Мемристорные эффекты в твёрдотельных гетероструктурах

Обсуждается физическая природа гистерезисных транспортных характеристик двух твёрдотельных структур. Для гетероконтактов металлического инжектора со сложным оксидом переходных металлов показано, что двузначные вольт-амперные зависимости возникают вследствие миграции кислородных вакансий под действие...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2016
Hauptverfasser: Руденко, Э.М., Белоголовский, М.А., Короташ, И.В., Полоцкий, Д.Ю., Краковный, А.А., Житлухина, Е.С.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2016
Schriftenreihe:Металлофизика и новейшие технологии
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112601
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Мемристорные эффекты в твёрдотельных гетероструктурах / Э. М. Руденко, М. А. Белоголовский, И. В. Короташ, Д. Ю. Полоцкий, А. А. Краковный, Е. С. Житлухина // Металлофизика и новейшие технологии. — 2016. — Т. 38, № 8. — С. 995-1008. — Бібліогр.: 26 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-112601
record_format dspace
fulltext
spelling nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-1126012025-02-09T11:47:09Z Мемристорные эффекты в твёрдотельных гетероструктурах Мемристорні ефекти в твердотільних гетероструктурах Memristancy Effects in Solid-State Heterostructures Руденко, Э.М. Белоголовский, М.А. Короташ, И.В. Полоцкий, Д.Ю. Краковный, А.А. Житлухина, Е.С. Строение и свойства наноразмерных и мезоскопических материалов Обсуждается физическая природа гистерезисных транспортных характеристик двух твёрдотельных структур. Для гетероконтактов металлического инжектора со сложным оксидом переходных металлов показано, что двузначные вольт-амперные зависимости возникают вследствие миграции кислородных вакансий под действием внешнего электрического поля, в то время как мемристорное поведение наноструктурированных углеродных плёнок обусловлено наличием ловушек для носителей тока. В последнем случае обнаружено, что после нескольких периодов изменения тока, пропускаемого через углеродную плёнку, в ней формируется состояние с экстремально высокой проводимостью. Найденная экспериментально асимметрия вольт-амперных характеристик углеродных плёнок открывает возможность использования их в качестве элемента интегрированной мемристорной схемы, способного устранить паразитную связь между соседними коммутационными узлами. Обговорюється фізична природа гістерезних транспортних характеристик двох твердотільних структур. Для гетероконтактів металевого інжектора зі складним оксидом перехідних металів показано, що двозначні вольт-амперні залежності виникають внаслідок міґрації Оксиґенових вакансій під дією зовнішнього електричного поля, в той час як мемристорну поведінку наноструктурованих вуглецевих плівок зумовлено наявністю пасток для носіїв струму. В останньому випадку виявлено, що після декількох періодів зміни струму, що пропускається через вуглецеву плівку, в ній формується стан з екстремально високою провідністю. Виявлена експериментально асиметрія вольт-амперних характеристик для вуглецевих плівок відкриває можливість використання їх в якості елемента інтеґрованої мемристорної схеми, здатного усунути паразитний зв’язок між сусідніми комутаційними вузлами. Physical nature of hysteretic transport characteristics of two solid-state structures is discussed. For heterocontacts formed by a metal counter electrode with a complex transition-metal oxide, it is shown that two-valued current—voltage dependences appear due to the migration of the O vacancies under the influence of an external electric field whereas a memristancy-like behaviour of nanostructured carbon films is due to the presence of current-carrier traps. As found in the latter case, an extremely high conductivity state of carbon film is formed after several periods of the alternating current flowing through it. The experimentally discovered asymmetry of the current—voltage characteristics for carbon films opens up a possibility of their application as a base element of an integrated memristor circuit able to eliminate a parasitic link between the adjacent switching nodes. 2016 Article Мемристорные эффекты в твёрдотельных гетероструктурах / Э. М. Руденко, М. А. Белоголовский, И. В. Короташ, Д. Ю. Полоцкий, А. А. Краковный, Е. С. Житлухина // Металлофизика и новейшие технологии. — 2016. — Т. 38, № 8. — С. 995-1008. — Бібліогр.: 26 назв. — рос. 1024-1809 DOI: 10.15407/mfint.38.08.0995 PACS: 61.72.Hh, 73.40.Ns, 74.72.-h, 74.78.Fk, 81.40.Rs, 84.32.Ff, 85.25.Hv https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112601 ru Металлофизика и новейшие технологии application/pdf Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Строение и свойства наноразмерных и мезоскопических материалов
Строение и свойства наноразмерных и мезоскопических материалов
spellingShingle Строение и свойства наноразмерных и мезоскопических материалов
Строение и свойства наноразмерных и мезоскопических материалов
Руденко, Э.М.
Белоголовский, М.А.
Короташ, И.В.
Полоцкий, Д.Ю.
Краковный, А.А.
Житлухина, Е.С.
Мемристорные эффекты в твёрдотельных гетероструктурах
Металлофизика и новейшие технологии
description Обсуждается физическая природа гистерезисных транспортных характеристик двух твёрдотельных структур. Для гетероконтактов металлического инжектора со сложным оксидом переходных металлов показано, что двузначные вольт-амперные зависимости возникают вследствие миграции кислородных вакансий под действием внешнего электрического поля, в то время как мемристорное поведение наноструктурированных углеродных плёнок обусловлено наличием ловушек для носителей тока. В последнем случае обнаружено, что после нескольких периодов изменения тока, пропускаемого через углеродную плёнку, в ней формируется состояние с экстремально высокой проводимостью. Найденная экспериментально асимметрия вольт-амперных характеристик углеродных плёнок открывает возможность использования их в качестве элемента интегрированной мемристорной схемы, способного устранить паразитную связь между соседними коммутационными узлами.
format Article
author Руденко, Э.М.
Белоголовский, М.А.
Короташ, И.В.
Полоцкий, Д.Ю.
Краковный, А.А.
Житлухина, Е.С.
author_facet Руденко, Э.М.
Белоголовский, М.А.
Короташ, И.В.
Полоцкий, Д.Ю.
Краковный, А.А.
Житлухина, Е.С.
author_sort Руденко, Э.М.
title Мемристорные эффекты в твёрдотельных гетероструктурах
title_short Мемристорные эффекты в твёрдотельных гетероструктурах
title_full Мемристорные эффекты в твёрдотельных гетероструктурах
title_fullStr Мемристорные эффекты в твёрдотельных гетероструктурах
title_full_unstemmed Мемристорные эффекты в твёрдотельных гетероструктурах
title_sort мемристорные эффекты в твёрдотельных гетероструктурах
publisher Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
publishDate 2016
topic_facet Строение и свойства наноразмерных и мезоскопических материалов
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112601
citation_txt Мемристорные эффекты в твёрдотельных гетероструктурах / Э. М. Руденко, М. А. Белоголовский, И. В. Короташ, Д. Ю. Полоцкий, А. А. Краковный, Е. С. Житлухина // Металлофизика и новейшие технологии. — 2016. — Т. 38, № 8. — С. 995-1008. — Бібліогр.: 26 назв. — рос.
series Металлофизика и новейшие технологии
work_keys_str_mv AT rudenkoém memristornyeéffektyvtvërdotelʹnyhgeterostrukturah
AT belogolovskijma memristornyeéffektyvtvërdotelʹnyhgeterostrukturah
AT korotašiv memristornyeéffektyvtvërdotelʹnyhgeterostrukturah
AT polockijdû memristornyeéffektyvtvërdotelʹnyhgeterostrukturah
AT krakovnyjaa memristornyeéffektyvtvërdotelʹnyhgeterostrukturah
AT žitluhinaes memristornyeéffektyvtvërdotelʹnyhgeterostrukturah
AT rudenkoém memristorníefektivtverdotílʹnihgeterostrukturah
AT belogolovskijma memristorníefektivtverdotílʹnihgeterostrukturah
AT korotašiv memristorníefektivtverdotílʹnihgeterostrukturah
AT polockijdû memristorníefektivtverdotílʹnihgeterostrukturah
AT krakovnyjaa memristorníefektivtverdotílʹnihgeterostrukturah
AT žitluhinaes memristorníefektivtverdotílʹnihgeterostrukturah
AT rudenkoém memristancyeffectsinsolidstateheterostructures
AT belogolovskijma memristancyeffectsinsolidstateheterostructures
AT korotašiv memristancyeffectsinsolidstateheterostructures
AT polockijdû memristancyeffectsinsolidstateheterostructures
AT krakovnyjaa memristancyeffectsinsolidstateheterostructures
AT žitluhinaes memristancyeffectsinsolidstateheterostructures
first_indexed 2025-11-25T22:33:20Z
last_indexed 2025-11-25T22:33:20Z
_version_ 1849803408252338176