Crystallization kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ doped with Se and Ni

Crystallization kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ doped with Se and Ni

Effects of Ni and Se incorporation on the crystallization kinetics of Ge:Sb:Te alloys have been studied. Both elements were found to increase the stability of the amorphous structure. The kinetics of crystallization under isothermal treatments indicates that Ni reduces both the barrier for thermal c...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Date:1998
Main Authors: Garsia-Garsia, E., Yanez-Limon, M., Vorobiev, Y., Espinoza-Beltran, F., Gonzalez-Hernandez, J.
Format: Article
Language:English
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1998
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/114673
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Crystallization kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ doped with Se and Ni / E. Garsia-Garsia, M. Yanez-Limon, Y. Vorobiev, F. Espinoza-Beltran, J. Gonzalez-Hernandez // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 71-74. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-114673
record_format dspace
spelling Garsia-Garsia, E.
Yanez-Limon, M.
Vorobiev, Y.
Espinoza-Beltran, F.
Gonzalez-Hernandez, J.
2017-03-11T16:27:40Z
2017-03-11T16:27:40Z
1998
Crystallization kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ doped with Se and Ni / E. Garsia-Garsia, M. Yanez-Limon, Y. Vorobiev, F. Espinoza-Beltran, J. Gonzalez-Hernandez // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 71-74. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.
1560-8034
PACS 61.72.V; 72.80.E
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/114673
Effects of Ni and Se incorporation on the crystallization kinetics of Ge:Sb:Te alloys have been studied. Both elements were found to increase the stability of the amorphous structure. The kinetics of crystallization under isothermal treatments indicates that Ni reduces both the barrier for thermal crystallization and the crystallization rate. Crystallization of samples containing Se is also retarded, possibly due to a stronger bonding of this element in comparison with Te.
Вивчено вплив Ni и Se на кiнетику кристалiзацiї Ge:Sb:Te сплавiв. Виявлено, що обидва елементи пiдвищують стабiльнiсть аморфної структури. Кiнетика кристалiзацiї при iзотермiчнiй обробцi показує, що Ni зменшує як бар.єр термiчної кристалiзацiї, так i швидкiсть кристалiзацiї. Кристалiзацiя зразкiв, якi мiстять Se також уповiльнена, можливо завдяки бiльш сильній енергії зв.язку цього елементу в порiвняннi з Te.
Изучено влияние Ni и Se на кинетику кристаллизации Ge:Sb:Te сплавов. Установлено, что оба элемента повышают стабильность аморфной структуры. Кинетика кристаллизации при изотермической обработке показывает, что Ni уменьшает как барьер термической кристаллизации так и скорость кристаллизации. Кристаллизация образцов, содержащих Se также замедленная, возможно благодаря более сильной энергии связи элемента по сравнению с Te.
One of the authors (E.G.G.) thanks the support of CONACyT of México, and all authors thank Martin Adelaide for his technical assitance.
en
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Crystallization kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ doped with Se and Ni
Кiнетика кристалiзацii Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆, легованого Se i Ni
Кинетика кристаллизации Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆, легированного Se и Ni
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Crystallization kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ doped with Se and Ni
spellingShingle Crystallization kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ doped with Se and Ni
Garsia-Garsia, E.
Yanez-Limon, M.
Vorobiev, Y.
Espinoza-Beltran, F.
Gonzalez-Hernandez, J.
title_short Crystallization kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ doped with Se and Ni
title_full Crystallization kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ doped with Se and Ni
title_fullStr Crystallization kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ doped with Se and Ni
title_full_unstemmed Crystallization kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ doped with Se and Ni
title_sort crystallization kinetics of ge₂₂sb₂₂tе₅₆ doped with se and ni
author Garsia-Garsia, E.
Yanez-Limon, M.
Vorobiev, Y.
Espinoza-Beltran, F.
Gonzalez-Hernandez, J.
author_facet Garsia-Garsia, E.
Yanez-Limon, M.
Vorobiev, Y.
Espinoza-Beltran, F.
Gonzalez-Hernandez, J.
publishDate 1998
language English
container_title Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Кiнетика кристалiзацii Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆, легованого Se i Ni
Кинетика кристаллизации Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆, легированного Se и Ni
description Effects of Ni and Se incorporation on the crystallization kinetics of Ge:Sb:Te alloys have been studied. Both elements were found to increase the stability of the amorphous structure. The kinetics of crystallization under isothermal treatments indicates that Ni reduces both the barrier for thermal crystallization and the crystallization rate. Crystallization of samples containing Se is also retarded, possibly due to a stronger bonding of this element in comparison with Te. Вивчено вплив Ni и Se на кiнетику кристалiзацiї Ge:Sb:Te сплавiв. Виявлено, що обидва елементи пiдвищують стабiльнiсть аморфної структури. Кiнетика кристалiзацiї при iзотермiчнiй обробцi показує, що Ni зменшує як бар.єр термiчної кристалiзацiї, так i швидкiсть кристалiзацiї. Кристалiзацiя зразкiв, якi мiстять Se також уповiльнена, можливо завдяки бiльш сильній енергії зв.язку цього елементу в порiвняннi з Te. Изучено влияние Ni и Se на кинетику кристаллизации Ge:Sb:Te сплавов. Установлено, что оба элемента повышают стабильность аморфной структуры. Кинетика кристаллизации при изотермической обработке показывает, что Ni уменьшает как барьер термической кристаллизации так и скорость кристаллизации. Кристаллизация образцов, содержащих Se также замедленная, возможно благодаря более сильной энергии связи элемента по сравнению с Te.
issn 1560-8034
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/114673
fulltext
citation_txt Crystallization kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ doped with Se and Ni / E. Garsia-Garsia, M. Yanez-Limon, Y. Vorobiev, F. Espinoza-Beltran, J. Gonzalez-Hernandez // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 71-74. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.
work_keys_str_mv AT garsiagarsiae crystallizationkineticsofge22sb22te56dopedwithseandni
AT yanezlimonm crystallizationkineticsofge22sb22te56dopedwithseandni
AT vorobievy crystallizationkineticsofge22sb22te56dopedwithseandni
AT espinozabeltranf crystallizationkineticsofge22sb22te56dopedwithseandni
AT gonzalezhernandezj crystallizationkineticsofge22sb22te56dopedwithseandni
AT garsiagarsiae kinetikakristalizaciige22sb22te56legovanogoseini
AT yanezlimonm kinetikakristalizaciige22sb22te56legovanogoseini
AT vorobievy kinetikakristalizaciige22sb22te56legovanogoseini
AT espinozabeltranf kinetikakristalizaciige22sb22te56legovanogoseini
AT gonzalezhernandezj kinetikakristalizaciige22sb22te56legovanogoseini
AT garsiagarsiae kinetikakristallizaciige22sb22te56legirovannogoseini
AT yanezlimonm kinetikakristallizaciige22sb22te56legirovannogoseini
AT vorobievy kinetikakristallizaciige22sb22te56legirovannogoseini
AT espinozabeltranf kinetikakristallizaciige22sb22te56legirovannogoseini
AT gonzalezhernandezj kinetikakristallizaciige22sb22te56legirovannogoseini
first_indexed 2025-11-26T14:22:15Z
last_indexed 2025-11-26T14:22:15Z
_version_ 1850624551180828672

Similar Items