Crystallization kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ doped with Se and Ni
Effects of Ni and Se incorporation on the crystallization kinetics of Ge:Sb:Te alloys have been studied. Both elements were found to increase the stability of the amorphous structure. The kinetics of crystallization under isothermal treatments indicates that Ni reduces both the barrier for thermal c...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 1998 |
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1998
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/114673 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Crystallization kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ doped with Se and Ni / E. Garsia-Garsia, M. Yanez-Limon, Y. Vorobiev, F. Espinoza-Beltran, J. Gonzalez-Hernandez // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 71-74. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862576078686519296 |
|---|---|
| author | Garsia-Garsia, E. Yanez-Limon, M. Vorobiev, Y. Espinoza-Beltran, F. Gonzalez-Hernandez, J. |
| author_facet | Garsia-Garsia, E. Yanez-Limon, M. Vorobiev, Y. Espinoza-Beltran, F. Gonzalez-Hernandez, J. |
| citation_txt | Crystallization kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ doped with Se and Ni / E. Garsia-Garsia, M. Yanez-Limon, Y. Vorobiev, F. Espinoza-Beltran, J. Gonzalez-Hernandez // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 71-74. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| description | Effects of Ni and Se incorporation on the crystallization kinetics of Ge:Sb:Te alloys have been studied. Both elements were found to increase the stability of the amorphous structure. The kinetics of crystallization under isothermal treatments indicates that Ni reduces both the barrier for thermal crystallization and the crystallization rate. Crystallization of samples containing Se is also retarded, possibly due to a stronger bonding of this element in comparison with Te.
Вивчено вплив Ni и Se на кiнетику кристалiзацiї Ge:Sb:Te сплавiв. Виявлено, що обидва елементи пiдвищують стабiльнiсть аморфної структури. Кiнетика кристалiзацiї при iзотермiчнiй обробцi показує, що Ni зменшує як бар.єр термiчної кристалiзацiї, так i швидкiсть кристалiзацiї. Кристалiзацiя зразкiв, якi мiстять Se також уповiльнена, можливо завдяки бiльш сильній енергії зв.язку цього елементу в порiвняннi з Te.
Изучено влияние Ni и Se на кинетику кристаллизации Ge:Sb:Te сплавов. Установлено, что оба элемента повышают стабильность аморфной структуры. Кинетика кристаллизации при изотермической обработке показывает, что Ni уменьшает как барьер термической кристаллизации так и скорость кристаллизации. Кристаллизация образцов, содержащих Se также замедленная, возможно благодаря более сильной энергии связи элемента по сравнению с Te.
|
| first_indexed | 2025-11-26T14:22:15Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-114673 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1560-8034 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-11-26T14:22:15Z |
| publishDate | 1998 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Garsia-Garsia, E. Yanez-Limon, M. Vorobiev, Y. Espinoza-Beltran, F. Gonzalez-Hernandez, J. 2017-03-11T16:27:40Z 2017-03-11T16:27:40Z 1998 Crystallization kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ doped with Se and Ni / E. Garsia-Garsia, M. Yanez-Limon, Y. Vorobiev, F. Espinoza-Beltran, J. Gonzalez-Hernandez // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 71-74. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. 1560-8034 PACS 61.72.V; 72.80.E https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/114673 Effects of Ni and Se incorporation on the crystallization kinetics of Ge:Sb:Te alloys have been studied. Both elements were found to increase the stability of the amorphous structure. The kinetics of crystallization under isothermal treatments indicates that Ni reduces both the barrier for thermal crystallization and the crystallization rate. Crystallization of samples containing Se is also retarded, possibly due to a stronger bonding of this element in comparison with Te. Вивчено вплив Ni и Se на кiнетику кристалiзацiї Ge:Sb:Te сплавiв. Виявлено, що обидва елементи пiдвищують стабiльнiсть аморфної структури. Кiнетика кристалiзацiї при iзотермiчнiй обробцi показує, що Ni зменшує як бар.єр термiчної кристалiзацiї, так i швидкiсть кристалiзацiї. Кристалiзацiя зразкiв, якi мiстять Se також уповiльнена, можливо завдяки бiльш сильній енергії зв.язку цього елементу в порiвняннi з Te. Изучено влияние Ni и Se на кинетику кристаллизации Ge:Sb:Te сплавов. Установлено, что оба элемента повышают стабильность аморфной структуры. Кинетика кристаллизации при изотермической обработке показывает, что Ni уменьшает как барьер термической кристаллизации так и скорость кристаллизации. Кристаллизация образцов, содержащих Se также замедленная, возможно благодаря более сильной энергии связи элемента по сравнению с Te. One of the authors (E.G.G.) thanks the support of CONACyT of México, and all authors thank Martin Adelaide for his technical assitance. en Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics Crystallization kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ doped with Se and Ni Кiнетика кристалiзацii Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆, легованого Se i Ni Кинетика кристаллизации Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆, легированного Se и Ni Article published earlier |
| spellingShingle | Crystallization kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ doped with Se and Ni Garsia-Garsia, E. Yanez-Limon, M. Vorobiev, Y. Espinoza-Beltran, F. Gonzalez-Hernandez, J. |
| title | Crystallization kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ doped with Se and Ni |
| title_alt | Кiнетика кристалiзацii Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆, легованого Se i Ni Кинетика кристаллизации Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆, легированного Se и Ni |
| title_full | Crystallization kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ doped with Se and Ni |
| title_fullStr | Crystallization kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ doped with Se and Ni |
| title_full_unstemmed | Crystallization kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ doped with Se and Ni |
| title_short | Crystallization kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ doped with Se and Ni |
| title_sort | crystallization kinetics of ge₂₂sb₂₂tе₅₆ doped with se and ni |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/114673 |
| work_keys_str_mv | AT garsiagarsiae crystallizationkineticsofge22sb22te56dopedwithseandni AT yanezlimonm crystallizationkineticsofge22sb22te56dopedwithseandni AT vorobievy crystallizationkineticsofge22sb22te56dopedwithseandni AT espinozabeltranf crystallizationkineticsofge22sb22te56dopedwithseandni AT gonzalezhernandezj crystallizationkineticsofge22sb22te56dopedwithseandni AT garsiagarsiae kinetikakristalizaciige22sb22te56legovanogoseini AT yanezlimonm kinetikakristalizaciige22sb22te56legovanogoseini AT vorobievy kinetikakristalizaciige22sb22te56legovanogoseini AT espinozabeltranf kinetikakristalizaciige22sb22te56legovanogoseini AT gonzalezhernandezj kinetikakristalizaciige22sb22te56legovanogoseini AT garsiagarsiae kinetikakristallizaciige22sb22te56legirovannogoseini AT yanezlimonm kinetikakristallizaciige22sb22te56legirovannogoseini AT vorobievy kinetikakristallizaciige22sb22te56legirovannogoseini AT espinozabeltranf kinetikakristallizaciige22sb22te56legirovannogoseini AT gonzalezhernandezj kinetikakristallizaciige22sb22te56legirovannogoseini |