Photosensitive porous silicon based structures

Photosensitive porous silicon based structures

We present results of electrical and photoelectrical measurements on two types of Al/porous silicon (PS)/monocrystalline silicon (c-Si)/Al sandwich structures with thin and thick PS layers obtained by stain etching. Current-voltage characteristics and photosensitivity spectra indicate that for struc...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:1998
Автори: Svechnikov, S.V., Kaganovich, E.B., Manoilov, E.G.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1998
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/114664
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Photosensitive porous silicon based structures / S.V. Svechnikov, E.B. Kaganovich, E.G. Manoilov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 13-17. — Бібліогр.: 32 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-114664
record_format dspace
spelling Svechnikov, S.V.
Kaganovich, E.B.
Manoilov, E.G.
2017-03-11T15:56:51Z
2017-03-11T15:56:51Z
1998
Photosensitive porous silicon based structures / S.V. Svechnikov, E.B. Kaganovich, E.G. Manoilov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 13-17. — Бібліогр.: 32 назв. — англ.
1560-8034
PACS 73.50.P; 47.55.M
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/114664
621.382
We present results of electrical and photoelectrical measurements on two types of Al/porous silicon (PS)/monocrystalline silicon (c-Si)/Al sandwich structures with thin and thick PS layers obtained by stain etching. Current-voltage characteristics and photosensitivity spectra indicate that for structures with a thin PS layer the photosensitivity is determined by PS/c-Si heterojunctions (HJ), while for structures with a thick PS layer – by the PS layers themselves. The properties of PS/c-Si HJ were explained in the framework of a band diagram of the isotype HJ with opposite band bendings on the sides due to a high concentration of defect centers at the heterointerface. PS layers exhibit photoconduction with the photosensitivity maximum at 400–500 nm. The results are compared with those obtained for the structures based on PS layers prepared by electrochemical anodization.
Представлені результати електричних та фотоелектричних вимірювань двох типів Al/пористий кремній (ПК)/монокристалічний кремній (c-Si)/Al сендвич структур с тонкими та товстими шарами ПК, що одержані хімічним забарвлюючим травленням. Вольт-амперні характеристики та спектри фотовідгуків свідчать про те, що фоточутливість структур з тонкими шарами ПК переважно визначається гетеропереходом (ГП) ПК/c-Si, а з товстими . ПК шарами. Властивості ГП з.ясовані в рамках зонної діаграми ізотипного ГП з протилежними напрямками вигину зон по обидва боки переходу завдяки високій концентрації дефектів на межі розподілу. ПК шари . фоточутливі, з максимумом чутливості біля 400,500 нм. Результати порівнюються з такими для структур на основі шарів ПК, що одержані eлектрохімічним травленням.
Представлены результаты электрических и фотоэлектрических измерений двух типов Al/пористый кремний (ПК)/ монокристаллический кремний (c-Si)/Al сэндвич структур с тонкими и толстыми слоями ПК, полученными химическим окрашивающим травлением. Вольт-амперные характеристики и спектры фотооткликов свидетельствуют, что фоточувствительность структур с тонкими слоями ПК определяется гетеропереходом (ГП) ПК/c-Si, а с толстыми . ПК слоями. Свойства ГП объяснены в рамках зонной диаграммы изотипного ГП с противоположными направлениями изгибов зон по обе стороны перехода из-за высокой концентрации дефектов на гетерогранице. ПК слои . фотопроводящие с максимумом фоточувствительности при 400,500 нм. Результаты сравниваются с таковыми для структур на основе слоев ПК, полученных электрохимическим травлением.
en
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Photosensitive porous silicon based structures
Фоточутливі структури на базі пористого кремнію
Фоточувствительные структуры на основе пористого кремния
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Photosensitive porous silicon based structures
spellingShingle Photosensitive porous silicon based structures
Svechnikov, S.V.
Kaganovich, E.B.
Manoilov, E.G.
title_short Photosensitive porous silicon based structures
title_full Photosensitive porous silicon based structures
title_fullStr Photosensitive porous silicon based structures
title_full_unstemmed Photosensitive porous silicon based structures
title_sort photosensitive porous silicon based structures
author Svechnikov, S.V.
Kaganovich, E.B.
Manoilov, E.G.
author_facet Svechnikov, S.V.
Kaganovich, E.B.
Manoilov, E.G.
publishDate 1998
language English
container_title Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Фоточутливі структури на базі пористого кремнію
Фоточувствительные структуры на основе пористого кремния
description We present results of electrical and photoelectrical measurements on two types of Al/porous silicon (PS)/monocrystalline silicon (c-Si)/Al sandwich structures with thin and thick PS layers obtained by stain etching. Current-voltage characteristics and photosensitivity spectra indicate that for structures with a thin PS layer the photosensitivity is determined by PS/c-Si heterojunctions (HJ), while for structures with a thick PS layer – by the PS layers themselves. The properties of PS/c-Si HJ were explained in the framework of a band diagram of the isotype HJ with opposite band bendings on the sides due to a high concentration of defect centers at the heterointerface. PS layers exhibit photoconduction with the photosensitivity maximum at 400–500 nm. The results are compared with those obtained for the structures based on PS layers prepared by electrochemical anodization. Представлені результати електричних та фотоелектричних вимірювань двох типів Al/пористий кремній (ПК)/монокристалічний кремній (c-Si)/Al сендвич структур с тонкими та товстими шарами ПК, що одержані хімічним забарвлюючим травленням. Вольт-амперні характеристики та спектри фотовідгуків свідчать про те, що фоточутливість структур з тонкими шарами ПК переважно визначається гетеропереходом (ГП) ПК/c-Si, а з товстими . ПК шарами. Властивості ГП з.ясовані в рамках зонної діаграми ізотипного ГП з протилежними напрямками вигину зон по обидва боки переходу завдяки високій концентрації дефектів на межі розподілу. ПК шари . фоточутливі, з максимумом чутливості біля 400,500 нм. Результати порівнюються з такими для структур на основі шарів ПК, що одержані eлектрохімічним травленням. Представлены результаты электрических и фотоэлектрических измерений двух типов Al/пористый кремний (ПК)/ монокристаллический кремний (c-Si)/Al сэндвич структур с тонкими и толстыми слоями ПК, полученными химическим окрашивающим травлением. Вольт-амперные характеристики и спектры фотооткликов свидетельствуют, что фоточувствительность структур с тонкими слоями ПК определяется гетеропереходом (ГП) ПК/c-Si, а с толстыми . ПК слоями. Свойства ГП объяснены в рамках зонной диаграммы изотипного ГП с противоположными направлениями изгибов зон по обе стороны перехода из-за высокой концентрации дефектов на гетерогранице. ПК слои . фотопроводящие с максимумом фоточувствительности при 400,500 нм. Результаты сравниваются с таковыми для структур на основе слоев ПК, полученных электрохимическим травлением.
issn 1560-8034
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/114664
citation_txt Photosensitive porous silicon based structures / S.V. Svechnikov, E.B. Kaganovich, E.G. Manoilov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 13-17. — Бібліогр.: 32 назв. — англ.
work_keys_str_mv AT svechnikovsv photosensitiveporoussiliconbasedstructures
AT kaganovicheb photosensitiveporoussiliconbasedstructures
AT manoiloveg photosensitiveporoussiliconbasedstructures
AT svechnikovsv fotočutlivístrukturinabazíporistogokremníû
AT kaganovicheb fotočutlivístrukturinabazíporistogokremníû
AT manoiloveg fotočutlivístrukturinabazíporistogokremníû
AT svechnikovsv fotočuvstvitelʹnyestrukturynaosnoveporistogokremniâ
AT kaganovicheb fotočuvstvitelʹnyestrukturynaosnoveporistogokremniâ
AT manoiloveg fotočuvstvitelʹnyestrukturynaosnoveporistogokremniâ
first_indexed 2025-12-07T18:04:03Z
last_indexed 2025-12-07T18:04:03Z
_version_ 1850873629682696192

Схожі ресурси