Garsia-Garsia, E., Yanez-Limon, M., Vorobiev, Y., Espinoza-Beltran, F., & Gonzalez-Hernandez, J. (1998). Crystallization kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ doped with Se and Ni. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Garsia-Garsia, E., M. Yanez-Limon, Y. Vorobiev, F. Espinoza-Beltran, та J. Gonzalez-Hernandez. Crystallization Kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ Doped with Se and Ni. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 1998.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Garsia-Garsia, E., et al. Crystallization Kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ Doped with Se and Ni. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 1998.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.