Приборы на основе CdTe и CdZnTe для технологического контроля и мониторинга радиационной обстановки на АЭС

• Datum: 2006
• Hauptverfasser: Ажажа, В.М., Кутний, В.Е., Рыбка, А.В., Давыдов, Л.Н., Шляхов, И.Н., Захарченко, А.А., Кутний, Д.В., Наконечный, Д.В.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2006
• Schlagworte: Інноваційні проекти Національної академії наук України
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/113940
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Приборы на основе CdTe и CdZnTe для технологического контроля и мониторинга радиационной обстановки на АЭС / В.М. Ажажа, В.Е. Кутний, А.В. Рыбка, Л.Н. Давыдов, И.Н. Шляхов, А.А. Захарченко, Д.В. Кутний, Д.В. Наконечный // Наука та інновації. — 2006. — Т. 2, № 6. — С. 31-38. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.

Описаны приборы на основе широкозонного полупроводникового соединения CdTe, CdZnTe – широкодиапазонный дозиметр γ - и рентгеновского излучений, а также дозиметр для контроля мощности дозы излучения в аварийных ситуациях. Детекторы γ - и рентгеновского излучений на основе CdTe и CdZnTe обладают ряд...