Зображення обкладинки

Crystallization kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ doped with Se and Ni

Effects of Ni and Se incorporation on the crystallization kinetics of Ge:Sb:Te alloys have been studied. Both elements were found to increase the stability of the amorphous structure. The kinetics of crystallization under isothermal treatments indicates that Ni reduces both the barrier for thermal c...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:1998
Автори: Garsia-Garsia, E., Yanez-Limon, M., Vorobiev, Y., Espinoza-Beltran, F., Gonzalez-Hernandez, J.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1998
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/114673
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Crystallization kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ doped with Se and Ni / E. Garsia-Garsia, M. Yanez-Limon, Y. Vorobiev, F. Espinoza-Beltran, J. Gonzalez-Hernandez // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 71-74. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Схожі ресурси