Strong effect of magnetic field on the edge luminescence line width in diluted magnetic narrow-gap Hg₁₋xMnxTe
Peculiarities of photoluminescence in narrow-gap Hg₁₋xMnxTe (0.09 < x < 0.11) under variation of both magnetic field and temperature are studied. A strong resonance enhancement of the edge emission and a narrowing of the line width to less than 2.5 meV were detected. The photoluminesce...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 1998 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1998
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/114666 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Strong effect of magnetic field on the edge luminescence line width in diluted magnetic narrow-gap Hg₁₋xMnxTe / Yu.I. Mazur // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 33-40. — Бібліогр.: 24 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862708812673187840 |
|---|---|
| author | Mazur, Yu.I. |
| author_facet | Mazur, Yu.I. |
| citation_txt | Strong effect of magnetic field on the edge luminescence line width in diluted magnetic narrow-gap Hg₁₋xMnxTe / Yu.I. Mazur // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 33-40. — Бібліогр.: 24 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| description | Peculiarities of photoluminescence in narrow-gap Hg₁₋xMnxTe (0.09 < x < 0.11) under variation of both magnetic field and temperature are studied. A strong resonance enhancement of the edge emission and a narrowing of the line width to less than 2.5 meV were detected. The photoluminescence behaviour observed can be well described by the model of a magnetically trapped exciton.
Досліджено особливості фотолюмінесценції у вузькозонних твердих розчинах Hg₁₋XMnXTe (0,09 < x < 0,11) у випадку комбінованого впливу магнітного поля та температури. Виявлено сильне резонансне підсилення крайової люмінесценції та звуження ширини її лінії до значень < 2,5 meV. Спостережувана поведінка фотолюмінесценції інтерпретується ,в рамках моделі магніто-захопленого екситона.
Исследованы особенности фотолюминесценции в узкозонных твердых растворах Hg₁₋XMnXTe (0,09 < x < 0,11) при комбинированном воздействии магнитного поля и температуры. Обнаружено сильное резонансное усиление краевой люминесценции и сужение ширины ее линии до значений < 2,5 meV. Наблюдаемое поведение фотолюминесценции интерпретируется в рамках модели магнито-захваченного экситона.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:13:27Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-114666 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1560-8034 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-07T17:13:27Z |
| publishDate | 1998 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Mazur, Yu.I. 2017-03-11T16:04:03Z 2017-03-11T16:04:03Z 1998 Strong effect of magnetic field on the edge luminescence line width in diluted magnetic narrow-gap Hg₁₋xMnxTe / Yu.I. Mazur // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 33-40. — Бібліогр.: 24 назв. — англ. 1560-8034 PACS 75.50.Pp, 78.20.Ls, 78.55.Et https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/114666 Peculiarities of photoluminescence in narrow-gap Hg₁₋xMnxTe (0.09 < x < 0.11) under variation of both magnetic field and temperature are studied. A strong resonance enhancement of the edge emission and a narrowing of the line width to less than 2.5 meV were detected. The photoluminescence behaviour observed can be well described by the model of a magnetically trapped exciton. Досліджено особливості фотолюмінесценції у вузькозонних твердих розчинах Hg₁₋XMnXTe (0,09 < x < 0,11) у випадку комбінованого впливу магнітного поля та температури. Виявлено сильне резонансне підсилення крайової люмінесценції та звуження ширини її лінії до значень < 2,5 meV. Спостережувана поведінка фотолюмінесценції інтерпретується ,в рамках моделі магніто-захопленого екситона. Исследованы особенности фотолюминесценции в узкозонных твердых растворах Hg₁₋XMnXTe (0,09 < x < 0,11) при комбинированном воздействии магнитного поля и температуры. Обнаружено сильное резонансное усиление краевой люминесценции и сужение ширины ее линии до значений < 2,5 meV. Наблюдаемое поведение фотолюминесценции интерпретируется в рамках модели магнито-захваченного экситона. The author would like to acknowledge Prof. G. G. Tarasov and Dr. J. W. Tomm for a number of helpful and illuminating discussions, and Dr. O. A. Bodnaruk for supplying highquality Hg₁₋xMnxTe single crystals. en Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics Strong effect of magnetic field on the edge luminescence line width in diluted magnetic narrow-gap Hg₁₋xMnxTe Сильний вплив магнітного поля на ширину лінії граничної люмінесценції в розбавлених магнітних вузькозонних напівпровідниках Hg₁₋xMnxTe Сильное влияние магнитного поля на ширину линии краевой люминесценции в разбавленных магнитных узкозонных полупроводниках Hg₁₋xMnxTe Article published earlier |
| spellingShingle | Strong effect of magnetic field on the edge luminescence line width in diluted magnetic narrow-gap Hg₁₋xMnxTe Mazur, Yu.I. |
| title | Strong effect of magnetic field on the edge luminescence line width in diluted magnetic narrow-gap Hg₁₋xMnxTe |
| title_alt | Сильний вплив магнітного поля на ширину лінії граничної люмінесценції в розбавлених магнітних вузькозонних напівпровідниках Hg₁₋xMnxTe Сильное влияние магнитного поля на ширину линии краевой люминесценции в разбавленных магнитных узкозонных полупроводниках Hg₁₋xMnxTe |
| title_full | Strong effect of magnetic field on the edge luminescence line width in diluted magnetic narrow-gap Hg₁₋xMnxTe |
| title_fullStr | Strong effect of magnetic field on the edge luminescence line width in diluted magnetic narrow-gap Hg₁₋xMnxTe |
| title_full_unstemmed | Strong effect of magnetic field on the edge luminescence line width in diluted magnetic narrow-gap Hg₁₋xMnxTe |
| title_short | Strong effect of magnetic field on the edge luminescence line width in diluted magnetic narrow-gap Hg₁₋xMnxTe |
| title_sort | strong effect of magnetic field on the edge luminescence line width in diluted magnetic narrow-gap hg₁₋xmnxte |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/114666 |
| work_keys_str_mv | AT mazuryui strongeffectofmagneticfieldontheedgeluminescencelinewidthindilutedmagneticnarrowgaphg1xmnxte AT mazuryui silʹniivplivmagnítnogopolânaširinulíníígraničnoílûmínescencíívrozbavlenihmagnítnihvuzʹkozonnihnapívprovídnikahhg1xmnxte AT mazuryui silʹnoevliâniemagnitnogopolânaširinuliniikraevoilûminescenciivrazbavlennyhmagnitnyhuzkozonnyhpoluprovodnikahhg1xmnxte |