Photosensitive porous silicon based structures
We present results of electrical and photoelectrical measurements on two types of Al/porous silicon (PS)/monocrystalline silicon (c-Si)/Al sandwich structures with thin and thick PS layers obtained by stain etching. Current-voltage characteristics and photosensitivity spectra indicate that for struc...
Saved in:
| Published in: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Date: | 1998 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1998
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/114664 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Photosensitive porous silicon based structures / S.V. Svechnikov, E.B. Kaganovich, E.G. Manoilov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 13-17. — Бібліогр.: 32 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862716335240249344 |
|---|---|
| author | Svechnikov, S.V. Kaganovich, E.B. Manoilov, E.G. |
| author_facet | Svechnikov, S.V. Kaganovich, E.B. Manoilov, E.G. |
| citation_txt | Photosensitive porous silicon based structures / S.V. Svechnikov, E.B. Kaganovich, E.G. Manoilov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 13-17. — Бібліогр.: 32 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| description | We present results of electrical and photoelectrical measurements on two types of Al/porous silicon (PS)/monocrystalline silicon (c-Si)/Al sandwich structures with thin and thick PS layers obtained by stain etching. Current-voltage characteristics and photosensitivity spectra indicate that for structures with a thin PS layer the photosensitivity is determined by PS/c-Si heterojunctions (HJ), while for structures with a thick PS layer – by the PS layers themselves. The properties of PS/c-Si HJ were explained in the framework of a band diagram of the isotype HJ with opposite band bendings on the sides due to a high concentration of defect centers at the heterointerface. PS layers exhibit photoconduction with the photosensitivity maximum at 400–500 nm. The results are compared with those obtained for the structures based on PS layers prepared by electrochemical anodization.
Представлені результати електричних та фотоелектричних вимірювань двох типів Al/пористий кремній (ПК)/монокристалічний кремній (c-Si)/Al сендвич структур с тонкими та товстими шарами ПК, що одержані хімічним забарвлюючим травленням. Вольт-амперні характеристики та спектри фотовідгуків свідчать про те, що фоточутливість структур з тонкими шарами ПК переважно визначається гетеропереходом (ГП) ПК/c-Si, а з товстими . ПК шарами. Властивості ГП з.ясовані в рамках зонної діаграми ізотипного ГП з протилежними напрямками вигину зон по обидва боки переходу завдяки високій концентрації дефектів на межі розподілу. ПК шари . фоточутливі, з максимумом чутливості біля 400,500 нм. Результати порівнюються з такими для структур на основі шарів ПК, що одержані eлектрохімічним травленням.
Представлены результаты электрических и фотоэлектрических измерений двух типов Al/пористый кремний (ПК)/ монокристаллический кремний (c-Si)/Al сэндвич структур с тонкими и толстыми слоями ПК, полученными химическим окрашивающим травлением. Вольт-амперные характеристики и спектры фотооткликов свидетельствуют, что фоточувствительность структур с тонкими слоями ПК определяется гетеропереходом (ГП) ПК/c-Si, а с толстыми . ПК слоями. Свойства ГП объяснены в рамках зонной диаграммы изотипного ГП с противоположными направлениями изгибов зон по обе стороны перехода из-за высокой концентрации дефектов на гетерогранице. ПК слои . фотопроводящие с максимумом фоточувствительности при 400,500 нм. Результаты сравниваются с таковыми для структур на основе слоев ПК, полученных электрохимическим травлением.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:04:03Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-114664 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1560-8034 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-07T18:04:03Z |
| publishDate | 1998 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Svechnikov, S.V. Kaganovich, E.B. Manoilov, E.G. 2017-03-11T15:56:51Z 2017-03-11T15:56:51Z 1998 Photosensitive porous silicon based structures / S.V. Svechnikov, E.B. Kaganovich, E.G. Manoilov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 13-17. — Бібліогр.: 32 назв. — англ. 1560-8034 PACS 73.50.P; 47.55.M https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/114664 621.382 We present results of electrical and photoelectrical measurements on two types of Al/porous silicon (PS)/monocrystalline silicon (c-Si)/Al sandwich structures with thin and thick PS layers obtained by stain etching. Current-voltage characteristics and photosensitivity spectra indicate that for structures with a thin PS layer the photosensitivity is determined by PS/c-Si heterojunctions (HJ), while for structures with a thick PS layer – by the PS layers themselves. The properties of PS/c-Si HJ were explained in the framework of a band diagram of the isotype HJ with opposite band bendings on the sides due to a high concentration of defect centers at the heterointerface. PS layers exhibit photoconduction with the photosensitivity maximum at 400–500 nm. The results are compared with those obtained for the structures based on PS layers prepared by electrochemical anodization. Представлені результати електричних та фотоелектричних вимірювань двох типів Al/пористий кремній (ПК)/монокристалічний кремній (c-Si)/Al сендвич структур с тонкими та товстими шарами ПК, що одержані хімічним забарвлюючим травленням. Вольт-амперні характеристики та спектри фотовідгуків свідчать про те, що фоточутливість структур з тонкими шарами ПК переважно визначається гетеропереходом (ГП) ПК/c-Si, а з товстими . ПК шарами. Властивості ГП з.ясовані в рамках зонної діаграми ізотипного ГП з протилежними напрямками вигину зон по обидва боки переходу завдяки високій концентрації дефектів на межі розподілу. ПК шари . фоточутливі, з максимумом чутливості біля 400,500 нм. Результати порівнюються з такими для структур на основі шарів ПК, що одержані eлектрохімічним травленням. Представлены результаты электрических и фотоэлектрических измерений двух типов Al/пористый кремний (ПК)/ монокристаллический кремний (c-Si)/Al сэндвич структур с тонкими и толстыми слоями ПК, полученными химическим окрашивающим травлением. Вольт-амперные характеристики и спектры фотооткликов свидетельствуют, что фоточувствительность структур с тонкими слоями ПК определяется гетеропереходом (ГП) ПК/c-Si, а с толстыми . ПК слоями. Свойства ГП объяснены в рамках зонной диаграммы изотипного ГП с противоположными направлениями изгибов зон по обе стороны перехода из-за высокой концентрации дефектов на гетерогранице. ПК слои . фотопроводящие с максимумом фоточувствительности при 400,500 нм. Результаты сравниваются с таковыми для структур на основе слоев ПК, полученных электрохимическим травлением. en Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics Photosensitive porous silicon based structures Фоточутливі структури на базі пористого кремнію Фоточувствительные структуры на основе пористого кремния Article published earlier |
| spellingShingle | Photosensitive porous silicon based structures Svechnikov, S.V. Kaganovich, E.B. Manoilov, E.G. |
| title | Photosensitive porous silicon based structures |
| title_alt | Фоточутливі структури на базі пористого кремнію Фоточувствительные структуры на основе пористого кремния |
| title_full | Photosensitive porous silicon based structures |
| title_fullStr | Photosensitive porous silicon based structures |
| title_full_unstemmed | Photosensitive porous silicon based structures |
| title_short | Photosensitive porous silicon based structures |
| title_sort | photosensitive porous silicon based structures |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/114664 |
| work_keys_str_mv | AT svechnikovsv photosensitiveporoussiliconbasedstructures AT kaganovicheb photosensitiveporoussiliconbasedstructures AT manoiloveg photosensitiveporoussiliconbasedstructures AT svechnikovsv fotočutlivístrukturinabazíporistogokremníû AT kaganovicheb fotočutlivístrukturinabazíporistogokremníû AT manoiloveg fotočutlivístrukturinabazíporistogokremníû AT svechnikovsv fotočuvstvitelʹnyestrukturynaosnoveporistogokremniâ AT kaganovicheb fotočuvstvitelʹnyestrukturynaosnoveporistogokremniâ AT manoiloveg fotočuvstvitelʹnyestrukturynaosnoveporistogokremniâ |