Effect of the desorption process on photoluminescence excitation spectra of porous silicon
Photoluminescence (PL), photoluminescence excitation (PLE) and FTIR methods were used to study the PL excitation mechanism in porous silicon (PS). Two types of PLE spectra were observed, consisting of two (visible and ultraviolet) and one (only ultraviolet) bands. The intensities of each PLE band de...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Datum: | 1998 |
| Hauptverfasser: | , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1998
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/114671 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Effect of the desorption process on photoluminescence excitation spectra of porous silicon / T.V. Torchinskaya, N.E. Korsunskaya, L.Yu. Khomenkova, B.R. Dzhumaev, A. Many, Y. Goldstein, E. Savir // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 61-65. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-114671 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Torchinskaya, T.V. Korsunskaya, N.E. Khomenkova, L.Yu. Dzhumaev, B.R. Many, A. Goldstein, Y. Savir, E. 2017-03-11T16:17:25Z 2017-03-11T16:17:25Z 1998 Effect of the desorption process on photoluminescence excitation spectra of porous silicon / T.V. Torchinskaya, N.E. Korsunskaya, L.Yu. Khomenkova, B.R. Dzhumaev, A. Many, Y. Goldstein, E. Savir // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 61-65. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. 1560-8034 PACS 78.55.H https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/114671 Photoluminescence (PL), photoluminescence excitation (PLE) and FTIR methods were used to study the PL excitation mechanism in porous silicon (PS). Two types of PLE spectra were observed, consisting of two (visible and ultraviolet) and one (only ultraviolet) bands. The intensities of each PLE band depend differently on the anodization conditions during aging and thermal treatment. Two excitation channels were shown to exist in PS. The visible PLE band at 300 K was attributed to light absorption of some species on the surface of Si wires. Досліджено механізм збудження фотолюмінесценції пористого кремміго методами фотолюмінесценції та інфрачервоного поглинання. Показано, що існує два типі спектрів збудження, які містять або дві смуги (видиму та ультрафіолетову), або тільки одну (ультрафіолетову) смугу. Вивчено залежності інтенсивностей кожної смуги від режимів електрохімічного травлення, а також їх поведінка у процесі старіння та термічного оброблення пористих шарів. Показано, що існують два канали збудження фотолюмінесценції. Видима смуга у спектрі збудження при 300 К пов.язується з поглинанням світла у речовинах, які адсорбовані на поверхні кремнієвих ниток. Исследован механизм возбуждении фотолюминесценции пористого кремнии методами фотолюминесценции и инфракрасного поглощения. Показано, что существуют два типа спектров возбуждения, которые содержат либо две полосы (видимую и ультрафиолетовую), либо только одну (ультрафиолетовую) полосу. Изучены зависимости ингенсивностей каждой полосы возбуждения от режимов электрохимического травления, а также их поведение в процессе старения и термических обработок пористых слоев. Показано, что существуют два канала возбуждения фотолюминесценции. Видимая полоса в спектре возбуждения при 300 К связывается с поглощением света веществами, адсорбированными на поверхности кремниевых нитей. This work was supported by the Ministry of Science and Technology of Ukraine and the Ministry of Sciences of Israel (grant 2M/1406). en Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics Effect of the desorption process on photoluminescence excitation spectra of porous silicon Вплив процесу десорбції на спектри збудження фотолюмінесценції пористого кремнію Влияние процесса десорбции на спектры возбуждения фотолюминесценции пористого кремния Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Effect of the desorption process on photoluminescence excitation spectra of porous silicon |
| spellingShingle |
Effect of the desorption process on photoluminescence excitation spectra of porous silicon Torchinskaya, T.V. Korsunskaya, N.E. Khomenkova, L.Yu. Dzhumaev, B.R. Many, A. Goldstein, Y. Savir, E. |
| title_short |
Effect of the desorption process on photoluminescence excitation spectra of porous silicon |
| title_full |
Effect of the desorption process on photoluminescence excitation spectra of porous silicon |
| title_fullStr |
Effect of the desorption process on photoluminescence excitation spectra of porous silicon |
| title_full_unstemmed |
Effect of the desorption process on photoluminescence excitation spectra of porous silicon |
| title_sort |
effect of the desorption process on photoluminescence excitation spectra of porous silicon |
| author |
Torchinskaya, T.V. Korsunskaya, N.E. Khomenkova, L.Yu. Dzhumaev, B.R. Many, A. Goldstein, Y. Savir, E. |
| author_facet |
Torchinskaya, T.V. Korsunskaya, N.E. Khomenkova, L.Yu. Dzhumaev, B.R. Many, A. Goldstein, Y. Savir, E. |
| publishDate |
1998 |
| language |
English |
| container_title |
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Вплив процесу десорбції на спектри збудження фотолюмінесценції пористого кремнію Влияние процесса десорбции на спектры возбуждения фотолюминесценции пористого кремния |
| description |
Photoluminescence (PL), photoluminescence excitation (PLE) and FTIR methods were used to study the PL excitation mechanism in porous silicon (PS). Two types of PLE spectra were observed, consisting of two (visible and ultraviolet) and one (only ultraviolet) bands. The intensities of each PLE band depend differently on the anodization conditions during aging and thermal treatment. Two excitation channels were shown to exist in PS. The visible PLE band at 300 K was attributed to light absorption of some species on the surface of Si wires.
Досліджено механізм збудження фотолюмінесценції пористого кремміго методами фотолюмінесценції та інфрачервоного поглинання. Показано, що існує два типі спектрів збудження, які містять або дві смуги (видиму та ультрафіолетову), або тільки одну (ультрафіолетову) смугу. Вивчено залежності інтенсивностей кожної смуги від режимів електрохімічного травлення, а також їх поведінка у процесі старіння та термічного оброблення пористих шарів. Показано, що існують два канали збудження фотолюмінесценції. Видима смуга у спектрі збудження при 300 К пов.язується з поглинанням світла у речовинах, які адсорбовані на поверхні кремнієвих ниток.
Исследован механизм возбуждении фотолюминесценции пористого кремнии методами фотолюминесценции и инфракрасного поглощения. Показано, что существуют два типа спектров возбуждения, которые содержат либо две полосы (видимую и ультрафиолетовую), либо только одну (ультрафиолетовую) полосу. Изучены зависимости ингенсивностей каждой полосы возбуждения от режимов электрохимического травления, а также их поведение в процессе старения и термических обработок пористых слоев. Показано, что существуют два канала возбуждения фотолюминесценции. Видимая полоса в спектре возбуждения при 300 К связывается с поглощением света веществами, адсорбированными на поверхности кремниевых нитей.
|
| issn |
1560-8034 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/114671 |
| citation_txt |
Effect of the desorption process on photoluminescence excitation spectra of porous silicon / T.V. Torchinskaya, N.E. Korsunskaya, L.Yu. Khomenkova, B.R. Dzhumaev, A. Many, Y. Goldstein, E. Savir // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 61-65. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. |
| work_keys_str_mv |
AT torchinskayatv effectofthedesorptionprocessonphotoluminescenceexcitationspectraofporoussilicon AT korsunskayane effectofthedesorptionprocessonphotoluminescenceexcitationspectraofporoussilicon AT khomenkovalyu effectofthedesorptionprocessonphotoluminescenceexcitationspectraofporoussilicon AT dzhumaevbr effectofthedesorptionprocessonphotoluminescenceexcitationspectraofporoussilicon AT manya effectofthedesorptionprocessonphotoluminescenceexcitationspectraofporoussilicon AT goldsteiny effectofthedesorptionprocessonphotoluminescenceexcitationspectraofporoussilicon AT savire effectofthedesorptionprocessonphotoluminescenceexcitationspectraofporoussilicon AT torchinskayatv vplivprocesudesorbcíínaspektrizbudžennâfotolûmínescencííporistogokremníû AT korsunskayane vplivprocesudesorbcíínaspektrizbudžennâfotolûmínescencííporistogokremníû AT khomenkovalyu vplivprocesudesorbcíínaspektrizbudžennâfotolûmínescencííporistogokremníû AT dzhumaevbr vplivprocesudesorbcíínaspektrizbudžennâfotolûmínescencííporistogokremníû AT manya vplivprocesudesorbcíínaspektrizbudžennâfotolûmínescencííporistogokremníû AT goldsteiny vplivprocesudesorbcíínaspektrizbudžennâfotolûmínescencííporistogokremníû AT savire vplivprocesudesorbcíínaspektrizbudžennâfotolûmínescencííporistogokremníû AT torchinskayatv vliânieprocessadesorbciinaspektryvozbuždeniâfotolûminescenciiporistogokremniâ AT korsunskayane vliânieprocessadesorbciinaspektryvozbuždeniâfotolûminescenciiporistogokremniâ AT khomenkovalyu vliânieprocessadesorbciinaspektryvozbuždeniâfotolûminescenciiporistogokremniâ AT dzhumaevbr vliânieprocessadesorbciinaspektryvozbuždeniâfotolûminescenciiporistogokremniâ AT manya vliânieprocessadesorbciinaspektryvozbuždeniâfotolûminescenciiporistogokremniâ AT goldsteiny vliânieprocessadesorbciinaspektryvozbuždeniâfotolûminescenciiporistogokremniâ AT savire vliânieprocessadesorbciinaspektryvozbuždeniâfotolûminescenciiporistogokremniâ |
| first_indexed |
2025-12-07T21:03:08Z |
| last_indexed |
2025-12-07T21:03:08Z |
| _version_ |
1850884896413712384 |