Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots

Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots

Capacitance spectroscopy is used to study electronic properties of self-assembled InAs quantum dots. The capacitance-voltage, C(V), measurements in combination with the magneto-capacitance, C(B), results make it possible to investigate the electrostatic profile of a series of single-barrier n-i-n Ga...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:1998
Автори: Martin, P.M., Belyaev, A.E., Eaves, L., Main, P.C., Sheard, F.W., Ihn, T., Henini, M.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1998
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/114663
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots / P.M. Martin, A.E. Belyaev, L. Eaves, P.C. Main, F.W. Sheard, T. Ihn, M. Henini // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 7-12. — Бібліогр.: 16 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-114663
record_format dspace
spelling Martin, P.M.
Belyaev, A.E.
Eaves, L.
Main, P.C.
Sheard, F.W.
Ihn, T.
Henini, M.
2017-03-11T15:54:43Z
2017-03-11T15:54:43Z
1998
Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots / P.M. Martin, A.E. Belyaev, L. Eaves, P.C. Main, F.W. Sheard, T. Ihn, M. Henini // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 7-12. — Бібліогр.: 16 назв. — англ.
1560-8034
PACS 73.20; 75.50 Pp
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/114663
Capacitance spectroscopy is used to study electronic properties of self-assembled InAs quantum dots. The capacitance-voltage, C(V), measurements in combination with the magneto-capacitance, C(B), results make it possible to investigate the electrostatic profile of a series of single-barrier n-i-n GaAs/AlAs/GaAs heterostructures incorporating a layer of self-assembled InAs quantum dots in the AlAs barrier. We find that the negative charge associated with electron filling of the dots is closely compensated by a positive charge in the AlAs barrier, which we ascribe to ionised defects or impurities, possibly in association with the quantum dots. It is shown the compensation degree considerably depends on the growth conditions.
Ємнiсна спектроскопiя використується для дослiдження електронних властивостей само-органiзованих InAs квантових точок. Вимiрювання вольт-фарадних характеристик, C(V), одночасно з даними по магнето-емностi, C(B), дозволяють дослiджувати електростатичний профiль однобар.єрних p-i-n GaAs/AlAs/GaAs гетероструктур, якi мiстять в AlAs бар.єрі шар само-органiзованих InAs квантових точок. Ми визначили, що негативний заряд, пов.язаний з заповненням квантових точок електронами, майже повнiстю компенсується позитивним зарядом в AlAs бар.єрi, що, на нашу думку, пов.язано з iонiзованими дефектами чи домiшками, якi обумовлені квантовими точками. Показано, що мiра компенсацiї суттєво залежить вiд ростових умов.
Емкостная спектроскопия используется для исследования электронных свойств само-организованных InAs квантовых точек. Измерение вольт-фарадных характеристик, C(V), совместно с данными по магнето-емкости, C(B), позволяют исследовать электростатический профиль однобарьерных p-i-n GaAs/AlAs/GaAs гетероструктур, содержащих в AlAs барьере слой само-организованных InAs квантовых точек. Мы установили, что отрицательный заряд, связанный с заполнением квантовых точек электронами, почти полностью компенсируется положительным зарядом в AlAs барьере, который, по нашему мнению, связан с ионизованными дефектами или примесями, обусловленными квантовыми точками. Показано, что степень компенсации существенно зависит от ростовых условий.
This work is supported by EPSRC (U.K.). A.E.Belyaev and L.Eaves acknowledge the financial support of the Royal Society and EPSRC, respectively. A.E.B. was partly supported by STCU under Project No.464.
en
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots
Емнiсна спектроскопiя InAs само-органiзованих квантових точок
Емкостная спектроскопия InAs само-организованных квантовых точек
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots
spellingShingle Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots
Martin, P.M.
Belyaev, A.E.
Eaves, L.
Main, P.C.
Sheard, F.W.
Ihn, T.
Henini, M.
title_short Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots
title_full Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots
title_fullStr Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots
title_full_unstemmed Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots
title_sort capacitance spectroscopy of inas self-assembled quantum dots
author Martin, P.M.
Belyaev, A.E.
Eaves, L.
Main, P.C.
Sheard, F.W.
Ihn, T.
Henini, M.
author_facet Martin, P.M.
Belyaev, A.E.
Eaves, L.
Main, P.C.
Sheard, F.W.
Ihn, T.
Henini, M.
publishDate 1998
language English
container_title Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Емнiсна спектроскопiя InAs само-органiзованих квантових точок
Емкостная спектроскопия InAs само-организованных квантовых точек
description Capacitance spectroscopy is used to study electronic properties of self-assembled InAs quantum dots. The capacitance-voltage, C(V), measurements in combination with the magneto-capacitance, C(B), results make it possible to investigate the electrostatic profile of a series of single-barrier n-i-n GaAs/AlAs/GaAs heterostructures incorporating a layer of self-assembled InAs quantum dots in the AlAs barrier. We find that the negative charge associated with electron filling of the dots is closely compensated by a positive charge in the AlAs barrier, which we ascribe to ionised defects or impurities, possibly in association with the quantum dots. It is shown the compensation degree considerably depends on the growth conditions. Ємнiсна спектроскопiя використується для дослiдження електронних властивостей само-органiзованих InAs квантових точок. Вимiрювання вольт-фарадних характеристик, C(V), одночасно з даними по магнето-емностi, C(B), дозволяють дослiджувати електростатичний профiль однобар.єрних p-i-n GaAs/AlAs/GaAs гетероструктур, якi мiстять в AlAs бар.єрі шар само-органiзованих InAs квантових точок. Ми визначили, що негативний заряд, пов.язаний з заповненням квантових точок електронами, майже повнiстю компенсується позитивним зарядом в AlAs бар.єрi, що, на нашу думку, пов.язано з iонiзованими дефектами чи домiшками, якi обумовлені квантовими точками. Показано, що мiра компенсацiї суттєво залежить вiд ростових умов. Емкостная спектроскопия используется для исследования электронных свойств само-организованных InAs квантовых точек. Измерение вольт-фарадных характеристик, C(V), совместно с данными по магнето-емкости, C(B), позволяют исследовать электростатический профиль однобарьерных p-i-n GaAs/AlAs/GaAs гетероструктур, содержащих в AlAs барьере слой само-организованных InAs квантовых точек. Мы установили, что отрицательный заряд, связанный с заполнением квантовых точек электронами, почти полностью компенсируется положительным зарядом в AlAs барьере, который, по нашему мнению, связан с ионизованными дефектами или примесями, обусловленными квантовыми точками. Показано, что степень компенсации существенно зависит от ростовых условий.
issn 1560-8034
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/114663
fulltext
citation_txt Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots / P.M. Martin, A.E. Belyaev, L. Eaves, P.C. Main, F.W. Sheard, T. Ihn, M. Henini // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 7-12. — Бібліогр.: 16 назв. — англ.
work_keys_str_mv AT martinpm capacitancespectroscopyofinasselfassembledquantumdots
AT belyaevae capacitancespectroscopyofinasselfassembledquantumdots
AT eavesl capacitancespectroscopyofinasselfassembledquantumdots
AT mainpc capacitancespectroscopyofinasselfassembledquantumdots
AT sheardfw capacitancespectroscopyofinasselfassembledquantumdots
AT ihnt capacitancespectroscopyofinasselfassembledquantumdots
AT heninim capacitancespectroscopyofinasselfassembledquantumdots
AT martinpm emnisnaspektroskopiâinassamoorganizovanihkvantovihtočok
AT belyaevae emnisnaspektroskopiâinassamoorganizovanihkvantovihtočok
AT eavesl emnisnaspektroskopiâinassamoorganizovanihkvantovihtočok
AT mainpc emnisnaspektroskopiâinassamoorganizovanihkvantovihtočok
AT sheardfw emnisnaspektroskopiâinassamoorganizovanihkvantovihtočok
AT ihnt emnisnaspektroskopiâinassamoorganizovanihkvantovihtočok
AT heninim emnisnaspektroskopiâinassamoorganizovanihkvantovihtočok
AT martinpm emkostnaâspektroskopiâinassamoorganizovannyhkvantovyhtoček
AT belyaevae emkostnaâspektroskopiâinassamoorganizovannyhkvantovyhtoček
AT eavesl emkostnaâspektroskopiâinassamoorganizovannyhkvantovyhtoček
AT mainpc emkostnaâspektroskopiâinassamoorganizovannyhkvantovyhtoček
AT sheardfw emkostnaâspektroskopiâinassamoorganizovannyhkvantovyhtoček
AT ihnt emkostnaâspektroskopiâinassamoorganizovannyhkvantovyhtoček
AT heninim emkostnaâspektroskopiâinassamoorganizovannyhkvantovyhtoček
first_indexed 2025-11-24T10:57:31Z
last_indexed 2025-11-24T10:57:31Z
_version_ 1850845253619154944

Схожі ресурси