измерений после
распыления ионами Ar (F7 6,51023
ион/м
2). Размер изображения –
11001100 мкм
2. Для определения высоты зёрен справа приведена шкала
высот (б).
Fig. 3. W-IG sample surface: 9090 m2
fragment (EBSD data), grains orien-
tation is perpendicular to the surface and determined by colour codes (left in-
set) (а); 2D CLSM results after sputtering by Ar ions (F7 6.51023
ion/m2).
The image size is 11001100 m2. The scale is given for grains height deter-
mining (б).
РОЛЬ РЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ W В ШЕРОХОВАТОСТИ ЕГО ПОВЕРХНОСТИ 1085
пластической деформации, поскольку тип текстуры в значительной
степени определяется тем, по каким кристаллографическим плос-
костям и направлениям происходит скольжение. Следовательно,
можно сделать вывод на основании анализа текстур, что основной
плоскостью скольжения для вольфрама является плоскость {112}.
Поскольку W-IG планируется использовать в качестве материала
для ПЗ, первоочередной задачей становится исследование влияние
анизотропного рельефа поверхности, развитого в результате воз-
действия факторов ИТЭР, на её оптические характеристики.
3.1.2. Оптические свойства
Измерения коэффициента зеркального отражения R() при нор-
мальном падении выполнялись после каждой бомбардировки об-
разцов ионам Ar-плазмы. В исходном состоянии (после чистки)
спектры отражения качественно и количественно хорошо совпада-
ют со справочными. На рисунке 4 приведены коэффициенты зер-
кального отражения облучённой (3 сна) ионами вольфрама и исход-
ной (необлучённой) сторон образца W-IG в зависимости от флюенса
(во всем спектральном диапазоне зависимости качественно совпа-
Рис. 4. Зависимость коэффициента отражения при нормальном падении
волн с длиной 600 нм от флюенса необлучённой (0 сна – ○) и облучённой
(3 сна – ●) сторон образца W-IG.
Fig. 4. Dependence of normal reflection coefficient at 600 nm wavelength up-
on fluence for non-irradiated (0 dpa–○) and irradiated (3 dpa–●) sides of the
W-IG sample.
1086 A. И. БЕЛЯЕВА, A. A. ГАЛУЗА, И. В. KOЛЕНОВ, A. A. САВЧЕНКО
дают, приведено для 600 нм). Из рисунка 4 видно, что нет ни ка-
чественного, ни количественного различия между скоростями рас-
пыления для двух сторон образца. Коэффициент отражения R()
быстро уменьшается с накоплением флюенса, что обусловлено раз-
витием шероховатости.
Эллипсометрические параметры (в большей степени) и оказа-
лись одинаково чувствительными как к дозе предварительного об-
лучения, так и к флюенсу [1]. Это также связано с развитием шеро-
ховатости, которая появилась в результате предварительного облу-
чения и растёт с увеличением флюенса. По данным спектроэллип-
сометрии для зависимость существенно бóльшая, как от дозы
предварительного облучения, так и от флюенса [1]. Последнее об-
стоятельство позволяет считать, что шероховатый слой, который
ответственен за экспериментально обнаруженные особенности пове-
дения эллипсометрических параметров, можно моделировать как
искажённый слой (плёнка), который образуется на образце воль-
фрама в результате предварительного облучения ионами вольфра-
ма, а толщина его зависит от дозы этого облучения. Естественно, что
при этом должна преимущественно изменяться фаза, т.е. эллипсо-
метрический параметр , что и наблюдается экспериментально [1].
3.1.3. Модель шероховатой поверхности W-IG
Из анализа экспериментальных результатов следует модель, осно-
ванная на известных способах описания шероховатого слоя, в рам-
ках которой можно понять влияние предварительного облучения
ионами вольфрама на характеристики поверхности изученных об-
разцов.
На рисунке 5 показана модель поверхности исследованных об-
разцов. Наличие микроскопической шероховатости учтено в рам-
ках модели эффективной среды Бруггемана [13] – BEMA (Brug-
geman Effective Media Approximation), когда шероховатый слой за-
Рис. 5. Модель поверхности. Шероховатый слой заменён эффективной од-
нородной плёнкой.
Fig. 5. The surface model. The rough layer is substituted by an effective ho-
mogeneous film.
РОЛЬ РЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ W В ШЕРОХОВАТОСТИ ЕГО ПОВЕРХНОСТИ 1087
меняется эффективной однородной плёнкой, представляющей со-
бой смесь материала подложки и окружающей среды (воздух—
пустота).
В этом случае комплексный показатель преломления N n ik
эффективной среды может быть найден из соотношения [14, 15]:
2 2 2 2( ) / ( 2 ) 0, 1,j jj j
j j
v N N N N v (1)
где vj – объёмная доля j-ой компоненты, Nj n ik – её комплекс-
ный показатель преломления. Оптические константы (n, k) матери-
ала подложки (W) взяты из справочника [16]. Параметры плёнки
(доля материала подложки vs и эффективная толщина плёнки df)
определялись из эллипсометрических измерений (() и () для
633 нм) путём минимизации среднеквадратичной ошибки ()
аппроксимации экспериментальных данных модельными:
exp expcalc 2 calc 2 1/2
1
( [( ) ( ) ]) / ,
M
i ii i
i
M
(2)
где
exp
i и
exp
i – экспериментальные значения эллипсометриче-
ских параметров, а
calc
i и
calc
i – вычисленные в выбранной моде-
ли; M – количество углов падения, при которых выполнялись из-
мерения. Значение служит количественной мерой при сравнении
моделей. Параметры плёнки на разных стадиях воздействия приве-
дены в табл. 1. Во всех случаях получена достаточно высокая точ-
ность аппроксимации ( 1), что свидетельствует об адекватности
ТАБЛИЦА 1. Параметры плёнки ( 633 нм) на разных стадиях воздей-
ствия для необлучённой (0 сна) и облучённой (3 сна) сторон образца W-IG:
vs – объёмная доля подложки в плёнке, df – толщина плёнки, n и k – по-
казатель преломления и коэффициент поглощения материала подложки
(W) [16] соответственно, R – коэффициент отражения, – среднеквадра-
тичная ошибка.
TABLE 1. Parameters of the film ( 633 nm) at different stages of treatment
for non-irradiated (0 dpa) and irradiated (3 dpa) sides of W-IG specimen: vs is
the volume fraction of the substrate in the film, df is the film thickness, n and
k are optical constants of the substrate (W) [16], R is reflection coefficient,
is the mean-square error.
Доза об-
лучения
Стадия воздействия.
Флюенс 10
23, ион/м
2
(F7)
vs, % df, нм n k R, %
0 сна
после чистки 43 5 1,95 0,76 50,4 0,28
F7 6,5 60 2 2,4 1,31 51,1 0,92
3 сна
после чистки 86 1 3,18 2,33 51,5 0,67
F7 6,5 38 10 1,82 0,62 48,9 0,95
1088 A. И. БЕЛЯЕВА, A. A. ГАЛУЗА, И. В. KOЛЕНОВ, A. A. САВЧЕНКО
построенной модели.
На рисунках 6, а—г показаны зависимости параметров плёнки
Рис. 6. Параметры модели поверхности облучённой (3 сна) и необлучённой
(0 сна) сторон образца W-IG в зависимости от флюенса: толщина плёнки
(а), объёмная доля подложки в плёнке (б), результаты распыления (тол-
щина плёнки и её плотность) (в) и коэффициент отражения ( 633 нм)
(сплошными линиями показаны линейные тренды соответствующих па-
раметров) (г), уточнённая модель поверхности образца W-IG с шерохова-
тыми структурами двух масштабов (д).
Fig. 6. Parameters of the surface model of the irradiated (3 dpa) and non-
irradiated (0 dpa) sides of W-IG sample depending on the fluence: the film
thickness (а), volume fraction of the substrate in the film (б), sputtering re-
sults (the film thickness and density) (в) and reflection coefficient ( 633 nm)
(solid lines indicate linear trends of the corresponding parameters) (г), refined
model of the W-IG sample surface with two-scale roughness (д).
РОЛЬ РЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ W В ШЕРОХОВАТОСТИ ЕГО ПОВЕРХНОСТИ 1089
(толщина df и процент материала подложки vs) и расчётного значе-
ния коэффициента отражения R от флюенса. Для выяснения трен-
дов каждой из зависимостей были построены их линейные аппрок-
симации.
Эффективная толщина плёнки df (рис. 6, а, в) остаётся постоян-
ной для необлучённой стороны образца и быстро возрастает для об-
лучённой.
Из рисунка 6, б следует, что процент материала подложки vs па-
дает, а значит «рыхлость» плёнки (доля пустот) возрастает с ростом
флюенса (рис. 6, в). При этом предварительно облучённая сторона
образца «рыхлится» значительно быстрее.
Дополнительно проведённые исследования показали, что в по-
следнем случае скорость этого возрастания сильно зависит от дозы
предварительного облучения (возрастание тем большее, чем больше
эта доза). На рисунке 6, г показана зависимость коэффициента зер-
кального отражения R, рассчитанного по эллипсометрическим
данным для модели, приведённой на рис. 6, д: коэффициент отра-
жения предварительно необлучённого образца с ростом флюенса не
меняется, а для облучённых – монотонно убывает.
Из анализа рисунков 6, а—г следует, что поведение облучённой и
необлучённой поверхностей качественно отличаются: параметры
необлучённой поверхности практически не меняются с ростом
флюенса, тогда как на предварительно облучённой поверхности
растёт плёнка, плотность которой уменьшается с ростом флюенса
(рис. 6, в).
В рамках принятой модели рассмотрение шероховатой поверхно-
сти проведено с заменой реального шероховатого слоя эффектив-
ным неоднородным слоем. В таком приближении с увеличением
размера шероховатости металлической поверхности коэффициент
отражения должен понижаться [17]. Этот результат наблюдается
экспериментально, что ещё раз свидетельствует в пользу адекват-
ности принятой модели.
На рисунке 7 приведено сравнение коэффициента отражения,
полученного из расчёта по данным эллипсометрии и из прямых из-
мерений в зависимости от флюенса для образца W-IG (3 сна) на
длине волны 633 нм. Поскольку толщина плёнки очень невелика
( 10 нм, см. рис. 6, а), то с точки зрения эллипсометрии речь идёт,
фактически, о чистой поверхности, а модельная плёнка – неболь-
шая поправка, которая не может быть связана с той значительной
шероховатостью, которая наблюдается с помощью микроскопии и
микроинтерферометрии.
Эта особенность, а также тот факт, что рассчитанная в модели за-
висимость коэффициента отражения от флюенса значительно отли-
чается от экспериментально полученной с помощью рефлектомет-
рии при нормальном падении (рис. 7), означают, что эллипсомет-
1090 A. И. БЕЛЯЕВА, A. A. ГАЛУЗА, И. В. KOЛЕНОВ, A. A. САВЧЕНКО
рия «не видит» ту шероховатость, которая хорошо видна на микро-
фотографиях, и которая даёт рассеяние и, соответственно, падение
отражения. Этот эффект нами ранее обсуждался и связан с принци-
пиальным различием физических процессов, лежащих в основе
этих двух методик [18, 19]. Этот результат означает, что на поверх-
ности формируются шероховатые структуры двух масштабов –
микро- и наношероховатость (см. рис. 6, д). Развитие шероховато-
сти микронных размеров не зависит от предварительного облуче-
ния ионами вольфрама и определяется только распылением, в
частности, она связана с различным коэффициентом распыления
для зёрен различной кристаллографической ориентации. Наноше-
роховатость, имеющая размер много меньший длины волны види-
мого света, может быть связана с образованием дефектов вблизи по-
верхности образца при имитации воздействия нейтронов (для self-
damaged образца).
Размер микрошероховатости значительно превосходит длину
волны видимого света, что дает значительное рассеяние в этом
спектральном диапазоне и, следовательно, хорошо фиксируется
рефлектометрией, но для эллипсометрии остаётся невидимым. И
Рис. 7. Коэффициент отражения, полученный из расчёта по данным эл-
липсометрии (□ – погрешность в пределах точки) и из прямых измерений
(●) в зависимости от флюенса для образца W-IG (3 сна) на длине волны
633 нм.
Fig. 7. Dependences of reflection coefficient at 633 nm calculated from ellip-
sometric data (□–error is within the square) and directly measured (●) upon
fluence for W-IG (3 dpa) sample.
РОЛЬ РЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ W В ШЕРОХОВАТОСТИ ЕГО ПОВЕРХНОСТИ 1091
наоборот, нанометровая шероховатость практически не рассеивает
свет видимого диапазона, но формирует на поверхности тонкий
нарушенный слой, который хорошо «видит» эллипсометрия, но для
рефлектометрии его вклад пренебрежимо мал.
Известно, что вольфрам очень устойчив к окислению. Для созда-
ния на поверхности вольфрама окисного слоя наноразмерной тол-
щины необходим нагрев свыше 500C. Для окисления же «рыхло-
го» наноструктурированного вольфрама нагрев не нужен, окисле-
ние происходит достаточно эффективно при нормальной темпера-
туре [20]. Принятая модель нашей плёнки может быть аналогом
этого случая. В связи с тем, что оптические характеристики образ-
цов исследовались ex-situ, есть основание считать, что определён-
ная нами плёнка и есть тот окисный слой, который образуется на
поверхности образца после каждого распыления. При этом для
предварительно необлучённых образцов толщина этого слоя по ве-
личине выходит за пределы чувствительности нашей эллипсомет-
рической методики и поэтому не влияет на результаты измерений
эллипсометрических параметров.
В случае же предварительно облучённых образцов поверхность
оказывается более рыхлой, и окисление идёт более интенсивно. В
результате формируется более толстый окисный слой, который и
«видит» эллипсометрия. А поскольку класс шероховатости поверх-
ности понижается с увеличением флюенса [2], не удивительно, что
толщина искажённого слоя растёт, а коэффициент отражения пада-
ет. Таким образом, эллипсометрия «видит» распределение неодно-
родностей, как по толщине образца, так и по площади его поверхно-
сти.
3.2. Рекристаллизованный ITER-grade вольфрам – W-rc
3.2.1. Структура поверхности
На рисунках 8, а—г приведены интерференционные картины облу-
чённой ионами W
6
стороны образца и необлучённой после чистки и
распыления. Поверхность облучённых ионами W
6
(3 сна) и необлу-
чённых образцов (0 сна) абсолютно гладкая: внутри каждого зерна
интерференционные полосы остаются параллельными. Размер зё-
рен составляет 10—100 мкм. Можно заметить резкий сдвиг интер-
ференционных полос на границах некоторых зёрен (отмечен стрел-
ками на рис. 8, в, г), что свидетельствует о развитии ступенчатой
структуры поверхности и типично для поликристаллических мате-
риалов, подвергающихся длительному распылению [18, 19]. Дан-
ные изменения одинаковы для обеих сторон образца (необлучённая
сторона (рис. 8, а, в) и предварительно облучённая ионами воль-
фрама до дозы 3 сна (рис. 8, б, г)).
1092 A. И. БЕЛЯЕВА, A. A. ГАЛУЗА, И. В. KOЛЕНОВ, A. A. САВЧЕНКО
На рисунке 9, а приведена область поверхности размером
0,640,64 мм
2
со шкалой высот. За нулевой уровень приняты зёрна
серого цвета. Наибольший перепад высот между соседними зёрнами
составляет h 1,5 мкм. Однако, наряду с такими большими отли-
чиями по уровню высоты между зёрнами, имеющими большое раз-
личие в ориентации, существует много небольших ступенек, высо-
той менее 100 нм (в основном до 20 нм), между соседними зёрнами с
небольшой разницей ориентаций, где преобладают зёрна различ-
ных оттенков из середины цветовой шкалы. На рисунке 9, б приве-
дено SEM-изображение участка поверхности, отмеченного пункти-
ром на рис. 9, а, внутри которого преобладает серый цвет. По CLSM-
Рис. 8. Интерференционные картины поверхности образца рекристаллизо-
ванного W-rc: необлучённая сторона (0 сна) (а, в), облучённая сторона
(3 сна) (б, г); после чистки и флюенса ионов Ar – F1 (а и б), F7 (в и г). Стрел-
ки указывают на сдвиги интерференционных полос на границах зёрен.
Fig. 8. Interference patterns of the recrystallized W-rc sample surface: non-
irradiated (0 dpa) side (а, в), irradiated (3 dpa) side (б, г); after cleaning and
Ar ions fluence – F1 (а and б); F7 (в and г). The arrows indicate interference
fringes shifts at the grains boundaries.
РОЛЬ РЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ W В ШЕРОХОВАТОСТИ ЕГО ПОВЕРХНОСТИ 1093
данным можно сказать, что это одно зерно, однако из SEM-
изображения данного участка видно, что это несколько гранича-
щих зёрен. Поскольку на CLSM-карте они имеют одинаковый цвет,
они находятся на одинаковой высоте, и ступенек между ними нет.
Таких зёрен большинство.
3.2.2. Оптические свойства
На рисунке 10 дана зависимость коэффициента отражения при
нормальном падении от флюенса для необлучённой (0 сна) и облу-
чённой (3 сна) сторон образца W-rc. Поскольку во всем видимом
спектре зависимость одинакова, приведён график для 600 нм.
Очевидно, что образцы зеркал W-rc, предварительно подвергнутые
облучению ионами W
6
до дозы 3 сна, что типично для ИТЭР, при
распылении ионами Ar 600 эВ ведут себя аналогично образцам без
предварительного облучения. Это означает, что результат последо-
вательного воздействия нейтронов и АП на вольфрамовые ПЗ сво-
дится к воздействию только АП. Распыление слоя толщиной
3,9 мкм привело к изменению коэффициента отражения на 2%
во всем спектральном диапазоне, так как, несмотря на процесс рас-
пыления, в рамках отдельно взятых зёрен рельеф не развивается.
Согласно эллипсометрии, на поверхности W-rc, предварительно
Рис. 9. CLSM-данные (а) для поверхности образца, облучённого до дозы
3,0 сна, после воздействия флюенса F7 6,451023
ион/м
2
(размер изобра-
жения: 0,640,64 мм
2), приведена шкала высот; SEM-фото (б) участка по-
верхности, выделенного пунктиром на рис. 9, а.
Fig. 9. CLSM data (а) for the surface of the irradiated up to 3.0 dpa sample
after impact of F7 6.451023
ion/m2
fluence (the image size is 0.640.64
mm2), scale is given for grains height determining; SEM image (б) of the sur-
face fragment outlined with a dotted line at Fig. 9, а.
1094 A. И. БЕЛЯЕВА, A. A. ГАЛУЗА, И. В. KOЛЕНОВ, A. A. САВЧЕНКО
облучённого ионами W
6
с энергией 20 МэВ, после распыления
ионами аргона не появился приповерхностный слой, который зна-
чительно бы изменил оптические свойства ПЗ.
Проведём сравнительный анализ результатов исследования вли-
яния последовательного воздействия нейтронов и АП на образцы
зеркал двух типов вольфрама: W-IG и W-rc.
4. СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ РЕЗУЛЬТАТОВ
ИССЛЕДОВАНИЯ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ
НЕЙТРОНОВ И АП НА ОБРАЗЦЫ ЗЕРКАЛ W-rc И W-IG
Распыление образцов зеркал плазмой Ar производилось в семь эта-
пов. Для обеих сторон общая толщина распылённого слоя составила
3,9 мкм. Потеря массы линейно зависит от флюенса ионов Ar, но
зависимости ни от предварительного облучения ионами W
6, ни от
типа вольфрама не обнаружено (не показано). В процессе распыле-
ния на поверхности образцов зеркал W наблюдалось развитие рель-
ефа двух различных типов. На поверхности W-IG – рельеф, состо-
ящий из двух видов шероховатости: микромасштабной, связанной с
наличием конгломератов (совокупности близко ориентированных
Рис. 10. Зависимость коэффициента отражения при нормальном падении
от флюенса для необлучённой (0 сна – ○) и облучённой (3 сна – ●) сторон
образца W-rc на длине волны 600 нм.
Fig. 10. Normal reflection coefficient at 600 nm wavelength dependence upon
fluence for non-irradiated (0 dpa–○) and irradiated (3 dpa–●) sides of the
W-rc sample.
РОЛЬ РЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ W В ШЕРОХОВАТОСТИ ЕГО ПОВЕРХНОСТИ 1095
зёрен), и наномасштабной, присутствующей внутри конгломератов.
На поверхности W-rc – ступенчатый рельеф.
Поскольку W-rc изготовлен по технологии ITER-grade с последу-
ющей рекристаллизацией, можно сделать вывод, что процесс ре-
кристаллизации стабилизирует структуру W. Близко ориентиро-
ванные зёрна внутри конгломерата объединяются в одно зерно и,
как следствие, исчезает мелкомасштабная шероховатость, обостря-
ются переходы между зёрнами (рис.11). Причиной появления рель-
ефа на поверхности обоих типов вольфрама является различие в
скорости распыления для зёрен с различной ориентацией (рис. 12).
Скорости распыления различных областей W-IG, состоящих из
близко ориентированных зёрен, отличаются (рис. 12, а). Области, в
которых преобладают зёрна с ориентацией, близкой к [110], имею-
щие высокий коэффициент распыления (чёрные), образуют «доли-
ны», а области, где преобладают зёрна с ориентацией, близкой к
[100], имеющие более низкую скорость распыления (серые), обра-
зуют основную часть «хребтов», «пики» которых соответствуют
зёрнам с ориентацией [111] (белые), имеющие самый низкий коэф-
фициент распыления. «Долины», «хребты» и «пики хребтов» от-
чётливо видны на рис. 12, а. Крупномасштабная шероховатость
наблюдается при переходе от одного конгломерата к другому (от
«долины» к «хребту»).
Для W-rc правая верхняя часть на рисунке 9, а (обведена чёрным
квадратом) была проанализирована более подробно с применением
EBSD (рис. 12, б). Зерно белого цвета, которое имеет ориентацию
[111], возвышается над всеми соседними зёрнами на h в пределах
0,4—1,3 мкм. Ориентации ещё двух соседних зёрен указаны на рис.
12, б (допустимое отклонение 9 от направления): зёрна, окрашен-
ные в различные оттенки серого цвета, имеют ориентацию [100],
Рис. 11. Рельеф поверхности, связанный с различными скоростями рас-
пыления различно ориентированных зёрен, для образцов W-IG (а) и W-rc
(б).
Fig. 11. The surface relief, associated with different sputtering rates of
grains with different orientation, for W-IG (а) and W-rc (б) samples.
1096 A. И. БЕЛЯЕВА, A. A. ГАЛУЗА, И. В. KOЛЕНОВ, A. A. САВЧЕНКО
чёрные – [110]. Качественное сравнение экспериментально обна-
руженных в настоящей работе скоростей распыления для различно
ориентированных зёрен обоих типов вольфрама представлено в
табл. 2.
Таким образом, обнаружено важное отличие в скорости распыле-
ния различно ориентированных зёрен обоих типов вольфрама, ко-
торый относится к металлам с ОЦК-решёткой. Зерно с ориентацией
[111] является наиболее устойчивым к распылению, а зерно с ори-
Рис. 12. 3D-результаты измерений CLSM и EBSD после последнего распы-
ления (F7) для фрагмента (1010 мкм
2) поверхности W-IG (а) и фрагмента
(129129 мкм
2) поверхности W-rc (3 сна) (б). Указана ориентация некото-
рых зёрен (данные EBSD). Указан перепад высот h между соседними зёр-
нами (вставка – шкала высот).
Fig. 12. 3D CLSM and EBSD results after the last sputtering (F7) for 1010
m2
fragment of W-IG surface (а) and 129129 m2
fragment of W-rc surface
(3 dpa) (б). Orientation of some grains is specified (EBSD data). Height differ-
ence h between adjacent grains is indicated (inset represents height scale).
ТАБЛИЦА 2. Сравнение скорости распыления для различно ориентиро-
ванных зёрен W: настоящая работа (эксперимент) и рассчитанные значе-
ния относительной поверхностной энергии hkl/110.
TABLE 2. Comparison of sputtering rates of W grains with different orienta-
tion: current study (experiment) and estimated relative surface energy hkl/110.
Ориентация
Скорость распыления
(наст. работа – эксп.)
hkl/110
[111] низкая 1,025
[100] средняя 1,022
[110] высокая 1
РОЛЬ РЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ W В ШЕРОХОВАТОСТИ ЕГО ПОВЕРХНОСТИ 1097
ентацией [110], которое имеет наиболее плотную упаковку [20],
имеет наибольший коэффициент распыления. Как следует из ре-
зультатов интерферометрии, CLSM и EBSD по измерению разности
уровней высот между соседними зёрнами, разница коэффициента
распыления у [111] и [110] достигает десятков процентов.
Появление ступенчатой структуры поверхности W-rc при распы-
лении связано с различием скоростей распыления для различно
ориентированных зёрен. На рисунке 13 представлена схема, пояс-
няющая данный эффект: появление рельефа в процессе распыления
(рис. 13, а) и рельеф поверхности W-rc после распыления с учётом
ориентации зёрен (рис. 13, б).
Скорость распыления, определяемая как отношение числа выби-
тых атомов к числу ионов, падающих на мишень, является наибо-
лее важным параметром, характеризирующим процесс ионного
распыления. Коэффициенты распыления для монокристаллов, осо-
бенно при высоких энергиях ионов, сильно зависят от ориентации
кристалла относительно пучка ионов. Ионы проникают в решётку
мишени наиболее глубоко тогда, когда направление пучка соответ-
ствует меньшей плотности проекции узлов кристаллической ре-
шётки на плоскость, перпендикулярную данному направлению. В
результате увеличения глубины проникновения ионов эффектив-
ность их захвата решёткой возрастает, а коэффициент распыления
– уменьшается.
Вольфрам обладает объёмно-центрированной кубической решёт-
кой (не является структурой с плотнейшей упаковкой), имеет отно-
сительную плотность упаковки 0,68 и координационное число Z 8
Рис. 13. Схематический профиль поверхности, поясняющий появление
рельефа в процессе распыления; с увеличением флюенса растёт перепад
высот h между соседними зёрнами (а); распределение зёрен с разной ори-
ентацией по высоте после распыления (б).
Fig. 13. The schematic profile of surface, which explains the relief formation
under sputtering; height difference h between adjacent grains increases
with fluence (а); height distribution of grains with different orientation after
sputtering (б).
1098 A. И. БЕЛЯЕВА, A. A. ГАЛУЗА, И. В. KOЛЕНОВ, A. A. САВЧЕНКО
[20]. Плотность заселения узлами q для плоскости (100)
(100)
2 2
4 1/ 4 1
,
y
q
S a a
(3)
где y – число узлов, приходящихся на площадь S в данной плоско-
сти, a – постоянная решётки. Аналогично,
(110) (111)
22 2 2
4 1 / 4 1 2 3 1 / 6 1
, .
2 ( 3 / 2) 3
q q
aa a a
(4)
Поэтому q(110) q(100) q(111), т.е. наиболее плотно в ОЦК-решётке уз-
лы расположены в плоскостях {110}.
На скорость распыления твёрдых тел также влияет поверхност-
ная энергия, которая связана с межмолекулярным взаимодействи-
ем, так как состояние частиц (атомов, молекул) на границе раздела
фаз отличается от состояния в объёме фаз вследствие нескомпенси-
рованности силовых полей частиц на поверхности раздела. Поверх-
ностная энергия определяется как работа образования единицы
площади поверхности (размерность Дж/м2).
Оценка конфигурационной поверхностной энергии может быть
проведена в модели разорванных связей [21]. Определяется она
суммой энергий парного взаимодействия атомов, находящихся на
поверхностной грани, с отсутствующими атомами (отрезанными
свободной гранью). В рамках такого приближения конфигурацион-
ная поверхностная энергия пропорциональна числу разорванных
связей на единице площади:
.hkl hklZ (5)
Следовательно, задача определения относительной поверхност-
ной энергии сводится к расчёту числа разорванных связей. В таб-
лице 2 приведены сделанные в этом приближении оценки относи-
тельной поверхностной энергии hkl/110 для вольфрама. Получен-
ные соотношения 111 100 110 согласуются с экспериментальными
данными настоящей работы.
Таким образом, проведённые оценки позволили сделать вывод о
природе различия в скоростях распыления базовых плоскостей
вольфрама.
Поскольку на поверхности W-IG и W-rc в процессе распыления
появился рельеф различного рода, задачей исследования было
определить его влияние на оптические характеристики зеркал.
На рисунке 14 приведён коэффициент отражения R() для W-IG и
W-rc образцов зеркал, предварительно облучённых ионами воль-
фрама дозой 3 сна, в зависимости от флюенса на длине волны
600 нм. При нормальном падении света R практически не изменя-
РОЛЬ РЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ W В ШЕРОХОВАТОСТИ ЕГО ПОВЕРХНОСТИ 1099
ется для образца зеркала W-rc, хотя для образца W-IG наблюдается
ухудшение коэффициента отражения в процессе последовательного
распыления (увеличения толщины распылённого слоя). Такое по-
ведение W-IG связано с развитием шероховатости на поверхности
образца.
Спектральная зависимость эллипсометрического параметра
для необлучённой стороны образца W-IG (3 сна) практически неиз-
менна, а для облучённой стороны наблюдается его уменьшение с
увеличением флюенса ионов [1]. Для данного типа зеркал по такому
поведению можно сказать, был образец предварительно облучён
или нет. Так как не были отмечены изменения эллипсометрических
параметров образцов W-rc, можно сделать вывод, что процедуры
распыления не влияют на поведение угловой зависимости для тако-
го рода зеркал.
Нормальный коэффициент отражения зеркал W-rc претерпел
изменения лишь в пределах 2% во всем спектральном диапазоне
после распыления слоя толщиной 4 мкм. Согласно эллипсометри-
ческим данным, облучение поверхности образцов ионами вольфра-
ма с энергией 20 МэВ также не изменяет их оптические свойства.
Для образцов W-IG, в отличие от W-rc, после того, как был рас-
пылён верхний слой толщиной 4 мкм, была отмечена деградации
Рис. 14. Зависимость коэффициента отражения при длине волны 600
нм от флюенса для W-IG и W-rc зеркал, облучённых 3 сна (закрашенные
точки) и необлучённых (полые точки) сторон.
Fig. 14. Reflection coefficient at 600 nm dependence upon fluence for W-
IG and W-rc mirrors irradiated 3 dpa (filled symbols) and non-irradiated
(open symbols) sides.
1100 A. И. БЕЛЯЕВА, A. A. ГАЛУЗА, И. В. KOЛЕНОВ, A. A. САВЧЕНКО
оптических характеристик на 20%. Шероховатость поверхности
этих образцов стала появляться уже после первой процедуры рас-
пыления. В ходе исследования были замечены некоторые различия
в поведении эллипсометрического параметра во время распыле-
ния для облучённых и необлучённых сторон образца.
5. ЗАКЛЮЧЕНИЕ. ВЫВОДЫ
Экспериментально изучена модификация структуры поверхности и
оптических свойств двух типов вольфрама (W-IG и W-rc) при воз-
действии факторов, имитирующих условия работы в ИТЭР: после-
довательное воздействие нейтронов и атомов перезарядки (распы-
ление). Впервые доказано, что рекристаллизация W-IG приводит к
стабилизации структуры его поверхности и, как следствие, оптиче-
ских характеристик.
Проведённые комплексные исследования радиационных пре-
вращений поверхности позволили выяснить физические механиз-
мы её эрозии под влиянием факторов ИТЭР и построить модели ше-
роховатой поверхности. Впервые обоснована модель существования
двух типов шероховатости на поверхности W-IG и её модификация
при рекристаллизации.
Проведены CLSM- и EBSD-анализ распылённых поверхностей
зеркал W для определения высот и аттестации ориентации зёрен,
что позволило впервые обнаружить, что независимо от типа воль-
фрама, зерно с ориентацией [111] имеет наименьшую скорость рас-
пыления, а с ориентацией [110] – наивысшую. Предложена трак-
товка обнаруженного различия в рамках известных представлений
о различии в плотностях упаковки и поверхностной энергии соот-
ветствующих плоскостей.
Физическая причина различной скорости распыления заключа-
ется в следующем: чем меньше плотность проекции узлов кристал-
лической решётки на плоскость, перпендикулярную направлению
проникновения ионов, тем меньше коэффициент распыления.
Плотность заселения узлами q для базовых плоскостей W распреде-
ляется так: q(110) q(100) q(111). При этом скорость распыления
уменьшается с уменьшением поверхностной энергии, которая про-
порциональна числу разорванных связей на единицу площади.
Наименьшей поверхностной энергией обладают грани с наиболь-
шей плотностью частиц. Для W относительные поверхностные
энергии для базовых плоскостей находятся в соотношении
111 100 110. Таким образом, ионам легче всего проникнуть
(наименьшая плотность упаковки) и, как следствие, быть захва-
ченными плоскостью с ориентацией [111]. У неё же труднее всего
разорвать межатомные связи (наибольшая поверхностная энергия).
Поэтому скорость распыления зёрен W с такой ориентацией
РОЛЬ РЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ W В ШЕРОХОВАТОСТИ ЕГО ПОВЕРХНОСТИ 1101
наименьшая. Для зёрен с ориентацией [110] наблюдается противо-
положная ситуация: наибольшая плотность упаковки и наимень-
шая поверхностная энергия и, как следствие, наибольший коэффи-
циент распыления.
Таким образом, вольфрамовые зеркала, облучённые и необлу-
чённые ионами W
6, при распылении плазмой Ar ведут себя прак-
тически одинаково (нет разницы в скорости распыления). При
этом: 1) коэффициент отражения нормального падения имеет оди-
наковую зависимость от флюенса как для облучённой, так и для не-
облучённой стороны образцов, но различен для различных типов W
(деградация R для W-IG 20%, для W-rc 2%); 2) толщина распы-
лённого слоя не зависит ни от предварительного облучения, ни от
типа вольфрама; 3) зерно с ориентацией [111] имеет наиболее низ-
кую скорость распыления, а с ориентацией [110] (наиболее плотно-
упакованная для ОЦК-металлов) – наиболее высокую для двух ти-
пов вольфрама.
Очевидно, что рекристаллизованный W-IG может рассматри-
ваться как идеальный материал для ПЗ, так как его оптические ха-
рактеристики стабильны к модификации поверхности при воздей-
ствии факторов ИТЭР. Установленное однозначно различие в ско-
ростях распыления для базовых плоскостей W можно использовать
в качестве качественного метода определения их кристаллографи-
ческих ориентаций в поликристаллическом W.
Сделаны выводы о природе двух типов шероховатости, обнару-
женных экспериментально. Показано, что нейтронное облучение,
по крайней мере, при той степени дефектообразования, которая бу-
дет иметь место в ИТЭР, не будет вносить заметный дополнитель-
ный вклад в процессы на поверхности W-rc, которые реализуются
под действием атомов перезарядки. Совместное воздействие
нейтронов и АП на структуру и оптические свойства сводится к воз-
действию только АП. Показано, что рекристаллизация W-IG при-
водит к стабилизации структуры.
ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА–REFERENCES
1. A. I. Belyaeva, А. А. Galuza, I. V. Kolenov, V. G. Konovalov, A. A. Savchenko,
and O. A. Skoryk, Phys. Met. Metallogr., 114, No. 8: 703 (2013).
2. A. I. Belyaeva, A. A. Savchenko, A. A. Galuza, and I. V. Kolenov, AIP Adv., 4,
No. 7: 077121 (2014).
3. O. M. Wirtz, Thermal Shock Behaviour of Different Tungsten Grades under
Varying Conditions (Thesis of Disser.) (Aachen: Techn. Hochsch.
Forschungszentrum Jülich: 2012).
4. V. Kh. Alimov, B. Tyburska-Püschel, Y. Hatano, J. Roth, K. Isobe,
M. Matsuyama, and T. Yamanishi, J. Nucl. Mater., 420, Nos. 1—3: 370 (2012).
5. A. Rusinov, M. Sakamoto, H. Zushi, R. Ohyama, K. Honda, I. Takagi,
T. Tanabe, and N. Yoshida, Plasma Fusion Res., 7: 1405105 (2012).
1102 A. И. БЕЛЯЕВА, A. A. ГАЛУЗА, И. В. KOЛЕНОВ, A. A. САВЧЕНКО
6. T. H. Courtney, Mechanical Behavior of Materials (Long Grove: Waveland
Press: 2000).
7. A. I. Belyaeva, A. A. Galuza, P. A. Khaimovich, I. V. Kolenov,
A. A. Savchenko, S. I. Solodovchenko, and N. A. Shulgin, Phys. Met.
Metallogr., 117, No. 11: 1215 (2016).
8. O. A. Galuza, A. I. Belyaeva, and A. D. Kudlenko, Metallofiz. Noveishie
Tekhnol., 31, No. 6: 791 (2009) (in Russian).
9. A. A. Galuza, A. D. Kudlenko, K. A. Slatin, A. I. Belyaeva, and M. M. Smirnov,
Instrum. Exper. Techn., 46, No. 4: 477 (2003).
10. A. I. Belyaeva, A. A. Galuza, I. V. Kolenov, and A. A. Savchenko, Probl. Atomic
Sci. Technol., No. 2 (90): 174 (2014).
11. A. I. Belyaeva, A. A. Galuza, V. F. Klepikov, V. V. Litvinenko,
A. G. Ponomarev, M. A. Sagaidachnii, V. V. Uvarov, and V. T. Uvarov, Probl.
Atomic Sci. Technol., No. 2 (93): 191 (2009).
12. M. Balden, A. F. Bardamid, A. I. Belyaeva, K. A. Slatin, J. W. Davis,
A. A. Haasz, M. Poon, V. G. Konovalov, I. V. Ryzhkov, A. N. Shapoval, and
V. S. Voitsenya, J. Nucl. Mater., 329—333: 1515 (2004).
13. D. A. G. Bruggeman, Ann. Phys. Lpz., 24, No. 5: 636 (1935).
14. V. S. Voitsenya, A. F. Bardamid, A. I. Belyaeva, V. N. Bondarenko,
G. De Temmerman, V. G. Konovalov, M. Lipa, A. Litnovsky, I. V. Ryzhkov, and
B. Schunke, Plasma Devices Oper., 16, No. 1: 1 (2008).
15. A. F. Bardamid, A. I. Belyaeva, J. W. Davis, M. V. Dobrotvorskaya,
A. A. Galuza, L. M. Kapitоnchuk, V. G. Konovalov, I. V. Ryzhkov,
A. F. Shtan’, K. A. Slatin, S. I. Solodovchenko, and V. S. Voitsenya,
J. Nucl. Mater., 393, No. 3: 473 (2009).
16. E. D. Palik, Handbook of Optical Constants of Solids (San Diego, California:
Academic Press: 1997).
17. H. Fujiwara, Spectroscopic Ellipsometry: Principles and Applications
(Chichester: John Wiley and Sons Ltd: 2007).
18. A. I. Belyaeva, A. F. Bardamid, J. W. Davis, A. A. Haasz, V. G. Konovalov,
A. D. Kudlenko, M. Poon, K. A. Slatin, and V. S. Voitsenya, J. Nucl. Mater.,
345, Nos. 2—3: 101 (2005).
19. V. S. Voitsenya, A. F. Bardamid, A. I. Belyaeva, V. N. Bondarenko,
A. A. Galuza, V. G. Konovalov, I. V. Ryzhkov, A. A. Savchenko,
A. N. Shapoval, A. F. Shtan’, S. I. Solodovchenko, and K. I. Yakimov, Plasma
Devices Oper., 17, No. 2: 144 (2009).
20. E. Lassner and W.-D. Schubert, Tungsten: Properties, Chemistry, Technology of
the Element, Alloys and Chemical Compounds (New York, US: Springer-Verlag:
1999).
21. V. Missol, Poverkhnostnaya Energiya Razdela Faz v Metallakh [The Surface
Energy of the Phase Interface in Metals] (Moscow: Metallurgiya: 1978) (in
Russian).
<<
/ASCII85EncodePages false
/AllowTransparency false
/AutoPositionEPSFiles true
/AutoRotatePages /None
/Binding /Left
/CalGrayProfile (Dot Gain 20%)
/CalRGBProfile (sRGB IEC61966-2.1)
/CalCMYKProfile (U.S. Web Coated \050SWOP\051 v2)
/sRGBProfile (sRGB IEC61966-2.1)
/CannotEmbedFontPolicy /Error
/CompatibilityLevel 1.4
/CompressObjects /Tags
/CompressPages true
/ConvertImagesToIndexed true
/PassThroughJPEGImages true
/CreateJobTicket false
/DefaultRenderingIntent /Default
/DetectBlends true
/DetectCurves 0.0000
/ColorConversionStrategy /CMYK
/DoThumbnails false
/EmbedAllFonts true
/EmbedOpenType false
/ParseICCProfilesInComments true
/EmbedJobOptions true
/DSCReportingLevel 0
/EmitDSCWarnings false
/EndPage -1
/ImageMemory 1048576
/LockDistillerParams false
/MaxSubsetPct 100
/Optimize true
/OPM 1
/ParseDSCComments true
/ParseDSCCommentsForDocInfo true
/PreserveCopyPage true
/PreserveDICMYKValues true
/PreserveEPSInfo true
/PreserveFlatness true
/PreserveHalftoneInfo false
/PreserveOPIComments true
/PreserveOverprintSettings true
/StartPage 1
/SubsetFonts true
/TransferFunctionInfo /Apply
/UCRandBGInfo /Preserve
/UsePrologue false
/ColorSettingsFile ()
/AlwaysEmbed [ true
]
/NeverEmbed [ true
]
/AntiAliasColorImages false
/CropColorImages true
/ColorImageMinResolution 300
/ColorImageMinResolutionPolicy /OK
/DownsampleColorImages true
/ColorImageDownsampleType /Bicubic
/ColorImageResolution 300
/ColorImageDepth -1
/ColorImageMinDownsampleDepth 1
/ColorImageDownsampleThreshold 1.50000
/EncodeColorImages true
/ColorImageFilter /DCTEncode
/AutoFilterColorImages true
/ColorImageAutoFilterStrategy /JPEG
/ColorACSImageDict <<
/QFactor 0.15
/HSamples [1 1 1 1] /VSamples [1 1 1 1]
>>
/ColorImageDict <<
/QFactor 0.15
/HSamples [1 1 1 1] /VSamples [1 1 1 1]
>>
/JPEG2000ColorACSImageDict <<
/TileWidth 256
/TileHeight 256
/Quality 30
>>
/JPEG2000ColorImageDict <<
/TileWidth 256
/TileHeight 256
/Quality 30
>>
/AntiAliasGrayImages false
/CropGrayImages true
/GrayImageMinResolution 300
/GrayImageMinResolutionPolicy /OK
/DownsampleGrayImages true
/GrayImageDownsampleType /Bicubic
/GrayImageResolution 300
/GrayImageDepth -1
/GrayImageMinDownsampleDepth 2
/GrayImageDownsampleThreshold 1.50000
/EncodeGrayImages true
/GrayImageFilter /DCTEncode
/AutoFilterGrayImages true
/GrayImageAutoFilterStrategy /JPEG
/GrayACSImageDict <<
/QFactor 0.15
/HSamples [1 1 1 1] /VSamples [1 1 1 1]
>>
/GrayImageDict <<
/QFactor 0.15
/HSamples [1 1 1 1] /VSamples [1 1 1 1]
>>
/JPEG2000GrayACSImageDict <<
/TileWidth 256
/TileHeight 256
/Quality 30
>>
/JPEG2000GrayImageDict <<
/TileWidth 256
/TileHeight 256
/Quality 30
>>
/AntiAliasMonoImages false
/CropMonoImages true
/MonoImageMinResolution 1200
/MonoImageMinResolutionPolicy /OK
/DownsampleMonoImages true
/MonoImageDownsampleType /Bicubic
/MonoImageResolution 1200
/MonoImageDepth -1
/MonoImageDownsampleThreshold 1.50000
/EncodeMonoImages true
/MonoImageFilter /CCITTFaxEncode
/MonoImageDict <<
/K -1
>>
/AllowPSXObjects false
/CheckCompliance [
/None
]
/PDFX1aCheck false
/PDFX3Check false
/PDFXCompliantPDFOnly false
/PDFXNoTrimBoxError true
/PDFXTrimBoxToMediaBoxOffset [
0.00000
0.00000
0.00000
0.00000
]
/PDFXSetBleedBoxToMediaBox true
/PDFXBleedBoxToTrimBoxOffset [
0.00000
0.00000
0.00000
0.00000
]
/PDFXOutputIntentProfile ()
/PDFXOutputConditionIdentifier ()
/PDFXOutputCondition ()
/PDFXRegistryName ()
/PDFXTrapped /False
/CreateJDFFile false
/Description <<
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
/BGR <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>
/CHS <FEFF4f7f75288fd94e9b8bbe5b9a521b5efa7684002000410064006f006200650020005000440046002065876863900275284e8e9ad88d2891cf76845370524d53705237300260a853ef4ee54f7f75280020004100630072006f0062006100740020548c002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e003000204ee553ca66f49ad87248672c676562535f00521b5efa768400200050004400460020658768633002>
/CHT <FEFF4f7f752890194e9b8a2d7f6e5efa7acb7684002000410064006f006200650020005000440046002065874ef69069752865bc9ad854c18cea76845370524d5370523786557406300260a853ef4ee54f7f75280020004100630072006f0062006100740020548c002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e003000204ee553ca66f49ad87248672c4f86958b555f5df25efa7acb76840020005000440046002065874ef63002>
/CZE <FEFF005400610074006f0020006e006100730074006100760065006e00ed00200070006f0075017e0069006a007400650020006b0020007600790074007600e101590065006e00ed00200064006f006b0075006d0065006e0074016f002000410064006f006200650020005000440046002c0020006b00740065007200e90020007300650020006e0065006a006c00e90070006500200068006f006400ed002000700072006f0020006b00760061006c00690074006e00ed0020007400690073006b00200061002000700072006500700072006500730073002e002000200056007900740076006f01590065006e00e900200064006f006b0075006d0065006e007400790020005000440046002000620075006400650020006d006f017e006e00e90020006f007400650076015900ed007400200076002000700072006f006700720061006d0065006300680020004100630072006f00620061007400200061002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e0030002000610020006e006f0076011b006a016100ed00630068002e>
/DAN <FEFF004200720075006700200069006e0064007300740069006c006c0069006e006700650072006e0065002000740069006c0020006100740020006f007000720065007400740065002000410064006f006200650020005000440046002d0064006f006b0075006d0065006e007400650072002c0020006400650072002000620065006400730074002000650067006e006500720020007300690067002000740069006c002000700072006500700072006500730073002d007500640073006b007200690076006e0069006e00670020006100660020006800f8006a0020006b00760061006c0069007400650074002e0020004400650020006f007000720065007400740065006400650020005000440046002d0064006f006b0075006d0065006e0074006500720020006b0061006e002000e50062006e00650073002000690020004100630072006f00620061007400200065006c006c006500720020004100630072006f006200610074002000520065006100640065007200200035002e00300020006f00670020006e0079006500720065002e>
/DEU <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>
/ESP <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>
/ETI <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>
/FRA <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>
/GRE <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>
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
/HRV (Za stvaranje Adobe PDF dokumenata najpogodnijih za visokokvalitetni ispis prije tiskanja koristite ove postavke. Stvoreni PDF dokumenti mogu se otvoriti Acrobat i Adobe Reader 5.0 i kasnijim verzijama.)
/HUN <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>
/ITA <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>
/JPN <FEFF9ad854c18cea306a30d730ea30d730ec30b951fa529b7528002000410064006f0062006500200050004400460020658766f8306e4f5c6210306b4f7f75283057307e305930023053306e8a2d5b9a30674f5c62103055308c305f0020005000440046002030d530a130a430eb306f3001004100630072006f0062006100740020304a30883073002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e003000204ee5964d3067958b304f30533068304c3067304d307e305930023053306e8a2d5b9a306b306f30d530a930f330c8306e57cb30818fbc307f304c5fc59808306730593002>
/KOR <FEFFc7740020c124c815c7440020c0acc6a9d558c5ec0020ace0d488c9c80020c2dcd5d80020c778c1c4c5d00020ac00c7a50020c801d569d55c002000410064006f0062006500200050004400460020bb38c11cb97c0020c791c131d569b2c8b2e4002e0020c774b807ac8c0020c791c131b41c00200050004400460020bb38c11cb2940020004100630072006f0062006100740020bc0f002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e00300020c774c0c1c5d0c11c0020c5f40020c2180020c788c2b5b2c8b2e4002e>
/LTH <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>
/LVI <FEFF0049007a006d0061006e0074006f006a00690065007400200161006f00730020006900650073007400610074012b006a0075006d00750073002c0020006c0061006900200076006500690064006f00740075002000410064006f00620065002000500044004600200064006f006b0075006d0065006e007400750073002c0020006b006100730020006900720020012b00700061016100690020007000690065006d01130072006f00740069002000610075006700730074006100730020006b00760061006c0069007401010074006500730020007000690072006d007300690065007300700069006501610061006e006100730020006400720075006b00610069002e00200049007a0076006500690064006f006a006900650074002000500044004600200064006f006b0075006d0065006e007400750073002c0020006b006f002000760061007200200061007400760113007200740020006100720020004100630072006f00620061007400200075006e002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e0030002c0020006b0101002000610072012b00200074006f0020006a00610075006e0101006b0101006d002000760065007200730069006a0101006d002e>
/NLD (Gebruik deze instellingen om Adobe PDF-documenten te maken die zijn geoptimaliseerd voor prepress-afdrukken van hoge kwaliteit. De gemaakte PDF-documenten kunnen worden geopend met Acrobat en Adobe Reader 5.0 en hoger.)
/NOR <FEFF004200720075006b00200064006900730073006500200069006e006e007300740069006c006c0069006e00670065006e0065002000740069006c002000e50020006f0070007000720065007400740065002000410064006f006200650020005000440046002d0064006f006b0075006d0065006e00740065007200200073006f006d00200065007200200062006500730074002000650067006e0065007400200066006f00720020006600f80072007400720079006b006b0073007500740073006b00720069006600740020006100760020006800f800790020006b00760061006c0069007400650074002e0020005000440046002d0064006f006b0075006d0065006e00740065006e00650020006b0061006e002000e50070006e00650073002000690020004100630072006f00620061007400200065006c006c00650072002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e003000200065006c006c00650072002000730065006e006500720065002e>
/POL <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>
/PTB <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>
/RUM <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>
/RUS <FEFF04180441043f043e043b044c04370443043904420435002004340430043d043d044b04350020043d0430044104420440043e0439043a043800200434043b044f00200441043e043704340430043d0438044f00200434043e043a0443043c0435043d0442043e0432002000410064006f006200650020005000440046002c0020043c0430043a04410438043c0430043b044c043d043e0020043f043e04340445043e0434044f04490438044500200434043b044f00200432044b0441043e043a043e043a0430044704350441044204320435043d043d043e0433043e00200434043e043f0435044704300442043d043e0433043e00200432044b0432043e04340430002e002000200421043e043704340430043d043d044b04350020005000440046002d0434043e043a0443043c0435043d0442044b0020043c043e0436043d043e0020043e0442043a0440044b043204300442044c002004410020043f043e043c043e0449044c044e0020004100630072006f00620061007400200438002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e00300020043800200431043e043b043504350020043f043e04370434043d043804450020043204350440044104380439002e>
/SKY <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>
/SLV <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>
/SUO <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>
/SVE <FEFF0041006e007600e4006e00640020006400650020006800e4007200200069006e0073007400e4006c006c006e0069006e006700610072006e00610020006f006d002000640075002000760069006c006c00200073006b006100700061002000410064006f006200650020005000440046002d0064006f006b0075006d0065006e007400200073006f006d002000e400720020006c00e4006d0070006c0069006700610020006600f60072002000700072006500700072006500730073002d007500740073006b00720069006600740020006d006500640020006800f600670020006b00760061006c0069007400650074002e002000200053006b006100700061006400650020005000440046002d0064006f006b0075006d0065006e00740020006b0061006e002000f600700070006e00610073002000690020004100630072006f0062006100740020006f00630068002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e00300020006f00630068002000730065006e006100720065002e>
/TUR <FEFF005900fc006b00730065006b0020006b0061006c006900740065006c0069002000f6006e002000790061007a006401310072006d00610020006200610073006b013100730131006e006100200065006e0020006900790069002000750079006100620069006c006500630065006b002000410064006f006200650020005000440046002000620065006c00670065006c0065007200690020006f006c0075015f007400750072006d0061006b0020006900e70069006e00200062007500200061007900610072006c0061007201310020006b0075006c006c0061006e0131006e002e00200020004f006c0075015f0074007500720075006c0061006e0020005000440046002000620065006c00670065006c0065007200690020004100630072006f006200610074002000760065002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e003000200076006500200073006f006e0072006100730131006e00640061006b00690020007300fc007200fc006d006c00650072006c00650020006100e70131006c006100620069006c00690072002e>
/UKR <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>
/ENU (Use these settings to create Adobe PDF documents best suited for high-quality prepress printing. Created PDF documents can be opened with Acrobat and Adobe Reader 5.0 and later.)
>>
/Namespace [
(Adobe)
(Common)
(1.0)
]
/OtherNamespaces [
<<
/AsReaderSpreads false
/CropImagesToFrames true
/ErrorControl /WarnAndContinue
/FlattenerIgnoreSpreadOverrides false
/IncludeGuidesGrids false
/IncludeNonPrinting false
/IncludeSlug false
/Namespace [
(Adobe)
(InDesign)
(4.0)
]
/OmitPlacedBitmaps false
/OmitPlacedEPS false
/OmitPlacedPDF false
/SimulateOverprint /Legacy
>>
<<
/AddBleedMarks false
/AddColorBars false
/AddCropMarks false
/AddPageInfo false
/AddRegMarks false
/ConvertColors /ConvertToCMYK
/DestinationProfileName ()
/DestinationProfileSelector /DocumentCMYK
/Downsample16BitImages true
/FlattenerPreset <<
/PresetSelector /MediumResolution
>>
/FormElements false
/GenerateStructure false
/IncludeBookmarks false
/IncludeHyperlinks false
/IncludeInteractive false
/IncludeLayers false
/IncludeProfiles false
/MultimediaHandling /UseObjectSettings
/Namespace [
(Adobe)
(CreativeSuite)
(2.0)
]
/PDFXOutputIntentProfileSelector /DocumentCMYK
/PreserveEditing true
/UntaggedCMYKHandling /LeaveUntagged
/UntaggedRGBHandling /UseDocumentProfile
/UseDocumentBleed false
>>
]
>> setdistillerparams
<<
/HWResolution [2400 2400]
/PageSize [612.000 792.000]
>> setpagedevice
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-112598 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1024-1809 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-30T21:53:37Z |
| publishDate | 2016 |
| publisher | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Беляева, А.И. Галуза, А.А. Koленов, И.В. Савченко, А.А. 2017-01-23T18:21:02Z 2017-01-23T18:21:02Z 2016 Роль рекристаллизации вольфрама в формировании шероховатости его поверхности под влиянием последовательного воздействия нейтронов и распыления / А. И. Беляева, А. А. Галуза, И. В. Koленов, А. А. Савченко // Металлофизика и новейшие технологии. — 2016. — Т. 38, № 8. — С. 1077-1102. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. 1024-1809 DOI: 10.15407/mfint.38.08.1077 PACS: 07.60.Hv, 68.35.Ct, 68.37.Hk, 78.20.Ci, 81.10.Jt, 81.40.Tv, 81.70.Fy https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112598 Экспериментально изучена модификация структуры поверхности и изменение оптических свойств двух типов вольфрама (W-IG и W-rc) при воздействии факторов, имитирующих условия работы в Международном экспериментальном термоядерном реакторе (ИТЭР): последовательное воздействие нейтронов и атомов перезарядки (распыление). Впервые доказано, что рекристаллизация W-IG приводит к стабилизации структуры его поверхности и, как следствие, оптических характеристик. Проведённые комплексные исследования радиационных превращений поверхности позволили выяснить физические механизмы её эрозии под влиянием факторов ИТЭР и построить модели шероховатой поверхности. Впервые обоснована модель сосуществования двух типов шероховатости на поверхности W-IG и её модификации при рекристаллизации. Експериментально досліджено модифікування структури поверхні та зміну оптичних властивостей двох типів вольфраму (W-IG і W-rc) під впливом чинників, що імітують умови роботи в Міжнародному експериментальному термоядерному реакторі (ІТЕР): послідовний вплив нейтронів та атомів перезарядки (розпорошення). Вперше доведено, що рекристалізація W-IG приводить до стабілізації структури його поверхні та, як наслідок, оптичних характеристик. Проведено комплексні дослідження радіяційних перетворень поверхні, що уможливили з’ясувати фізичні механізми її ерозії під впливом чинників ІТЕР і побудувати моделі шерсткости поверхні. Вперше обґрунтовано модель співіснування двох типів шерсткости на поверхні W-IG та її модифікування при рекристалізації. The paper presents experimental study of surface-structure modification and optical-properties’ change of two types of tungsten (W-IG and W-rc) under impact of factors imitating operating conditions in International Thermonuclear Experimental Reactor (ITER): successive impact of neutrons and recharge atoms (sputtering). For the first time, the fact is determined that the W-IG recrystallization leads to stabilization of both surface structure and, as a result, optical properties. The comprehensive study of radiation-induced transformations of the surface reveals physical mechanisms of its erosion under the ITER factors and results in creation of the roughness model. For the first time, a model of coexistence of two types of roughness on the W-IG surface and its transformations under recrystallization is grounded. ru Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Металлофизика и новейшие технологии Металлические поверхности и плёнки Роль рекристаллизации вольфрама в формировании шероховатости его поверхности под влиянием последовательного воздействия нейтронов и распыления Роль рекристалізації вольфраму в формуванні шерсткости його поверхні під впливом послідовної дії нейтронів і розпорошення Role of Recrystallization of Tungsten in Formation of a Roughness of Its Surface Under Influence of Successive Action of Neutrons and Sputtering Article published earlier |
| spellingShingle | Роль рекристаллизации вольфрама в формировании шероховатости его поверхности под влиянием последовательного воздействия нейтронов и распыления Беляева, А.И. Галуза, А.А. Koленов, И.В. Савченко, А.А. Металлические поверхности и плёнки |
| title | Роль рекристаллизации вольфрама в формировании шероховатости его поверхности под влиянием последовательного воздействия нейтронов и распыления |
| title_alt | Роль рекристалізації вольфраму в формуванні шерсткости його поверхні під впливом послідовної дії нейтронів і розпорошення Role of Recrystallization of Tungsten in Formation of a Roughness of Its Surface Under Influence of Successive Action of Neutrons and Sputtering |
| title_full | Роль рекристаллизации вольфрама в формировании шероховатости его поверхности под влиянием последовательного воздействия нейтронов и распыления |
| title_fullStr | Роль рекристаллизации вольфрама в формировании шероховатости его поверхности под влиянием последовательного воздействия нейтронов и распыления |
| title_full_unstemmed | Роль рекристаллизации вольфрама в формировании шероховатости его поверхности под влиянием последовательного воздействия нейтронов и распыления |
| title_short | Роль рекристаллизации вольфрама в формировании шероховатости его поверхности под влиянием последовательного воздействия нейтронов и распыления |
| title_sort | роль рекристаллизации вольфрама в формировании шероховатости его поверхности под влиянием последовательного воздействия нейтронов и распыления |
| topic | Металлические поверхности и плёнки |
| topic_facet | Металлические поверхности и плёнки |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112598 |
| work_keys_str_mv | AT belâevaai rolʹrekristallizaciivolʹframavformirovaniišerohovatostiegopoverhnostipodvliâniemposledovatelʹnogovozdeistviâneitronoviraspyleniâ AT galuzaaa rolʹrekristallizaciivolʹframavformirovaniišerohovatostiegopoverhnostipodvliâniemposledovatelʹnogovozdeistviâneitronoviraspyleniâ AT kolenoviv rolʹrekristallizaciivolʹframavformirovaniišerohovatostiegopoverhnostipodvliâniemposledovatelʹnogovozdeistviâneitronoviraspyleniâ AT savčenkoaa rolʹrekristallizaciivolʹframavformirovaniišerohovatostiegopoverhnostipodvliâniemposledovatelʹnogovozdeistviâneitronoviraspyleniâ AT belâevaai rolʹrekristalízacíívolʹframuvformuvanníšerstkostiiogopoverhnípídvplivomposlídovnoídííneitronívírozporošennâ AT galuzaaa rolʹrekristalízacíívolʹframuvformuvanníšerstkostiiogopoverhnípídvplivomposlídovnoídííneitronívírozporošennâ AT kolenoviv rolʹrekristalízacíívolʹframuvformuvanníšerstkostiiogopoverhnípídvplivomposlídovnoídííneitronívírozporošennâ AT savčenkoaa rolʹrekristalízacíívolʹframuvformuvanníšerstkostiiogopoverhnípídvplivomposlídovnoídííneitronívírozporošennâ AT belâevaai roleofrecrystallizationoftungsteninformationofaroughnessofitssurfaceunderinfluenceofsuccessiveactionofneutronsandsputtering AT galuzaaa roleofrecrystallizationoftungsteninformationofaroughnessofitssurfaceunderinfluenceofsuccessiveactionofneutronsandsputtering AT kolenoviv roleofrecrystallizationoftungsteninformationofaroughnessofitssurfaceunderinfluenceofsuccessiveactionofneutronsandsputtering AT savčenkoaa roleofrecrystallizationoftungsteninformationofaroughnessofitssurfaceunderinfluenceofsuccessiveactionofneutronsandsputtering |