Фотон-индуцированный электронный транспорт: шумовые характеристики туннельного контакта на основе сверхпроводника при низких температурах

В данной статье выполнены численные расчёты мощности фотон-индуцированного дробового шума и фактора Фано для мезоскопических структур нормальный металл—изолятор—сверхпроводник. Исследовано влияние температуры на величину фотон-индуцированных токовых флуктуаций в туннельном контакте. Моделирование не...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Металлофизика и новейшие технологии
Дата:2016
Автор: Бойло, И.В.
Формат: Стаття
Мова:Російська
Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2016
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112600
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Фотон-индуцированный электронный транспорт: шумовые характеристики туннельного контакта на основе сверхпроводника при низких температурах / И. В. Бойло // Металлофизика и новейшие технологии. — 2016. — Т. 38, № 8. — С. 1009-1018. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862638590260936704
author Бойло, И.В.
author_facet Бойло, И.В.
citation_txt Фотон-индуцированный электронный транспорт: шумовые характеристики туннельного контакта на основе сверхпроводника при низких температурах / И. В. Бойло // Металлофизика и новейшие технологии. — 2016. — Т. 38, № 8. — С. 1009-1018. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Металлофизика и новейшие технологии
description В данной статье выполнены численные расчёты мощности фотон-индуцированного дробового шума и фактора Фано для мезоскопических структур нормальный металл—изолятор—сверхпроводник. Исследовано влияние температуры на величину фотон-индуцированных токовых флуктуаций в туннельном контакте. Моделирование неравновесных токовых флуктуаций демонстрирует увеличение спектральной плотности шума с ростом частоты переменного сигнала. Показано, что фактор Фано в суперпуассоновском режиме фотон-индуцированного электронного транспорта имеет резкий пик в области энергетической щели сверхпроводника. У даній статті виконано чисельні розрахунки потужности фотон-індукованого дробового шуму та фактора Фано для мезоскопічних структур нормальний метал—ізолятор—надпровідник. Досліджено вплив температури на величину фотон-індукованих флюктуацій струму в тунельному контакті. Моделювання нерівноважних струмових флюктуацій демонструє збільшення спектральної густини шуму із зростанням частоти змінного сиґналу. Показано, що фактор Фано в суперпуассоновому режимі фотон-індукованого електронного транспорту має різкий пік в області енергетичної щілини надпровідника. In the paper, numerical calculations of both the photon-assisted shot-noise power and the Fano factor for the mesoscopic normal metal—insulator— superconductor structures are performed. The temperature effect on the value of photon-assisted current fluctuations in a tunnel junction is studied. Modelling of the nonequilibrium current fluctuations demonstrates an enhancement of the noise spectral density with increasing the ac signal frequency. As shown, the Fano factor in the super-Poissonian regime of the photon-assisted electronic transport has a sharp peak in the region of the energy gap of the superconductor.
first_indexed 2025-12-01T00:21:27Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-112600
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1024-1809
language Russian
last_indexed 2025-12-01T00:21:27Z
publishDate 2016
publisher Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
record_format dspace
spelling Бойло, И.В.
2017-01-23T18:22:54Z
2017-01-23T18:22:54Z
2016
Фотон-индуцированный электронный транспорт: шумовые характеристики туннельного контакта на основе сверхпроводника при низких температурах / И. В. Бойло // Металлофизика и новейшие технологии. — 2016. — Т. 38, № 8. — С. 1009-1018. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
1024-1809
DOI: 10.15407/mfint.38.08.1009
PACS: 73.50.Td, 74.25.fc, 74.45.+c, 74.55.+v, 74.78.Fk, 85.25.Cp, 85.40.Qx
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112600
В данной статье выполнены численные расчёты мощности фотон-индуцированного дробового шума и фактора Фано для мезоскопических структур нормальный металл—изолятор—сверхпроводник. Исследовано влияние температуры на величину фотон-индуцированных токовых флуктуаций в туннельном контакте. Моделирование неравновесных токовых флуктуаций демонстрирует увеличение спектральной плотности шума с ростом частоты переменного сигнала. Показано, что фактор Фано в суперпуассоновском режиме фотон-индуцированного электронного транспорта имеет резкий пик в области энергетической щели сверхпроводника.
У даній статті виконано чисельні розрахунки потужности фотон-індукованого дробового шуму та фактора Фано для мезоскопічних структур нормальний метал—ізолятор—надпровідник. Досліджено вплив температури на величину фотон-індукованих флюктуацій струму в тунельному контакті. Моделювання нерівноважних струмових флюктуацій демонструє збільшення спектральної густини шуму із зростанням частоти змінного сиґналу. Показано, що фактор Фано в суперпуассоновому режимі фотон-індукованого електронного транспорту має різкий пік в області енергетичної щілини надпровідника.
In the paper, numerical calculations of both the photon-assisted shot-noise power and the Fano factor for the mesoscopic normal metal—insulator— superconductor structures are performed. The temperature effect on the value of photon-assisted current fluctuations in a tunnel junction is studied. Modelling of the nonequilibrium current fluctuations demonstrates an enhancement of the noise spectral density with increasing the ac signal frequency. As shown, the Fano factor in the super-Poissonian regime of the photon-assisted electronic transport has a sharp peak in the region of the energy gap of the superconductor.
ru
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
Металлофизика и новейшие технологии
Электронные структура и свойства
Фотон-индуцированный электронный транспорт: шумовые характеристики туннельного контакта на основе сверхпроводника при низких температурах
Фотон-індукований електронний транспорт: шумові характеристики тунельного контакту на основі надпровідника за низьких температур
Photon-Assisted Electronic Transport: Noise Performances of Tunnel Junction on the Base of a Superconductor at Low Temperatures
Article
published earlier
spellingShingle Фотон-индуцированный электронный транспорт: шумовые характеристики туннельного контакта на основе сверхпроводника при низких температурах
Бойло, И.В.
Электронные структура и свойства
title Фотон-индуцированный электронный транспорт: шумовые характеристики туннельного контакта на основе сверхпроводника при низких температурах
title_alt Фотон-індукований електронний транспорт: шумові характеристики тунельного контакту на основі надпровідника за низьких температур
Photon-Assisted Electronic Transport: Noise Performances of Tunnel Junction on the Base of a Superconductor at Low Temperatures
title_full Фотон-индуцированный электронный транспорт: шумовые характеристики туннельного контакта на основе сверхпроводника при низких температурах
title_fullStr Фотон-индуцированный электронный транспорт: шумовые характеристики туннельного контакта на основе сверхпроводника при низких температурах
title_full_unstemmed Фотон-индуцированный электронный транспорт: шумовые характеристики туннельного контакта на основе сверхпроводника при низких температурах
title_short Фотон-индуцированный электронный транспорт: шумовые характеристики туннельного контакта на основе сверхпроводника при низких температурах
title_sort фотон-индуцированный электронный транспорт: шумовые характеристики туннельного контакта на основе сверхпроводника при низких температурах
topic Электронные структура и свойства
topic_facet Электронные структура и свойства
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112600
work_keys_str_mv AT boiloiv fotoninducirovannyiélektronnyitransportšumovyeharakteristikitunnelʹnogokontaktanaosnovesverhprovodnikaprinizkihtemperaturah
AT boiloiv fotoníndukovaniielektronniitransportšumovíharakteristikitunelʹnogokontaktunaosnovínadprovídnikazanizʹkihtemperatur
AT boiloiv photonassistedelectronictransportnoiseperformancesoftunneljunctiononthebaseofasuperconductoratlowtemperatures