Distribution of components in epitaxial graded band gap heterostructures Cd(Mn, Zn)Te – Cd(Mn, Zn)HgTe and their photoelectrical properties

Distribution of components in epitaxial graded band gap heterostructures Cd(Mn, Zn)Te – Cd(Mn, Zn)HgTe and their photoelectrical properties

By using the method of VPE CdMnTe-CdMnHgTe, CdZnTe-CdZnHgTe heterocompositions were fabricated. Increase of their photo-sensitivity in comparison with the CdTe-CdHgTe structure is explained by removal of deformation stresses due to introduction of isovalent component (Mn, Zn) of smaller size and due...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Date:1998
Main Authors: Vlasenko, O.I., Babentsov, V.M., Vlasenko, Z.K., Ponedilok, A.V., Kurilo, I.V., Rudyj, I.O., Kremenitskiy, V.V.
Format: Article
Language:English
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1998
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/114674
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Distribution of components in epitaxial graded band gap heterostructures Cd(Mn, Zn)Te – Cd(Mn, Zn)HgTe and their photoelectrical properties / O.I. Vlasenko, V.M. Babent1sov, Z.K. Vlasenko, A.V. Ponedilok, I.V. Kurilo, I.O. Rudyj, V.V. Kremenitskiy // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 75-81. — Бібліогр.: 24 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-114674
record_format dspace
spelling Vlasenko, O.I.
Babentsov, V.M.
Vlasenko, Z.K.
Ponedilok, A.V.
Kurilo, I.V.
Rudyj, I.O.
Kremenitskiy, V.V.
2017-03-11T16:35:16Z
2017-03-11T16:35:16Z
1998
Distribution of components in epitaxial graded band gap heterostructures Cd(Mn, Zn)Te – Cd(Mn, Zn)HgTe and their photoelectrical properties / O.I. Vlasenko, V.M. Babent1sov, Z.K. Vlasenko, A.V. Ponedilok, I.V. Kurilo, I.O. Rudyj, V.V. Kremenitskiy // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 75-81. — Бібліогр.: 24 назв. — англ.
1560-8034
PACS: 68.55; 79.60.J; 73.50. P; 66.30.J
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/114674
By using the method of VPE CdMnTe-CdMnHgTe, CdZnTe-CdZnHgTe heterocompositions were fabricated. Increase of their photo-sensitivity in comparison with the CdTe-CdHgTe structure is explained by removal of deformation stresses due to introduction of isovalent component (Mn, Zn) of smaller size and due to reduction of recombination activity of non-equilibrium charge carriers in the film. Photo-sensitivity increase in the field of metallurgical boundary in the CdMnTe-CdMnHgTe structure under increase of the Mn contents up to у Ј 0,08 in comparison to the CdZnTe-CdZnHgTe structure is connected with more precise matching of lattices matching of the initial materials. Other models of this phenomena are also discussed, conditioned in particular, by the influence of micro- and macro- heterogeneities of the diffusion interface, peculiarities of P-T diagrams, etc. On the basis of comparison of experimental and calculated profiles of the components distribution, the values of diffusion coefficient in the substrate and growing film were obtained.
Методом ПФЕ одержані гетерокомпозиції CdMnTe-CdMnHgTe (КМТ-КМРТ), CdZnTe-CdZnHgTe (КЦТ-КЦРТ). Підвищення їх фоточутливості порівняно із структурою CdTe-CdHgTe (КТ-КРТ) пояснюється зняттям деформаційних напруг завдяки введенню ізовалентної складової (Mn, Zn) меншого розміру і зниженням рекомбінаційної активності нерівноважних носіїв заряду в плівці. Збільшення фоточутливості в області металургійної границі в структурі КМТ-КМРТ при збільшенні вмісту Mn до y Ј 0,08 порівняно із структурою КЦТ-КЦРТ пов.язується з більш прецизійним узгодженням параметрів кристалічних граток вихідних матеріалів. Обговорюються і інші моделі цих явищ, пов.язані, зокрема з впливом мікро- і макро неоднорідностей дифузійної границі, особливостями Р-Т-х діаграм і інш. На основі співставлення експериментальних і розрахункових профілів розподілу компонент отримані значення для їх коефіцієнтів дифузії в підкладці і наростаючій плівці.
Методом ПФЭ получены гетерокомпозиции CdMnTe-CdMnHgTe, CdZnTe-CdZnHgTe. Повышение их фоточувствительности по сравнению со структурой CdMnTe-CdTe-CdHgTe объясняется снятием деформационных напряжений благодаря введению изовалентной составляющей (Mn, Zn) меньшего размера и снижением рекомбинационной активности неравновесных носителей заряда в пленке. Увеличение фоточувствительности в области металлургической границы в структуре CdMnTe-CdMnHgTe при увеличении содержания Mn до у Ј 0,08 по сравнению со структурой CdZnTe-CdZnHgTe связывается с более прецизионным согласованием параметров кристаллических решеток исходных материалов. Обсуждаются и другие модели этих явлений, обусловленные, в частности, влиянием микро- и макро неоднородностей диффузионной границы, особенностями Р-Т-х диаграмм и др. На основе сопоставления экспериментальных и расчетных профилей распределения компонент получены значения коэффициентов диффузии в подложке и нарастающей пленке.
en
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Distribution of components in epitaxial graded band gap heterostructures Cd(Mn, Zn)Te – Cd(Mn, Zn)HgTe and their photoelectrical properties
Розподіл компонент в епітаксійних варізонних гетероструктурах Cd(Mn,Zn)Te – Cd(Mn,Zn)HgTe і їх фотоелектричні властивості
Распределение компонент в эпитаксиальных варизонных гетероструктурах Cd(Mn,Zn)Te – Cd(Mn,Zn)HgTe и их фотоэлектрические свойства
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Distribution of components in epitaxial graded band gap heterostructures Cd(Mn, Zn)Te – Cd(Mn, Zn)HgTe and their photoelectrical properties
spellingShingle Distribution of components in epitaxial graded band gap heterostructures Cd(Mn, Zn)Te – Cd(Mn, Zn)HgTe and their photoelectrical properties
Vlasenko, O.I.
Babentsov, V.M.
Vlasenko, Z.K.
Ponedilok, A.V.
Kurilo, I.V.
Rudyj, I.O.
Kremenitskiy, V.V.
title_short Distribution of components in epitaxial graded band gap heterostructures Cd(Mn, Zn)Te – Cd(Mn, Zn)HgTe and their photoelectrical properties
title_full Distribution of components in epitaxial graded band gap heterostructures Cd(Mn, Zn)Te – Cd(Mn, Zn)HgTe and their photoelectrical properties
title_fullStr Distribution of components in epitaxial graded band gap heterostructures Cd(Mn, Zn)Te – Cd(Mn, Zn)HgTe and their photoelectrical properties
title_full_unstemmed Distribution of components in epitaxial graded band gap heterostructures Cd(Mn, Zn)Te – Cd(Mn, Zn)HgTe and their photoelectrical properties
title_sort distribution of components in epitaxial graded band gap heterostructures cd(mn, zn)te – cd(mn, zn)hgte and their photoelectrical properties
author Vlasenko, O.I.
Babentsov, V.M.
Vlasenko, Z.K.
Ponedilok, A.V.
Kurilo, I.V.
Rudyj, I.O.
Kremenitskiy, V.V.
author_facet Vlasenko, O.I.
Babentsov, V.M.
Vlasenko, Z.K.
Ponedilok, A.V.
Kurilo, I.V.
Rudyj, I.O.
Kremenitskiy, V.V.
publishDate 1998
language English
container_title Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Розподіл компонент в епітаксійних варізонних гетероструктурах Cd(Mn,Zn)Te – Cd(Mn,Zn)HgTe і їх фотоелектричні властивості
Распределение компонент в эпитаксиальных варизонных гетероструктурах Cd(Mn,Zn)Te – Cd(Mn,Zn)HgTe и их фотоэлектрические свойства
description By using the method of VPE CdMnTe-CdMnHgTe, CdZnTe-CdZnHgTe heterocompositions were fabricated. Increase of their photo-sensitivity in comparison with the CdTe-CdHgTe structure is explained by removal of deformation stresses due to introduction of isovalent component (Mn, Zn) of smaller size and due to reduction of recombination activity of non-equilibrium charge carriers in the film. Photo-sensitivity increase in the field of metallurgical boundary in the CdMnTe-CdMnHgTe structure under increase of the Mn contents up to у Ј 0,08 in comparison to the CdZnTe-CdZnHgTe structure is connected with more precise matching of lattices matching of the initial materials. Other models of this phenomena are also discussed, conditioned in particular, by the influence of micro- and macro- heterogeneities of the diffusion interface, peculiarities of P-T diagrams, etc. On the basis of comparison of experimental and calculated profiles of the components distribution, the values of diffusion coefficient in the substrate and growing film were obtained. Методом ПФЕ одержані гетерокомпозиції CdMnTe-CdMnHgTe (КМТ-КМРТ), CdZnTe-CdZnHgTe (КЦТ-КЦРТ). Підвищення їх фоточутливості порівняно із структурою CdTe-CdHgTe (КТ-КРТ) пояснюється зняттям деформаційних напруг завдяки введенню ізовалентної складової (Mn, Zn) меншого розміру і зниженням рекомбінаційної активності нерівноважних носіїв заряду в плівці. Збільшення фоточутливості в області металургійної границі в структурі КМТ-КМРТ при збільшенні вмісту Mn до y Ј 0,08 порівняно із структурою КЦТ-КЦРТ пов.язується з більш прецизійним узгодженням параметрів кристалічних граток вихідних матеріалів. Обговорюються і інші моделі цих явищ, пов.язані, зокрема з впливом мікро- і макро неоднорідностей дифузійної границі, особливостями Р-Т-х діаграм і інш. На основі співставлення експериментальних і розрахункових профілів розподілу компонент отримані значення для їх коефіцієнтів дифузії в підкладці і наростаючій плівці. Методом ПФЭ получены гетерокомпозиции CdMnTe-CdMnHgTe, CdZnTe-CdZnHgTe. Повышение их фоточувствительности по сравнению со структурой CdMnTe-CdTe-CdHgTe объясняется снятием деформационных напряжений благодаря введению изовалентной составляющей (Mn, Zn) меньшего размера и снижением рекомбинационной активности неравновесных носителей заряда в пленке. Увеличение фоточувствительности в области металлургической границы в структуре CdMnTe-CdMnHgTe при увеличении содержания Mn до у Ј 0,08 по сравнению со структурой CdZnTe-CdZnHgTe связывается с более прецизионным согласованием параметров кристаллических решеток исходных материалов. Обсуждаются и другие модели этих явлений, обусловленные, в частности, влиянием микро- и макро неоднородностей диффузионной границы, особенностями Р-Т-х диаграмм и др. На основе сопоставления экспериментальных и расчетных профилей распределения компонент получены значения коэффициентов диффузии в подложке и нарастающей пленке.
issn 1560-8034
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/114674
citation_txt Distribution of components in epitaxial graded band gap heterostructures Cd(Mn, Zn)Te – Cd(Mn, Zn)HgTe and their photoelectrical properties / O.I. Vlasenko, V.M. Babent1sov, Z.K. Vlasenko, A.V. Ponedilok, I.V. Kurilo, I.O. Rudyj, V.V. Kremenitskiy // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 75-81. — Бібліогр.: 24 назв. — англ.
work_keys_str_mv AT vlasenkooi distributionofcomponentsinepitaxialgradedbandgapheterostructurescdmnzntecdmnznhgteandtheirphotoelectricalproperties
AT babentsovvm distributionofcomponentsinepitaxialgradedbandgapheterostructurescdmnzntecdmnznhgteandtheirphotoelectricalproperties
AT vlasenkozk distributionofcomponentsinepitaxialgradedbandgapheterostructurescdmnzntecdmnznhgteandtheirphotoelectricalproperties
AT ponedilokav distributionofcomponentsinepitaxialgradedbandgapheterostructurescdmnzntecdmnznhgteandtheirphotoelectricalproperties
AT kuriloiv distributionofcomponentsinepitaxialgradedbandgapheterostructurescdmnzntecdmnznhgteandtheirphotoelectricalproperties
AT rudyjio distributionofcomponentsinepitaxialgradedbandgapheterostructurescdmnzntecdmnznhgteandtheirphotoelectricalproperties
AT kremenitskiyvv distributionofcomponentsinepitaxialgradedbandgapheterostructurescdmnzntecdmnznhgteandtheirphotoelectricalproperties
AT vlasenkooi rozpodílkomponentvepítaksíinihvarízonnihgeterostrukturahcdmnzntecdmnznhgteííhfotoelektričnívlastivostí
AT babentsovvm rozpodílkomponentvepítaksíinihvarízonnihgeterostrukturahcdmnzntecdmnznhgteííhfotoelektričnívlastivostí
AT vlasenkozk rozpodílkomponentvepítaksíinihvarízonnihgeterostrukturahcdmnzntecdmnznhgteííhfotoelektričnívlastivostí
AT ponedilokav rozpodílkomponentvepítaksíinihvarízonnihgeterostrukturahcdmnzntecdmnznhgteííhfotoelektričnívlastivostí
AT kuriloiv rozpodílkomponentvepítaksíinihvarízonnihgeterostrukturahcdmnzntecdmnznhgteííhfotoelektričnívlastivostí
AT rudyjio rozpodílkomponentvepítaksíinihvarízonnihgeterostrukturahcdmnzntecdmnznhgteííhfotoelektričnívlastivostí
AT kremenitskiyvv rozpodílkomponentvepítaksíinihvarízonnihgeterostrukturahcdmnzntecdmnznhgteííhfotoelektričnívlastivostí
AT vlasenkooi raspredeleniekomponentvépitaksialʹnyhvarizonnyhgeterostrukturahcdmnzntecdmnznhgteiihfotoélektričeskiesvoistva
AT babentsovvm raspredeleniekomponentvépitaksialʹnyhvarizonnyhgeterostrukturahcdmnzntecdmnznhgteiihfotoélektričeskiesvoistva
AT vlasenkozk raspredeleniekomponentvépitaksialʹnyhvarizonnyhgeterostrukturahcdmnzntecdmnznhgteiihfotoélektričeskiesvoistva
AT ponedilokav raspredeleniekomponentvépitaksialʹnyhvarizonnyhgeterostrukturahcdmnzntecdmnznhgteiihfotoélektričeskiesvoistva
AT kuriloiv raspredeleniekomponentvépitaksialʹnyhvarizonnyhgeterostrukturahcdmnzntecdmnznhgteiihfotoélektričeskiesvoistva
AT rudyjio raspredeleniekomponentvépitaksialʹnyhvarizonnyhgeterostrukturahcdmnzntecdmnznhgteiihfotoélektričeskiesvoistva
AT kremenitskiyvv raspredeleniekomponentvépitaksialʹnyhvarizonnyhgeterostrukturahcdmnzntecdmnznhgteiihfotoélektričeskiesvoistva
first_indexed 2025-12-07T19:19:12Z
last_indexed 2025-12-07T19:19:12Z
_version_ 1850878357162426368

Similar Items