(M, N)-exponential model in the theory of excitons
The one-exponential excitonic model, widely used in the theory of light propogation through spatially dispersive media, is generalized in order to take into account the simultaneous existing of M exciton states and N transport mechanisms. The physical reason and possibilities of the proposed model i...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 1998 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1998
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/114665 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | (M, N)-exponential model in the theory of excitons / V.N. Piskovoi, Ya.M. Strelniker // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 18-32. — Бібліогр.: 51 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-114665 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Piskovoi, V.N. Strelniker, Ya.M. 2017-03-11T16:02:02Z 2017-03-11T16:02:02Z 1998 (M, N)-exponential model in the theory of excitons / V.N. Piskovoi, Ya.M. Strelniker // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 18-32. — Бібліогр.: 51 назв. — англ. 1560-8034 PACS 71.36.+c, 78.-e https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/114665 The one-exponential excitonic model, widely used in the theory of light propogation through spatially dispersive media, is generalized in order to take into account the simultaneous existing of M exciton states and N transport mechanisms. The physical reason and possibilities of the proposed model is demonstrated on the base of the Frenkel exciton. The model essentially extends the area of the possible applications consarving at the same time the exact solubilities and other advantages of the traditional exponential-like approches for the case of the bounded media. The model is used in the paper for deriving the balance equations of the energy density and the energy flux density as well as for studing of boundary value and some other crystal optics problems near the excitonic resonances. Побудовано узагальнену експоненціальну модель, що враховує можливість одночасного існування декількох паралельних каналів розповсюдження світлової єнергії екситонами. Детальне фізичне обгрунтування моделі здійснено на базі екситонів Френкеля. Нова модель зберігає всі переваги широко вживаної одно-експоненціальної моделі екситону, як однієї з небагатьох задач в теорії розповсюдження електро-магнітніх хвиль в обмежених просторово-диспергуючих середовищах, що мають точний розв.язок. В той же час вона суттєво розширює можливості досліджень нелокальних оптичних явищ в кристалах. В роботі запропонована модель використовується, зокрема, для одержання додаткових краєвих умов та рівняння балансу для потоку та густоти поляритонної енергії, а також для вирішення ряду інших проблем кристалооптики з просторовою дисперсією в спектральній області екситонних резонансів. Построена обобщенная экспоненциальная модель, учитывающая возможность одновременного существования нескольких параллельных каналов переноса световой энергии экситонами. Детальное физическое обоснование модели проведено на базе экситонов Френкеля. Новая модель сохраняет все преимущества одно-экспоненциальной модели экситона, как одной из немногих точно решаемых задач в теории распространения электромагнитных волн в ограниченных пространственно диспергирующих средах. Вместе с тем она существенно расширяет возможности исследования нелокальных оптических явлений в кристаллах. В работе предложенная модель используется, в частности, для вывода добавочных граничных условий и уравнения баланса для плотности и потока поляритонной энергии, а также для решения ряда других проблем кристаллооптики с пространственной дисперсией. en Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (M, N)-exponential model in the theory of excitons (M, N)-експоненціальна модель в теорії екситонів (M, N)-экспоненциальная модель в теории экситонов Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
(M, N)-exponential model in the theory of excitons |
| spellingShingle |
(M, N)-exponential model in the theory of excitons Piskovoi, V.N. Strelniker, Ya.M. |
| title_short |
(M, N)-exponential model in the theory of excitons |
| title_full |
(M, N)-exponential model in the theory of excitons |
| title_fullStr |
(M, N)-exponential model in the theory of excitons |
| title_full_unstemmed |
(M, N)-exponential model in the theory of excitons |
| title_sort |
(m, n)-exponential model in the theory of excitons |
| author |
Piskovoi, V.N. Strelniker, Ya.M. |
| author_facet |
Piskovoi, V.N. Strelniker, Ya.M. |
| publishDate |
1998 |
| language |
English |
| container_title |
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
(M, N)-експоненціальна модель в теорії екситонів (M, N)-экспоненциальная модель в теории экситонов |
| description |
The one-exponential excitonic model, widely used in the theory of light propogation through spatially dispersive media, is generalized in order to take into account the simultaneous existing of M exciton states and N transport mechanisms. The physical reason and possibilities of the proposed model is demonstrated on the base of the Frenkel exciton. The model essentially extends the area of the possible applications consarving at the same time the exact solubilities and other advantages of the traditional exponential-like approches for the case of the bounded media. The model is used in the paper for deriving the balance equations of the energy density and the energy flux density as well as for studing of boundary value and some other crystal optics problems near the excitonic resonances.
Побудовано узагальнену експоненціальну модель, що враховує можливість одночасного існування декількох паралельних каналів розповсюдження світлової єнергії екситонами. Детальне фізичне обгрунтування моделі здійснено на базі екситонів Френкеля. Нова модель зберігає всі переваги широко вживаної одно-експоненціальної моделі екситону, як однієї з небагатьох задач в теорії розповсюдження електро-магнітніх хвиль в обмежених просторово-диспергуючих середовищах, що мають точний розв.язок. В той же час вона суттєво розширює можливості досліджень нелокальних оптичних явищ в кристалах. В роботі запропонована модель використовується, зокрема, для одержання додаткових краєвих умов та рівняння балансу для потоку та густоти поляритонної енергії, а також для вирішення ряду інших проблем кристалооптики з просторовою дисперсією в спектральній області екситонних резонансів.
Построена обобщенная экспоненциальная модель, учитывающая возможность одновременного существования нескольких параллельных каналов переноса световой энергии экситонами. Детальное физическое обоснование модели проведено на базе экситонов Френкеля. Новая модель сохраняет все преимущества одно-экспоненциальной модели экситона, как одной из немногих точно решаемых задач в теории распространения электромагнитных волн в ограниченных пространственно диспергирующих средах. Вместе с тем она существенно расширяет возможности исследования нелокальных оптических явлений в кристаллах. В работе предложенная модель используется, в частности, для вывода добавочных граничных условий и уравнения баланса для плотности и потока поляритонной энергии, а также для решения ряда других проблем кристаллооптики с пространственной дисперсией.
|
| issn |
1560-8034 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/114665 |
| citation_txt |
(M, N)-exponential model in the theory of excitons / V.N. Piskovoi, Ya.M. Strelniker // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 18-32. — Бібліогр.: 51 назв. — англ. |
| work_keys_str_mv |
AT piskovoivn mnexponentialmodelinthetheoryofexcitons AT strelnikeryam mnexponentialmodelinthetheoryofexcitons AT piskovoivn mneksponencíalʹnamodelʹvteorííeksitonív AT strelnikeryam mneksponencíalʹnamodelʹvteorííeksitonív AT piskovoivn mnéksponencialʹnaâmodelʹvteoriiéksitonov AT strelnikeryam mnéksponencialʹnaâmodelʹvteoriiéksitonov |
| first_indexed |
2025-11-30T17:35:54Z |
| last_indexed |
2025-11-30T17:35:54Z |
| _version_ |
1850858327478632449 |