Мемристорные эффекты в твёрдотельных гетероструктурах
Обсуждается физическая природа гистерезисных транспортных характеристик двух твёрдотельных структур. Для гетероконтактов металлического инжектора со сложным оксидом переходных металлов показано, что двузначные вольт-амперные зависимости возникают вследствие миграции кислородных вакансий под действие...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Металлофизика и новейшие технологии |
|---|---|
| Datum: | 2016 |
| Hauptverfasser: | , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2016
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112601 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Мемристорные эффекты в твёрдотельных гетероструктурах / Э. М. Руденко, М. А. Белоголовский, И. В. Короташ, Д. Ю. Полоцкий, А. А. Краковный, Е. С. Житлухина // Металлофизика и новейшие технологии. — 2016. — Т. 38, № 8. — С. 995-1008. — Бібліогр.: 26 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-112601 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Руденко, Э.М. Белоголовский, М.А. Короташ, И.В. Полоцкий, Д.Ю. Краковный, А.А. Житлухина, Е.С. 2017-01-23T18:23:56Z 2017-01-23T18:23:56Z 2016 Мемристорные эффекты в твёрдотельных гетероструктурах / Э. М. Руденко, М. А. Белоголовский, И. В. Короташ, Д. Ю. Полоцкий, А. А. Краковный, Е. С. Житлухина // Металлофизика и новейшие технологии. — 2016. — Т. 38, № 8. — С. 995-1008. — Бібліогр.: 26 назв. — рос. 1024-1809 DOI: 10.15407/mfint.38.08.0995 PACS: 61.72.Hh, 73.40.Ns, 74.72.-h, 74.78.Fk, 81.40.Rs, 84.32.Ff, 85.25.Hv https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112601 Обсуждается физическая природа гистерезисных транспортных характеристик двух твёрдотельных структур. Для гетероконтактов металлического инжектора со сложным оксидом переходных металлов показано, что двузначные вольт-амперные зависимости возникают вследствие миграции кислородных вакансий под действием внешнего электрического поля, в то время как мемристорное поведение наноструктурированных углеродных плёнок обусловлено наличием ловушек для носителей тока. В последнем случае обнаружено, что после нескольких периодов изменения тока, пропускаемого через углеродную плёнку, в ней формируется состояние с экстремально высокой проводимостью. Найденная экспериментально асимметрия вольт-амперных характеристик углеродных плёнок открывает возможность использования их в качестве элемента интегрированной мемристорной схемы, способного устранить паразитную связь между соседними коммутационными узлами. Обговорюється фізична природа гістерезних транспортних характеристик двох твердотільних структур. Для гетероконтактів металевого інжектора зі складним оксидом перехідних металів показано, що двозначні вольт-амперні залежності виникають внаслідок міґрації Оксиґенових вакансій під дією зовнішнього електричного поля, в той час як мемристорну поведінку наноструктурованих вуглецевих плівок зумовлено наявністю пасток для носіїв струму. В останньому випадку виявлено, що після декількох періодів зміни струму, що пропускається через вуглецеву плівку, в ній формується стан з екстремально високою провідністю. Виявлена експериментально асиметрія вольт-амперних характеристик для вуглецевих плівок відкриває можливість використання їх в якості елемента інтеґрованої мемристорної схеми, здатного усунути паразитний зв’язок між сусідніми комутаційними вузлами. Physical nature of hysteretic transport characteristics of two solid-state structures is discussed. For heterocontacts formed by a metal counter electrode with a complex transition-metal oxide, it is shown that two-valued current—voltage dependences appear due to the migration of the O vacancies under the influence of an external electric field whereas a memristancy-like behaviour of nanostructured carbon films is due to the presence of current-carrier traps. As found in the latter case, an extremely high conductivity state of carbon film is formed after several periods of the alternating current flowing through it. The experimentally discovered asymmetry of the current—voltage characteristics for carbon films opens up a possibility of their application as a base element of an integrated memristor circuit able to eliminate a parasitic link between the adjacent switching nodes. ru Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Металлофизика и новейшие технологии Строение и свойства наноразмерных и мезоскопических материалов Мемристорные эффекты в твёрдотельных гетероструктурах Мемристорні ефекти в твердотільних гетероструктурах Memristancy Effects in Solid-State Heterostructures Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Мемристорные эффекты в твёрдотельных гетероструктурах |
| spellingShingle |
Мемристорные эффекты в твёрдотельных гетероструктурах Руденко, Э.М. Белоголовский, М.А. Короташ, И.В. Полоцкий, Д.Ю. Краковный, А.А. Житлухина, Е.С. Строение и свойства наноразмерных и мезоскопических материалов |
| title_short |
Мемристорные эффекты в твёрдотельных гетероструктурах |
| title_full |
Мемристорные эффекты в твёрдотельных гетероструктурах |
| title_fullStr |
Мемристорные эффекты в твёрдотельных гетероструктурах |
| title_full_unstemmed |
Мемристорные эффекты в твёрдотельных гетероструктурах |
| title_sort |
мемристорные эффекты в твёрдотельных гетероструктурах |
| author |
Руденко, Э.М. Белоголовский, М.А. Короташ, И.В. Полоцкий, Д.Ю. Краковный, А.А. Житлухина, Е.С. |
| author_facet |
Руденко, Э.М. Белоголовский, М.А. Короташ, И.В. Полоцкий, Д.Ю. Краковный, А.А. Житлухина, Е.С. |
| topic |
Строение и свойства наноразмерных и мезоскопических материалов |
| topic_facet |
Строение и свойства наноразмерных и мезоскопических материалов |
| publishDate |
2016 |
| language |
Russian |
| container_title |
Металлофизика и новейшие технологии |
| publisher |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Мемристорні ефекти в твердотільних гетероструктурах Memristancy Effects in Solid-State Heterostructures |
| description |
Обсуждается физическая природа гистерезисных транспортных характеристик двух твёрдотельных структур. Для гетероконтактов металлического инжектора со сложным оксидом переходных металлов показано, что двузначные вольт-амперные зависимости возникают вследствие миграции кислородных вакансий под действием внешнего электрического поля, в то время как мемристорное поведение наноструктурированных углеродных плёнок обусловлено наличием ловушек для носителей тока. В последнем случае обнаружено, что после нескольких периодов изменения тока, пропускаемого через углеродную плёнку, в ней формируется состояние с экстремально высокой проводимостью. Найденная экспериментально асимметрия вольт-амперных характеристик углеродных плёнок открывает возможность использования их в качестве элемента интегрированной мемристорной схемы, способного устранить паразитную связь между соседними коммутационными узлами.
Обговорюється фізична природа гістерезних транспортних характеристик двох твердотільних структур. Для гетероконтактів металевого інжектора зі складним оксидом перехідних металів показано, що двозначні вольт-амперні залежності виникають внаслідок міґрації Оксиґенових вакансій під дією зовнішнього електричного поля, в той час як мемристорну поведінку наноструктурованих вуглецевих плівок зумовлено наявністю пасток для носіїв струму. В останньому випадку виявлено, що після декількох періодів зміни струму, що пропускається через вуглецеву плівку, в ній формується стан з екстремально високою провідністю. Виявлена експериментально асиметрія вольт-амперних характеристик для вуглецевих плівок відкриває можливість використання їх в якості елемента інтеґрованої мемристорної схеми, здатного усунути паразитний зв’язок між сусідніми комутаційними вузлами.
Physical nature of hysteretic transport characteristics of two solid-state structures is discussed. For heterocontacts formed by a metal counter electrode with a complex transition-metal oxide, it is shown that two-valued current—voltage dependences appear due to the migration of the O vacancies under the influence of an external electric field whereas a memristancy-like behaviour of nanostructured carbon films is due to the presence of current-carrier traps. As found in the latter case, an extremely high conductivity state of carbon film is formed after several periods of the alternating current flowing through it. The experimentally discovered asymmetry of the current—voltage characteristics for carbon films opens up a possibility of their application as a base element of an integrated memristor circuit able to eliminate a parasitic link between the adjacent switching nodes.
|
| issn |
1024-1809 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112601 |
| citation_txt |
Мемристорные эффекты в твёрдотельных гетероструктурах / Э. М. Руденко, М. А. Белоголовский, И. В. Короташ, Д. Ю. Полоцкий, А. А. Краковный, Е. С. Житлухина // Металлофизика и новейшие технологии. — 2016. — Т. 38, № 8. — С. 995-1008. — Бібліогр.: 26 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT rudenkoém memristornyeéffektyvtverdotelʹnyhgeterostrukturah AT belogolovskiima memristornyeéffektyvtverdotelʹnyhgeterostrukturah AT korotašiv memristornyeéffektyvtverdotelʹnyhgeterostrukturah AT polockiidû memristornyeéffektyvtverdotelʹnyhgeterostrukturah AT krakovnyiaa memristornyeéffektyvtverdotelʹnyhgeterostrukturah AT žitluhinaes memristornyeéffektyvtverdotelʹnyhgeterostrukturah AT rudenkoém memristorníefektivtverdotílʹnihgeterostrukturah AT belogolovskiima memristorníefektivtverdotílʹnihgeterostrukturah AT korotašiv memristorníefektivtverdotílʹnihgeterostrukturah AT polockiidû memristorníefektivtverdotílʹnihgeterostrukturah AT krakovnyiaa memristorníefektivtverdotílʹnihgeterostrukturah AT žitluhinaes memristorníefektivtverdotílʹnihgeterostrukturah AT rudenkoém memristancyeffectsinsolidstateheterostructures AT belogolovskiima memristancyeffectsinsolidstateheterostructures AT korotašiv memristancyeffectsinsolidstateheterostructures AT polockiidû memristancyeffectsinsolidstateheterostructures AT krakovnyiaa memristancyeffectsinsolidstateheterostructures AT žitluhinaes memristancyeffectsinsolidstateheterostructures |
| first_indexed |
2025-11-25T22:33:20Z |
| last_indexed |
2025-11-25T22:33:20Z |
| _version_ |
1850566712504614912 |
| fulltext |
995
СТРОЕНИЕ И СВОЙСТВА НАНОРАЗМЕРНЫХ
И МЕЗОСКОПИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ
PACS numbers:61.72.Hh, 73.40.Ns,74.72.-h,74.78.Fk,81.40.Rs,84.32.Ff, 85.25.Hv
Мемристорные эффекты в твёрдотельных гетероструктурах
Э. М. Руденко, М. А. Белоголовский, И. В. Короташ,
Д. Ю. Полоцкий, А. А. Краковный, Е. С. Житлухина*
Институт металлофизики им. Г. В. Курдюмова НАН Украины,
бульв. Акад. Вернадского, 36,
03680, ГСП, Киев-142, Украина
*Донецкий физико-технический институт им. А. А. Галкина НАН Украины,
просп. Науки, 46,
03680, ГСП, Киев-28, Украина
Обсуждается физическая природа гистерезисных транспортных характе-
ристик двух твёрдотельных структур. Для гетероконтактов металличе-
ского инжектора со сложным оксидом переходных металлов показано,
что двузначные вольт-амперные зависимости возникают вследствие ми-
грации кислородных вакансий под действием внешнего электрического
поля, в то время как мемристорное поведение наноструктурированных
углеродных плёнок обусловлено наличием ловушек для носителей тока. В
последнем случае обнаружено, что после нескольких периодов изменения
тока, пропускаемого через углеродную плёнку, в ней формируется состо-
яние с экстремально высокой проводимостью. Найденная эксперимен-
тально асимметрия вольт-амперных характеристик углеродных плёнок
открывает возможность использования их в качестве элемента интегри-
рованной мемристорной схемы, способного устранить паразитную связь
между соседними коммутационными узлами.
Corresponding author: Mykhaylo Oleksandrovych Bilogolovs’kyy
E-mail: belogolovskii@ukr.net
G. V. Kurdyumov Institute for Metal Physics, N.A.S. of Ukraine,
36 Academician Vernadsky Blvd., UA-03680 Kyiv-142, Ukraine
*Donetsk Institute for Physics and Engineering Named After O. O. Galkin, N.A.S. of
Ukraine, 46 Nauky Ave., 03680 Kyiv-28, Ukraine
E. M. Rudenko, M. O. Bilogolovs’kyy, I. V. Korotash, D. Yu. Polots’kyy,
A. O. Krakovnyy, and O. S. Zhytlukhina, Memristancy Effects in Solid-State
Heterostructures, Metallofiz. Noveishie Tekhnol., 38, No. 8: 995—1008 (2016)
(in Russian), DOI: 10.15407/mfint.38.08.0995.
Металлофиз. новейшие технол. / Metallofiz. Noveishie Tekhnol.
2016, т. 38, № 8, сс. 995—1008 / DOI: 10.15407/mfint.38.08.0995
Оттиски доступны непосредственно от издателя
Фотокопирование разрешено только
в соответствии с лицензией
2016 ИМФ (Институт металлофизики
им. Г. В. Курдюмова НАН Украины)
Напечатано в Украине.
996 Э. М. РУДЕНКО, М. А. БЕЛОГОЛОВСКИЙ, И. В. КОРОТАШ и др.
Ключевые слова: мемристор, вольт-амперные характеристики, гистере-
зис, кислородные вакансии, наноструктурированные углеродные плёнки.
Обговорюється фізична природа гістерезних транспортних характерис-
тик двох твердотільних структур. Для гетероконтактів металевого інжек-
тора зі складним оксидом перехідних металів показано, що двозначні
вольт-амперні залежності виникають внаслідок міґрації Оксиґенових ва-
кансій під дією зовнішнього електричного поля, в той час як мемристорну
поведінку наноструктурованих вуглецевих плівок зумовлено наявністю
пасток для носіїв струму. В останньому випадку виявлено, що після декі-
лькох періодів зміни струму, що пропускається через вуглецеву плівку, в
ній формується стан з екстремально високою провідністю. Виявлена екс-
периментально асиметрія вольт-амперних характеристик для вуглецевих
плівок відкриває можливість використання їх в якості елемента інтеґро-
ваної мемристорної схеми, здатного усунути паразитний зв’язок між су-
сідніми комутаційними вузлами.
Ключові слова: мемристор, вольт-амперні характеристики, гістереза, Ок-
сиґенові вакансії, наноструктуровані вуглецеві плівки.
Physical nature of hysteretic transport characteristics of two solid-state
structures is discussed. For heterocontacts formed by a metal counter elec-
trode with a complex transition-metal oxide, it is shown that two-valued cur-
rent—voltage dependences appear due to the migration of the O vacancies un-
der the influence of an external electric field whereas a memristancy-like be-
haviour of nanostructured carbon films is due to the presence of current-
carrier traps. As found in the latter case, an extremely high conductivity
state of carbon film is formed after several periods of the alternating current
flowing through it. The experimentally discovered asymmetry of the cur-
rent—voltage characteristics for carbon films opens up a possibility of their
application as a base element of an integrated memristor circuit able to elimi-
nate a parasitic link between the adjacent switching nodes.
Key words: memristor, current—voltage characteristics, hysteresis, oxygen
vacancies, nanostructured carbon films.
(Получено 23 июня 2016 г.)
1. ВВЕДЕНИЕ
Дальнейший прогресс в области микро- и наноэлектроники связан с
созданием принципиально новых элементов энергонезависимой
памяти с существенно меньшими размерами и пониженным энер-
гопотреблением. На сегодняшний день существует несколько кон-
курирующих физических принципов, на которых может быть ос-
нована работа таких устройств. Наиболее простым и эффективным
решением, на наш взгляд, является резистивная память с произ-
вольным доступом (англ.: Resistive Random Access Memory–
RRAM), основанная на использовании так называемых мемристор-
МЕМРИСТОРНЫЕ ЭФФЕКТЫ В ТВЁРДОТЕЛЬНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ 997
ных систем (англ.: memory resistor memristor) [1].
Последние представляют собой твёрдотельные структуры, вольт-
амперные характеристики I(V) которых демонстрируют гистере-
зисное поведение [2, 3]. В этом случае при фиксированном напря-
жении V возможны два резистивных состояния – с малым (ON) и
большим (OFF) сопротивлениями. Переход из одного состояния в
другое обычно называют эффектом резистивного переключения.
Если он происходит при одной и той же полярности V, то его име-
нуют униполярным, а в случае разной полярности – биполярным.
Простейшая реализация мемристора – это двухэлектродный эле-
мент, который представляет собой резистор с памятью, способный
изменять свою проводимость в зависимости от предыдущей исто-
рии. Наличие всего лишь двух электродов, в отличие от наиболее
часто используемых в электронике трёхэлектродных активных
устройств, позволяет существенно упростить проектирование элек-
тронных цепей. В настоящее время разработана детальная техноло-
гия создания мемристоров на основе трёхслойных структур ме-
талл—бинарный оксид переходного металла—металл, которые пред-
лагаются в качестве основы для создания нового типа памяти. Су-
ществуют, однако, и другие перспективные направления развития
данной области электроники, в частности, гетероконтакты метал-
лического инжектора со сложным оксидом переходных металлов
[3] и массивы углеродных нанотрубок [4].
В данной работе мы обсуждаем природу изменения резистивных
свойств активной среды в этих двух системах с биполярными рези-
стивными переключениями и приводим новые экспериментальные
данные, свидетельствующие об асимметрии вольт-амперных ха-
рактеристик разупорядоченных углеродных плёнок.
2. БИПОЛЯРНЫЕ РЕЗИСТИВНЫЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ
В КОНТАКТАХ НА ОСНОВЕ КУПРАТОВ
Сложные оксиды переходных металлов представляют собой класс
материалов, свойства которых при сравнительно небольших изме-
нениях состава или кристаллической структуры могут меняться в
очень широких пределах: от диэлектрических до полупроводнико-
вых и металлических. Интерес к механизму и кинетике физиче-
ских процессов, происходящих на (и вблизи) поверхности сложных
оксидов переходных металлов с перовскитоподобной структурой, в
частности, нестехиометрических соединений класса ABO3 и их
производных, обусловлен их уникальными физическими свойства-
ми, такими как высокотемпературная сверхпроводимость, колос-
сальное магнетосопротивление и смешанная электрон-ионная про-
водимость [5]. Наличие в структуре этих материалов переходного
элемента, легко меняющего степень окисления при гетеровалент-
998 Э. М. РУДЕНКО, М. А. БЕЛОГОЛОВСКИЙ, И. В. КОРОТАШ и др.
ном допировании, обеспечивает возможность создания высокой
концентрации дефектов в анионной подрешётке (кислородных ва-
кансий или междоузельных атомов кислорода). Поэтому для слож-
ных оксидов характерна сравнительно высокая кислород-ионная
подвижность.
Особенностью этих материалов является то обстоятельство, что
при изменении содержания кислорода в них меняется валентное
состояние атомов, поставляющих электроны в подсистему носите-
лей тока. В частности, в иттрий-бариевом купрате YBa2Cu3O7с
(YBCO) в случае дефицита кислорода (с 0) валентность ионов меди
уменьшается от 2 до 1, что приводит к изменению концентрации
носителей тока. Помимо этого, вместе с уменьшением содержания
кислорода от O7 до O6 увеличиваются размеры элементарной ячейки
вдоль оси с [6]. Результатом воздействия этих двух факторов явля-
ется нелинейный рост удельного сопротивления соединения
YBa2Cu3O7c с увеличением относительного числа кислородных ва-
кансий c. К настоящему времени получено уже большее число дан-
ных, которые свидетельствуют о существенном влиянии динамики
кислородных вакансий в сложных оксидах переходных металлов
на их электрические свойства (см. работу [7] и ссылки в ней). В дан-
ном разделе мы анализируем взаимосвязь между дефектностью
кислородной подрешётки и транспортными характеристиками ге-
тероконтактов на основе обсуждаемых материалов (на примере
YBCO) и приводим дополнительные аргументы в пользу механизма
воздействия электрических полей на их проводимость, в котором
первичным является взаимодействие внешнего поля с кислородной
подсистемой [8].
Эксперимент [9] показывает, что даже в отсутствие внешнего
электрического поля внутри YBCO существует градиент электриче-
ского потенциала. В типичных металлах глубина такого слоя была
бы ничтожно малой из-за экранирования поля подвижными элек-
тронами. Однако, в металлооксидных соединениях это не так, по-
скольку внутреннее электрическое поле приводит к перемещению
внутри них заряженных дефектов, из которых наиболее подвиж-
ными являются кислородные вакансии [10]. Данный эффект, свя-
занный с наличием в материале двух потоков: дрейфового (прямое
воздействие электрического поля на дефект) и диффузионного
(наличие градиента концентрации вакансий), обычно называют
электромиграцией. Что касается первого, то следует заметить, что
внутри идеального проводника действующее электрическое поле,
вообще говоря, равно нулю в результате экранирования подвиж-
ными носителями заряда. Однако, как было отмечено Ландауэром
[11], это требование не выполняется в окрестности кристалличе-
ских дефектов, что, собственно, и приводит к конечному сопротив-
лению образца.
МЕМРИСТОРНЫЕ ЭФФЕКТЫ В ТВЁРДОТЕЛЬНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ 999
В теории электромиграции действующую на дефект силу запи-
сывают в виде F q
*E, где E – напряжённость электрического поля,
q*
– эффективный заряд дефекта, который заведомо меньше (часто
существенно меньше) произведения его номинальной валентности
на элементарный электрический заряд и, вообще говоря, является
подгоночным параметром теории. Далее мы ограничимся одномер-
ным приближением. Под действием силы F(x) возникает дрейфо-
вый поток вакансий Jdrift(x) c(x)E(x), где дрейфовая скорость
E(x) F(x) связана с D/(kBT) – подвижностью вакансий, D –
соответствующим коэффициентом диффузии (использовано соот-
ношение Эйнштейна) и T – температурой окружающей среды.
Кроме этого, существует ещё и диффузионный поток, пропорцио-
нальный градиенту концентрации вакансий Jdif(x) D(dc(x)/dx).
Отсутствие суммарного тока в стационарном состоянии определяет
начальное состояние кислородной подсистемы (рис. 1).
Далее приповерхностным распределением кислородных вакан-
сий можно управлять, пропуская через плёнку купрата перемен-
ный ток с достаточно большим периодом или прикладывая соответ-
ствующее переменное напряжение. Действительно, изменение во
времени локальной напряжённости электрического поля нарушит
установившийся в равновесии баланс диффузионного и дрейфового
потоков кислородных вакансий, в результате чего пространствен-
ное распределение вакансий будет периодически меняться во вре-
мени в соответствии с изменением вынуждающей силы. Особен-
Рис. 1. Изменение во времени переменного тока, пропускаемого через кон-
такт металла с плёнкой YBCO, и полного сопротивления R(t) данной
структуры (а), а также пространственная зависимость концентрации ва-
кансий c(x, t) (б); параметры 0,02, 0,7 .d d
Fig. 1. Temporal changes of both the alternating current I(t) across the con-
tact of a metal with a YBCO film and the total resistance R(t) of the structure
(а), as well as the spatial dependence of the vacancy concentration c(x, t) (б);
the parameters 0.02, 0.7d d .
1000 Э. М. РУДЕНКО, М. А. БЕЛОГОЛОВСКИЙ, И. В. КОРОТАШ и др.
ность данного процесса заключается в том, что его частота будет от-
личаться от частоты пропускаемого через плёнку тока (или прило-
женного напряжения), поскольку из-за зависимости сопротивле-
ния купрата от концентрации кислородных вакансий c(x) под дей-
ствием внешнего фактора будет периодически меняться ещё и со-
противление самой плёнки. В результате в отклике системы на её
периодическое возмущение появятся слагаемые с частотами, крат-
ными исходной, а измеряемая вольт-амперная характеристика мо-
жет иметь двузначный характер подобно фигурам Лиссажу, кото-
рые возникают при одновременном движении точки в двух взаимно
перпендикулярных направлениях с разными частотами. Такие
кривые, приведённые на рис. 2, как уже отмечалось выше, являют-
ся основным признаком мемристоров.
Базовым уравнением, которое определяет динамику подсистемы
кислородных вакансий, является уравнение непрерывности
dif drift
( , ) ( , )( , )
0.
J x t J x tc x t
t x x
(1)
При достаточно больших напряжениях V kBT/q*
диффузионный
вклад в суммарный ток мал, и им можно пренебречь. Тогда из (1)
мы получим следующее дифференциальное уравнение в частных
производных для концентрации вакансий c(x, t)
Рис. 2. Расчётные вольт-амперные характеристики контакта металла с
плёнкой YBCO для трёх значений параметра . Направление изменения
I(t) указано стрелками, знак напряжения V соответствует знаку электри-
ческого потенциала, приложенного к купрату; V0 I00d, 0,7d d .
Fig. 2. Calculated current—voltage characteristics of the contact metal—
YBCO-film for three values of the parameter. Direction of the I(t) changes is
indicated by arrows; the sign of the voltage V corresponds to the sign of the
electric potential applied to the cuprate; V0 I00d, 0.7d d .
МЕМРИСТОРНЫЕ ЭФФЕКТЫ В ТВЁРДОТЕЛЬНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ 1001
* ( , ) ( , )( , )
0.
B
c x t E x tc x t Dq
t k T x
(2)
Далее мы полагаем, что имеем дело с источником переменного
тока I(t) и E(x, t) (x, t)I(t), где (x, t) – локальное сопротивление
образца в пересчёте на единицу длины, которое определяется ло-
кальной концентрацией кислородных вакансий c(x, t). Для опреде-
лённости будем рассматривать мемристорные эффекты в плёнке ит-
трий-бариевого купрата YBCO толщиной d, плоскость которой пер-
пендикулярна оси с, и сравнивать наши результаты с данными экс-
периментов [12—14]. В таких образцах ранее [15] была найдена эм-
пирическая зависимость (c), которую мы представим в виде
0
( , ) exp ( , ) /x t c x t c ; (3)
здесь параметр 0,2c , а 0 – удельное электросопротивление ок-
сида в идеальном состоянии без дефектов.
Возникающая таким образом нелинейная зависимость локаль-
ной напряжённости электрического поля, действующей на вакан-
сии, от их концентрации в данной точке и приводит к появлению
двузначной вольт-амперной кривой. Для численных расчётов вве-
дём безразмерную величину q
*Dt00I0/(dkBT), где I0 и t0 – ам-
плитуда и период переменного тока, который пропускается через
контакт металла с купратом. Все длины далее будут измеряться в
единицах d, характерные времена – в единицах t0, удельные со-
противления – в единицах 0, а токи – в единицах I0 (соответству-
ющие переменные будем отображать штрихованными величина-
ми). Учитывая это, получим следующее уравнение с единственным
подгоночным параметром и граничным условием c(x 0, t) 0.2,
которое следует из условий экспериментов [12—14]:
( , )
( , ) ( , ) ( ) 0.
c x t
c x t x t I t
t x
(4)
Разделим условно купратную плёнку, одна поверхность которой
находится на изолирующей подложке, а другая – в контакте с ме-
таллическим электродом, на две части: 0 x d и d x d . Со-
противление той области плёнки, которая прилегает к подложке,
будем считать постоянным и равным 0 0
0
exp(0,2 / )
d
R c dx
, в то
время как сопротивление другой части образца меняется со време-
нем в соответствии с формулой (3). Тогда общее сопротивление бу-
дет равным 0
( ) ( , )
d
d
R t R x t dx . На рисунке 1 показаны измене-
ния во времени тока I(t), полного сопротивления контакта R(t), а
1002 Э. М. РУДЕНКО, М. А. БЕЛОГОЛОВСКИЙ, И. В. КОРОТАШ и др.
также пространственная зависимость концентрации вакансий
c(x, t) в некоторые фиксированные моменты времени.
На рисунке 2 изображены расчётные вольт-амперные характери-
стики контакта плёнки YBCO с металлическим электродом, где
напряжение на контакте определяется соотношением V(t) I(t)R(t).
Наши теоретические результаты хорошо согласуются с соответ-
ствующими экспериментальными данными, полученными в работе
[14].
Найденное из сравнения с измеренными кривыми значение па-
раметра 0.02 позволяет оценить величину коэффициента диф-
фузии D. Используя экспериментальные данные, находим, что
e0dI0/(kBT) 102, откуда следует, что D 10
17
см
2/c. Это значение
неплохо согласуется с оценками коэффициента диффузии кисло-
родных вакансий D 10
17—10
18
см
2/c для плёнок YBCO в работе [9].
Заметим, что диффузия кислородных ионов в тонких монокристал-
лических плёнках сложных оксидов переходных металлов являет-
ся существенной и при довольно низких температурах и происхо-
дит, в основном, в направлении, перпендикулярном поверхности
образца [16].
3. БИПОЛЯРНЫЕ РЕЗИСТИВНЫЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ
В НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ УГЛЕРОДНЫХ ПЛЁНКАХ
Несмотря на существенный прогресс в области мемристорных
устройств, остаётся ещё ряд нерешённых вопросов на пути их прак-
тического внедрения. Одна из таких проблем – паразитная связь
между соседними коммутационными узлами в интегрированной
мемристорной цепи [17]. Для её устранения предложены, в частно-
сти, схемы, основанные на использовании дополнительного (к каж-
дому мемристору) транзистора [18]. Однако такое решение приво-
дит к заметному увеличению размеров коммутационных узлов. По-
этому желательно найти такие переключающие устройства, вольт—
амперные характеристики которых были бы резко асимметричны-
ми по отношению к поданному напряжению. Ниже мы приводим
предварительные результаты, полученные авторами данной статьи
для наноструктурированных плёнок углерода и их теоретическую
интерпретацию.
Нами были разработаны технологические основы ионно-плаз-
менного низкотемпературного формирования пространственно
ориентированных углеродных наноструктур на подложках моно-
кристаллического кремния [19] с использованием гибридного гели-
конно-дугового ионно-плазменного реактора [20, 21]. Этот процесс
включает в себя нанесение переходных слоёв (например, TiN), фор-
мирование нанокластеров металла-катализатора (Fe, Ni и др.) и,
собственно, синтез наноструктурированных углеродных плёнок.
МЕМРИСТОРНЫЕ ЭФФЕКТЫ В ТВЁРДОТЕЛЬНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ 1003
Процесс низкотемпературного формирования наноструктур метал-
ла-катализатора [22] заключался в непосредственном выращива-
нии нанокластеров Fe на структурированной поверхности переход-
ного слоя TiN, который получался распылением Ti в атмосфере N2.
Магнитоактивированный вакуумно-дуговой источник создавал по-
ток ионов металлов (Ti, Fe) [20]. Финишная очистка кремниевых
пластин перед нанесением необходимых слоёв, активация реактив-
ных газов, выращивание углеродных наноструктур в режиме плаз-
менноактивированного CVD (PECVD) и плазмохимическое удале-
ние аморфного углерода с обрабатываемой поверхности осуществ-
лялись с использованием геликонного источника газообразной
плазмы [19, 20]. Реакционная камера вакуумно-технологической
установки откачивалась до давления 10
3
Па, а давление рабочих
газов (Ar, O2, N2, пары C2H4Cl2) на различных стадиях технологиче-
ского цикла составляло 1—3 Па.
Отличительная особенность разработанного метода формирова-
ния нанокластеров путём их непосредственного выращивания за-
ключалась в сочетании процессов распыления интенсивным пото-
ком инертного газа и самораспыления плёнки ионами металла при
плотности ионных потоков до 20 мА/см2
с преимущественным пе-
реносом массы заряженной компонентой материала плёнки в неод-
нородном электрическом поле структурированной поверхности.
Рентгеноструктурный анализ плёнок TiN и TiN Fe показал, что
уже при толщине от двух до пяти нанометров интенсивность пика,
связанного с TiN, резко уменьшается, и отчётливо проявляется
пик, обусловленный присутствием Fe, т.е. железо полностью по-
крывало подслой TiN.
Для разложения углеродосодержащего газа и формирования уг-
леродных наноструктур использовался метод PECVD. Отличитель-
ная особенность процесса – применение в качестве источника
плазмы высокоэффективного геликонного разряда, концентрация
плазмы в котором при рабочем давлении порядка 1 Па может дости-
гать 1012
см
3. Рабочей средой была смесь плазмообразующего газа
Ar с добавкой C2H4Cl2. На последней стадии процесса слой аморфно-
го углерода удалялся плазмой геликонного источника Ar с добав-
кой O2.
Микрофотографии, полученные с помощью растрового элек-
тронного микроскопа [19], показали, что в отработанных техноло-
гических режимах формируются нитевидные углеродные нано-
структуры с характерным диаметром от единиц до десятка нано-
метров и длиной более 1 мкм. Толщина слоя углеродных нано-
структур на кремниевой подложке составляла 1—1,5 мкм. Их вольт-
амперные характеристики измерялись в режиме источника пило-
образного тока четырёхзондовым методом в диапазоне температур
10—80С. При этом из стандартной кремниевой подложки толщи-
1004 Э. М. РУДЕНКО, М. А. БЕЛОГОЛОВСКИЙ, И. В. КОРОТАШ и др.
ной 0,45 мм с синтезированными углеродными наноструктурами
вырезались прямоугольные образцы размером 820 мм, которые
размещались в специальном многоконтактном приспособлении с
подводом токовых и потенциальных контактов. Использовались
прижимные штырьковые контакты с нанесённым индием, что поз-
воляло обеспечить стабильный электрический контакт со слоями
углеродных наноструктур. Расстояние между токовыми контакта-
ми составляло примерно 0,5 мм.
При положительных значениях тока I и напряжения V в исход-
ной вольт-амперной характеристике наблюдались эффекты не-
устойчивости, которые приводили к переключению системы под
действием токовой инжекции из высоко- в низкоомное состояние
(от 1,310
2
до 310
4
Ом). При изменении полярности тока инжек-
ции резко менялся вид кривой I(V) и, соответственно, значения со-
противления в высоко- и низкоомном состояниях, см. типичный
пример на рис. 3.
Заметим, что согласно первопринципным расчётам [23] отклоне-
ния кривых I(V) от линейности для упорядоченных двумерных уг-
Рис. 3. Измеренные вольт-амперные характеристики наноструктуриро-
ванной углеродной плёнки сразу же после изготовления (штриховая ли-
ния) и через несколько периодов изменения пропускаемого через неё тока
(вначале точечная, а затем сплошная почти вертикальная линия). На
вставке показан результат теоретического моделирования.
Fig. 3. Measured current—voltage characteristics of nanostructured carbon
film immediately after fabrication of it (dashed line) and after several periods
of the current passing through it (at first, the dotted line, and then, the near-
ly vertical solid line). Result of theoretical simulations is shown on the insert.
МЕМРИСТОРНЫЕ ЭФФЕКТЫ В ТВЁРДОТЕЛЬНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ 1005
леродных структур, находящихся между двумя металлическими
электродами, не являются существенными, вследствие чего гисте-
резисные характеристики углеродных плёнок симметричны отно-
сительно замены полярности V [24]. В то же время резкая зависи-
мость от знака напряжения может наблюдаться в некоторых нано-
структурированных углеродных плёнках [25]. По-видимому, этот
эффект связан с наличием в них ловушек, которые заполняются и
опустошаются при разных направлениях электрического поля. Это
означает, что сопротивление образца будет осциллировать во вре-
мени с тем же периодом, что и пропускаемый через него ток (подоб-
но рассмотренному выше случаю контактов на основе сложных ок-
сидов). Помимо линейного слагаемого аналитическая зависимость
тока от напряжения в данном случае содержит ещё и квадратичный
вклад, который и определяет асимметрию вольт-амперной характе-
ристики. Тогда в динамическом пределе мы получим резко асим-
метричную гистерезисную кривую I(V) (см. вставку на рис. 3), ко-
торая качественно описывает наш экспериментальный результат
для исходного состояния.
После нескольких периодов изменения тока, пропускаемого че-
рез наноструктурированную углеродную плёнку, в ней формирова-
лось состояние с экстремально высокой проводимостью (менее
10
5
Ом) при комнатной температуре 17C [26], см. рис. 3.
4. ВЫВОДЫ
Проанализирована физическая природа двузначных вольт-ампер-
ных характеристик двух систем: контакта металла с купратом
YBa2Cu3O7с и наноструктурированной углеродной плёнки, элек-
трические характеристики которых демонстрируют биполярные
резистивные переключения. Показано, что в первом случае мемри-
сторное поведение гетероструктуры металл—купрат возникает
вследствие миграции кислородных вакансий под действием внеш-
него электрического поля, а во втором случае связано с наличием в
углеродных плёнках ловушек для носителей тока. Обнаруженная
экспериментально асимметрия вольт-амперных кривых для угле-
родных плёнок открывает возможность их использования в каче-
стве элемента интегрированной мемристорной схемы, который поз-
волит устранить паразитную связь между соседними коммутаци-
онными узлами.
ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА
1. L. O. Chua, IEEE Trans. Circuit Theory, 18, No. 5: 507 (1971).
2. R. Waser and M. Aono, Nat. Mater., 6, No. 11: 833 (2007).
1006 Э. М. РУДЕНКО, М. А. БЕЛОГОЛОВСКИЙ, И. В. КОРОТАШ и др.
3. A. Sawa, Mater. Today, 11, No. 6: 28 (2008).
4. E. Bichoutskaia, A. M. Popov, and Yu. E. Lozovik, Mater. Today, 11, No. 6: 38
(2008).
5. J. B. Goodenough, Rep. Prog. Phys., 67, No. 11: 1915 (2004).
6. R. J. Cava, B. Batlogg, C. H. Chen, E. A. Rietman, S. M. Zahurak, and
D. Werder, Nature, 329, No. 6138: 423 (1987).
7. M. A. Belogolovskii, Cent. Eur. J. Phys., 7, No. 2: 304 (2009).
8. N. Chandrasekhar, O. T. Valls, and A. M. Goldman, Phys. Rev. Lett., 71, No. 7:
1079 (1993).
9. A. Plecenik, M. Grajcar, P. Seidel, and S. Benacka, Studies of High
Temperature Superconductors (New York: Nova Science Publ.: 1996), vol. 20,
p. 75.
10. H. J. Zhang, X. P. Zhang, J. P. Shi, H. F. Tian, and Y.G. Zhao, Appl. Phys. Lett.,
94, No. 9: 092111 (2009).
11. R. Landauer, IBM J. Res. Dev., 1, No. 3: 223 (1957).
12. A. Plecenik, M. Tomasek, T. Plecenik, M. Truchly, J. Noskovic, M. Zahoran,
T. Roch, M. Belogolovskii, M. Spankova, S. Chromik, and P. Kus, Appl. Surf.
Sci., 256, No. 18: 5684 (2010).
13. M. Tomasek, T. Plecenik, M. Truchly, J. Noskovic, T. Roch, M. Zahoran,
S. Chromik, M. Spankova, P. Kus, and A. Plecenik, J. Vac. Sci. Technol. B, 29,
No. 1: 01AD04 (2011).
14. T. Plecenik, M. Tomášek, M. Belogolovskii, M. Truchly, M. Gregor,
J. Noskovič, M. Zahoran, T. Roch, I. Boylo, M. Špankova, Š. Chromik, P. Kúš,
and A. Plecenik, J. Appl. Phys., 111, No. 5: 056106 (2012).
15. K. Yamamoto, B. M. Lairson, J. C. Bravman, and T. H. Geballe, J. Appl. Phys.,
69, No. 10: 7189 (1991).
16. S. Inoue, M. Kawai, N. Ichikawa, H. Kageyama, W. Paulus, and Y. Shimakawa,
Nat. Chem., 2, No. 3: 213 (2010).
17. E. Linn, R. Rosezin, C. Kügeler, and R. Waser, Nat. Mater., 9, No. 5: 403
(2010).
18. H. D. Kim, M. J. Yun, and T. G. Kim, Appl. Phys. Lett., 105, No. 21: 213510
(2015).
19. И. В. Короташ, В. В. Одиноков, Г. Я. Павлов, Д. Ю. Полоцкий,
Э. М. Руденко, В. Ф. Семенюк, В. А. Сологуб, К. П. Шамрай,
Наноинженерия, № 4 (10): 3 (2012).
20. В. Ф. Семенюк, Э. М. Руденко, И. В. Короташ, Л. С. Осипов,
Д. Ю. Полоцкий, К. П. Шамрай, В. В. Одиноков, Г. Я. Павлов,
В. А. Сологуб, Металлофиз. новейшие технол., 33, № 2: 223 (2011).
21. И. Короташ, В. Одиноков, Г. Павлов, Д. Полоцкий, Э. Руденко, В. Семенюк,
В. Сологуб, Наноиндустрия, № 1: 10 (2011).
22. А. Шпак, Э. Руденко, И. Короташ, В. Семенюк, К. Шамрай, В. Одиноков,
Г. Павлов, В. Сологуб, Наноиндустрия, № 4: 12 (2009).
23. T. Matsumoto and S. Saito, Physica E, 29, No. 3: 560 (2005).
24. Y. Chai, Y. Wu, K. Takei, H.-Y. Chen, S. Yu, P. C. H. Chan, A. Javey, and
H.-S. P. Wong, IEEE Trans. Electron. Dev., 58, No. 11: 3933 (2011).
25. M. Hori, Y. Tokuda, and H. Kano, Diode and Photovoltaic Device Using Carbon
Nanostructure: Patent US 20100212728 A1 (2010).
26. И. В. Короташ, Э. М. Руденко, А. А. Краковный, В. Ф. Семенюк,
Л. С. Осипов, Д. Ю. Полоцкий, IV Международная научная конференция
МЕМРИСТОРНЫЕ ЭФФЕКТЫ В ТВЁРДОТЕЛЬНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ 1007
«Наноразмерные системы: строение, свойства, технологии–НАНСИС-
2013» (19—22 ноября 2013, Киев), с. 333.
REFERENCES
1. L. O. Chua, IEEE Trans. Circuit Theory, 18, No. 5: 507 (1971).
2. R. Waser and M. Aono, Nat. Mater., 6, No. 11: 833 (2007).
3. A. Sawa, Mater. Today, 11, No. 6: 28 (2008).
4. E. Bichoutskaia, A. M. Popov, and Yu. E. Lozovik, Mater. Today, 11, No. 6: 38
(2008).
5. J. B. Goodenough, Rep. Prog. Phys., 67, No. 11: 1915 (2004).
6. R. J. Cava, B. Batlogg, C. H. Chen, E. A. Rietman, S. M. Zahurak, and
D. Werder, Nature, 329, No. 6138: 423 (1987).
7. M. A. Belogolovskii, Cent. Eur. J. Phys., 7, No. 2: 304 (2009).
8. N. Chandrasekhar, O. T. Valls, and A. M. Goldman, Phys. Rev. Lett., 71, No. 7:
1079 (1993).
9. A. Plecenik, M. Grajcar, P. Seidel, and S. Benacka, Studies of High
Temperature Superconductors (New York: Nova Science Publ.: 1996), vol. 20,
p. 75.
10. H. J. Zhang, X. P. Zhang, J. P. Shi, H. F. Tian, and Y.G. Zhao, Appl. Phys.
Lett., 94, No. 9: 092111 (2009).
11. R. Landauer, IBM J. Res. Dev., 1, No. 3: 223 (1957).
12. A. Plecenik, M. Tomasek, T. Plecenik, M. Truchly, J. Noskovic, M. Zahoran,
T. Roch, M. Belogolovskii, M. Spankova, S. Chromik, and P. Kus, Appl. Surf.
Sci., 256, No. 18: 5684 (2010).
13. M. Tomasek, T. Plecenik, M. Truchly, J. Noskovic, T. Roch, M. Zahoran,
S. Chromik, M. Spankova, P. Kus, and A. Plecenik, J. Vac. Sci. Technol. B, 29,
No. 1: 01AD04 (2011).
14. T. Plecenik, M. Tomášek, M. Belogolovskii, M. Truchly, M. Gregor,
J. Noskovič, M. Zahoran, T. Roch, I. Boylo, M. Špankova, Š. Chromik, P. Kúš,
and A. Plecenik, J. Appl. Phys., 111, No. 5: 056106 (2012).
15. K. Yamamoto, B. M. Lairson, J. C. Bravman, and T. H. Geballe, J. Appl. Phys.,
69, No. 10: 7189 (1991).
16. S. Inoue, M. Kawai, N. Ichikawa, H. Kageyama, W. Paulus, and Y. Shimakawa,
Nat. Chem., 2, No. 3: 213 (2010).
17. E. Linn, R. Rosezin, C. Kügeler, and R. Waser, Nat. Mater., 9, No. 5: 403
(2010).
18. H. D. Kim, M. J. Yun, and T. G. Kim, Appl. Phys. Lett., 105, No. 21: 213510
(2015).
19. I. V. Korotash, V.V. Odinokov, G. Ya. Pavlov, D. Yu. Polotskii,
E. M. Rudenko, V. F. Semenyuk, V. А. Sologub, and К. P. Shamrai,
Nanoengineering, No. 4 (10): 3 (2012) (in Russian).
20. V. F. Semenyuk, Eh. M. Rudenko, I. V. Korotash, L. S. Osipov,
D. Yu. Polotskiy, K. P. Shamray, V. V. Odinokov, G. Ya. Pavlov, and
V. A. Sologub, Metallofiz. Noveishie Tekhnol., 33, No. 2: 223 (2011) (in
Russian).
21. I. Korotash, V. Odinokov, G. Pavlov, D. Polotskii, E. Rudenko, V. Semenyuk,
and V. Sologub, Nanoindustry, No. 1: 10 (2011) (in Russian).
1008 Э. М. РУДЕНКО, М. А. БЕЛОГОЛОВСКИЙ, И. В. КОРОТАШ и др.
22. А. Shpak, E. Rudenko, I. Korotash, V. Semenyuk, К. Shamrai, V. Odinokov,
G. Pavlov, and V. Sologub, Nanoindustry, No. 4: 12 (2009) (in Russian).
23. T. Matsumoto and S. Saito, Physica E, 29, No. 3: 560 (2005).
24. Y. Chai, Y.Wu, K. Takei, H.-Y. Chen, S. Yu, P. C. H. Chan, A. Javey, and
H.-S. P. Wong, IEEE Trans. Electron. Dev., 58, No. 11: 3933 (2011).
25. M. Hori, Y. Tokuda, and H. Kano, Diode and Photovoltaic Device Using Carbon
Nanostructure: Patent US 20100212728 A1 (2010).
26. I. V. Korotash, Eh. M. Rudenko, А. O. Krakovnyy, V. F. Semenyuk,
L. S. Osipov, and D. Yu. Polots’kyy, IV International Scientific Conference
‘Nanoscaled Systems: Structure, Properties, Technologies–NANSYS-2013’
(November 19—22, 2013, Kyiv), p. 333 (in Russian).
<<
/ASCII85EncodePages false
/AllowTransparency false
/AutoPositionEPSFiles true
/AutoRotatePages /None
/Binding /Left
/CalGrayProfile (Dot Gain 20%)
/CalRGBProfile (sRGB IEC61966-2.1)
/CalCMYKProfile (U.S. Web Coated \050SWOP\051 v2)
/sRGBProfile (sRGB IEC61966-2.1)
/CannotEmbedFontPolicy /Error
/CompatibilityLevel 1.4
/CompressObjects /Tags
/CompressPages true
/ConvertImagesToIndexed true
/PassThroughJPEGImages true
/CreateJobTicket false
/DefaultRenderingIntent /Default
/DetectBlends true
/DetectCurves 0.0000
/ColorConversionStrategy /CMYK
/DoThumbnails false
/EmbedAllFonts true
/EmbedOpenType false
/ParseICCProfilesInComments true
/EmbedJobOptions true
/DSCReportingLevel 0
/EmitDSCWarnings false
/EndPage -1
/ImageMemory 1048576
/LockDistillerParams false
/MaxSubsetPct 100
/Optimize true
/OPM 1
/ParseDSCComments true
/ParseDSCCommentsForDocInfo true
/PreserveCopyPage true
/PreserveDICMYKValues true
/PreserveEPSInfo true
/PreserveFlatness true
/PreserveHalftoneInfo false
/PreserveOPIComments true
/PreserveOverprintSettings true
/StartPage 1
/SubsetFonts true
/TransferFunctionInfo /Apply
/UCRandBGInfo /Preserve
/UsePrologue false
/ColorSettingsFile ()
/AlwaysEmbed [ true
]
/NeverEmbed [ true
]
/AntiAliasColorImages false
/CropColorImages true
/ColorImageMinResolution 300
/ColorImageMinResolutionPolicy /OK
/DownsampleColorImages true
/ColorImageDownsampleType /Bicubic
/ColorImageResolution 300
/ColorImageDepth -1
/ColorImageMinDownsampleDepth 1
/ColorImageDownsampleThreshold 1.50000
/EncodeColorImages true
/ColorImageFilter /DCTEncode
/AutoFilterColorImages true
/ColorImageAutoFilterStrategy /JPEG
/ColorACSImageDict <<
/QFactor 0.15
/HSamples [1 1 1 1] /VSamples [1 1 1 1]
>>
/ColorImageDict <<
/QFactor 0.15
/HSamples [1 1 1 1] /VSamples [1 1 1 1]
>>
/JPEG2000ColorACSImageDict <<
/TileWidth 256
/TileHeight 256
/Quality 30
>>
/JPEG2000ColorImageDict <<
/TileWidth 256
/TileHeight 256
/Quality 30
>>
/AntiAliasGrayImages false
/CropGrayImages true
/GrayImageMinResolution 300
/GrayImageMinResolutionPolicy /OK
/DownsampleGrayImages true
/GrayImageDownsampleType /Bicubic
/GrayImageResolution 300
/GrayImageDepth -1
/GrayImageMinDownsampleDepth 2
/GrayImageDownsampleThreshold 1.50000
/EncodeGrayImages true
/GrayImageFilter /DCTEncode
/AutoFilterGrayImages true
/GrayImageAutoFilterStrategy /JPEG
/GrayACSImageDict <<
/QFactor 0.15
/HSamples [1 1 1 1] /VSamples [1 1 1 1]
>>
/GrayImageDict <<
/QFactor 0.15
/HSamples [1 1 1 1] /VSamples [1 1 1 1]
>>
/JPEG2000GrayACSImageDict <<
/TileWidth 256
/TileHeight 256
/Quality 30
>>
/JPEG2000GrayImageDict <<
/TileWidth 256
/TileHeight 256
/Quality 30
>>
/AntiAliasMonoImages false
/CropMonoImages true
/MonoImageMinResolution 1200
/MonoImageMinResolutionPolicy /OK
/DownsampleMonoImages true
/MonoImageDownsampleType /Bicubic
/MonoImageResolution 1200
/MonoImageDepth -1
/MonoImageDownsampleThreshold 1.50000
/EncodeMonoImages true
/MonoImageFilter /CCITTFaxEncode
/MonoImageDict <<
/K -1
>>
/AllowPSXObjects false
/CheckCompliance [
/None
]
/PDFX1aCheck false
/PDFX3Check false
/PDFXCompliantPDFOnly false
/PDFXNoTrimBoxError true
/PDFXTrimBoxToMediaBoxOffset [
0.00000
0.00000
0.00000
0.00000
]
/PDFXSetBleedBoxToMediaBox true
/PDFXBleedBoxToTrimBoxOffset [
0.00000
0.00000
0.00000
0.00000
]
/PDFXOutputIntentProfile ()
/PDFXOutputConditionIdentifier ()
/PDFXOutputCondition ()
/PDFXRegistryName ()
/PDFXTrapped /False
/CreateJDFFile false
/Description <<
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
/BGR <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>
/CHS <FEFF4f7f75288fd94e9b8bbe5b9a521b5efa7684002000410064006f006200650020005000440046002065876863900275284e8e9ad88d2891cf76845370524d53705237300260a853ef4ee54f7f75280020004100630072006f0062006100740020548c002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e003000204ee553ca66f49ad87248672c676562535f00521b5efa768400200050004400460020658768633002>
/CHT <FEFF4f7f752890194e9b8a2d7f6e5efa7acb7684002000410064006f006200650020005000440046002065874ef69069752865bc9ad854c18cea76845370524d5370523786557406300260a853ef4ee54f7f75280020004100630072006f0062006100740020548c002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e003000204ee553ca66f49ad87248672c4f86958b555f5df25efa7acb76840020005000440046002065874ef63002>
/CZE <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>
/DAN <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>
/DEU <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>
/ESP <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>
/ETI <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>
/FRA <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>
/GRE <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>
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
/HRV (Za stvaranje Adobe PDF dokumenata najpogodnijih za visokokvalitetni ispis prije tiskanja koristite ove postavke. Stvoreni PDF dokumenti mogu se otvoriti Acrobat i Adobe Reader 5.0 i kasnijim verzijama.)
/HUN <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>
/ITA <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>
/JPN <FEFF9ad854c18cea306a30d730ea30d730ec30b951fa529b7528002000410064006f0062006500200050004400460020658766f8306e4f5c6210306b4f7f75283057307e305930023053306e8a2d5b9a30674f5c62103055308c305f0020005000440046002030d530a130a430eb306f3001004100630072006f0062006100740020304a30883073002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e003000204ee5964d3067958b304f30533068304c3067304d307e305930023053306e8a2d5b9a306b306f30d530a930f330c8306e57cb30818fbc307f304c5fc59808306730593002>
/KOR <FEFFc7740020c124c815c7440020c0acc6a9d558c5ec0020ace0d488c9c80020c2dcd5d80020c778c1c4c5d00020ac00c7a50020c801d569d55c002000410064006f0062006500200050004400460020bb38c11cb97c0020c791c131d569b2c8b2e4002e0020c774b807ac8c0020c791c131b41c00200050004400460020bb38c11cb2940020004100630072006f0062006100740020bc0f002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e00300020c774c0c1c5d0c11c0020c5f40020c2180020c788c2b5b2c8b2e4002e>
/LTH <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>
/LVI <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>
/NLD (Gebruik deze instellingen om Adobe PDF-documenten te maken die zijn geoptimaliseerd voor prepress-afdrukken van hoge kwaliteit. De gemaakte PDF-documenten kunnen worden geopend met Acrobat en Adobe Reader 5.0 en hoger.)
/NOR <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>
/POL <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>
/PTB <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>
/RUM <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>
/RUS <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>
/SKY <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>
/SLV <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>
/SUO <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>
/SVE <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>
/TUR <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>
/UKR <FEFF04120438043a043e0440043804410442043e043204430439044204350020044604560020043f043004400430043c043504420440043800200434043b044f0020044104420432043e04400435043d043d044f00200434043e043a0443043c0435043d044204560432002000410064006f006200650020005000440046002c0020044f043a04560020043d04300439043a04400430044904350020043f045604340445043e0434044f0442044c00200434043b044f0020043204380441043e043a043e044f043a04560441043d043e0433043e0020043f0435044004350434043404400443043a043e0432043e0433043e0020043404400443043a0443002e00200020042104420432043e04400435043d045600200434043e043a0443043c0435043d0442043800200050004400460020043c043e0436043d04300020043204560434043a0440043804420438002004430020004100630072006f006200610074002004420430002000410064006f00620065002000520065006100640065007200200035002e0030002004300431043e0020043f04560437043d04560448043e04570020043204350440044104560457002e>
/ENU (Use these settings to create Adobe PDF documents best suited for high-quality prepress printing. Created PDF documents can be opened with Acrobat and Adobe Reader 5.0 and later.)
>>
/Namespace [
(Adobe)
(Common)
(1.0)
]
/OtherNamespaces [
<<
/AsReaderSpreads false
/CropImagesToFrames true
/ErrorControl /WarnAndContinue
/FlattenerIgnoreSpreadOverrides false
/IncludeGuidesGrids false
/IncludeNonPrinting false
/IncludeSlug false
/Namespace [
(Adobe)
(InDesign)
(4.0)
]
/OmitPlacedBitmaps false
/OmitPlacedEPS false
/OmitPlacedPDF false
/SimulateOverprint /Legacy
>>
<<
/AddBleedMarks false
/AddColorBars false
/AddCropMarks false
/AddPageInfo false
/AddRegMarks false
/ConvertColors /ConvertToCMYK
/DestinationProfileName ()
/DestinationProfileSelector /DocumentCMYK
/Downsample16BitImages true
/FlattenerPreset <<
/PresetSelector /MediumResolution
>>
/FormElements false
/GenerateStructure false
/IncludeBookmarks false
/IncludeHyperlinks false
/IncludeInteractive false
/IncludeLayers false
/IncludeProfiles false
/MultimediaHandling /UseObjectSettings
/Namespace [
(Adobe)
(CreativeSuite)
(2.0)
]
/PDFXOutputIntentProfileSelector /DocumentCMYK
/PreserveEditing true
/UntaggedCMYKHandling /LeaveUntagged
/UntaggedRGBHandling /UseDocumentProfile
/UseDocumentBleed false
>>
]
>> setdistillerparams
<<
/HWResolution [2400 2400]
/PageSize [612.000 792.000]
>> setpagedevice
|