Switching waves in asymmetric thyristor-like structures for incomplete gate turn off regime
A stationary wave of switching is considered in an infinite thyristor-like structure (TLS).This wave is initiated by the controlling gate current which differs from a certain equilibrium current Jg0(j) providing a neutrally equilibrium (translationally invariant) position of the transition layer bet...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Datum: | 1998 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1998
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/114676 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Switching waves in asymmetric thyristor-like structures for incomplete gate turn off regime / Z.S. Gribnikov, I.M. Gordion, V.V. Mitin // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 90-100. — Бібліогр.: 17 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-114676 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Gribnikov, Z.S. Gordion, I.M. Mitin, V.V. 2017-03-11T16:40:13Z 2017-03-11T16:40:13Z 1998 Switching waves in asymmetric thyristor-like structures for incomplete gate turn off regime / Z.S. Gribnikov, I.M. Gordion, V.V. Mitin // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 90-100. — Бібліогр.: 17 назв. — англ. 1560-8034 PACS 72.20; 73.61.G; 85.30.R https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/114676 A stationary wave of switching is considered in an infinite thyristor-like structure (TLS).This wave is initiated by the controlling gate current which differs from a certain equilibrium current Jg0(j) providing a neutrally equilibrium (translationally invariant) position of the transition layer between a blocked (OFF-) region and an open (ON-) region for a given current density j in the ON-region. The dependence of the wave velocity v(Jg, j) on the gate current Jg and the current density j is derived.We deal with structures in which the conductivity of gated base I is much higher than the conductivity of ungated base II.The injection level is considered low for base I and high for base II. It is shown that the velocity of the switching wave (i.e. the speed of transient processes in TLS) is determined mainly by parameters of base II. It is also demonstrated that a high speed of operation can be reached in structures with a moderately long base II (the length of the base should exceed 1-2 bipolar diffusion lengths) and a small lifetime of carriers in this base. This work was supported by the National Science Foundation of the USA. One of us (Z. S. Gribnikov) thanks the Ukrainian Foundation of Fundamental Researches for a partial support. We also thankful to the editorial board of the «Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics» for the invitation to submit our paper to the first issue of this new journal. Розглянуто стаціонарну хвилю переключення в кінцевій тиристоро подібній структрурі (ТПС). Ця хвиля ініційована контролюючим струмом затвору I g, який відрізняється від певного рівноважного струму I g0(j), який забезпечує положення нейтральної рівноваги (трансляційно інваріантної) перехідного шару між запертою та відкритою областями для даної густини струму j у відкритій області. Виведено залежність швидкості хвилі v(I g, j) від струму Рассмотрена стационарная волна переключения в конечной тиристоро подобной структруре (ТПС). Эта волна инициирована контролирующим током затвора I g, который отличается от определенного равновесного тока I g0(j), обеспечивающего положение нейтрального равновесия (трансляционно инвариантного) переходного слоя между запертой и открытой областями для данной плотности тока j в открытой области. Выведена зависимость скорости волны v(I g, j) от тока затвора I g и плотности тока j. Мы имеем дело со структурой, в которой проводимость запертой базы I много выше, чем проводимость незапертой базы II. Рассматриваемый уровень инжекции является низким для базы I и высоким для базы II. Показано, что скорость волны переключения (т.е. скорость переходного процесса в ТПС) определяется главным образом параметрами базы II. Продемонстрировано также, что высокая скорость срабатывания может быть достигнута в структуре с умеренно длинной базой II (длина базы должна превышать 1-2 биполярных диффузионных длины) и малым временем жизни носителей в этой базе. en Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics Switching waves in asymmetric thyristor-like structures for incomplete gate turn off regime Хвилі переключення в асиметричних тиристоро подібних структурах в режимі виключення розімкнутого затвору Волны переключения в ассиметричных тиристоро подобных структурах в режиме выключения разомкнутого затвора Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Switching waves in asymmetric thyristor-like structures for incomplete gate turn off regime |
| spellingShingle |
Switching waves in asymmetric thyristor-like structures for incomplete gate turn off regime Gribnikov, Z.S. Gordion, I.M. Mitin, V.V. |
| title_short |
Switching waves in asymmetric thyristor-like structures for incomplete gate turn off regime |
| title_full |
Switching waves in asymmetric thyristor-like structures for incomplete gate turn off regime |
| title_fullStr |
Switching waves in asymmetric thyristor-like structures for incomplete gate turn off regime |
| title_full_unstemmed |
Switching waves in asymmetric thyristor-like structures for incomplete gate turn off regime |
| title_sort |
switching waves in asymmetric thyristor-like structures for incomplete gate turn off regime |
| author |
Gribnikov, Z.S. Gordion, I.M. Mitin, V.V. |
| author_facet |
Gribnikov, Z.S. Gordion, I.M. Mitin, V.V. |
| publishDate |
1998 |
| language |
English |
| container_title |
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Хвилі переключення в асиметричних тиристоро подібних структурах в режимі виключення розімкнутого затвору Волны переключения в ассиметричных тиристоро подобных структурах в режиме выключения разомкнутого затвора |
| description |
A stationary wave of switching is considered in an infinite thyristor-like structure (TLS).This wave is initiated by the controlling gate current which differs from a certain equilibrium current Jg0(j) providing a neutrally equilibrium (translationally invariant) position of the transition layer between a blocked (OFF-) region and an open (ON-) region for a given current density j in the ON-region. The dependence of the wave velocity v(Jg, j) on the gate current Jg and the current density j is derived.We deal with structures in which the conductivity of gated base I is much higher than the conductivity of ungated base II.The injection level is considered low for base I and high for base II. It is shown that the velocity of the switching wave (i.e. the speed of transient processes in TLS) is determined mainly by parameters of base II. It is also demonstrated that a high speed of operation can be reached in structures with a moderately long base II (the length of the base should exceed 1-2 bipolar diffusion lengths) and a small lifetime of carriers in this base.
This work was supported by the National Science Foundation of the USA. One of us (Z. S. Gribnikov) thanks the Ukrainian Foundation of Fundamental Researches for a partial support. We also thankful to the editorial board of the «Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics» for the invitation to submit our paper to the first issue of this new journal.
Розглянуто стаціонарну хвилю переключення в кінцевій тиристоро подібній структрурі (ТПС). Ця хвиля ініційована контролюючим струмом затвору I g, який відрізняється від певного рівноважного струму I g0(j), який забезпечує положення нейтральної рівноваги (трансляційно інваріантної) перехідного шару між запертою та відкритою областями для даної густини струму j у відкритій області. Виведено залежність швидкості хвилі v(I g, j) від струму
|
| issn |
1560-8034 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/114676 |
| citation_txt |
Switching waves in asymmetric thyristor-like structures for incomplete gate turn off regime / Z.S. Gribnikov, I.M. Gordion, V.V. Mitin // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 90-100. — Бібліогр.: 17 назв. — англ. |
| work_keys_str_mv |
AT gribnikovzs switchingwavesinasymmetricthyristorlikestructuresforincompletegateturnoffregime AT gordionim switchingwavesinasymmetricthyristorlikestructuresforincompletegateturnoffregime AT mitinvv switchingwavesinasymmetricthyristorlikestructuresforincompletegateturnoffregime AT gribnikovzs hvilípereklûčennâvasimetričnihtiristoropodíbnihstrukturahvrežimíviklûčennârozímknutogozatvoru AT gordionim hvilípereklûčennâvasimetričnihtiristoropodíbnihstrukturahvrežimíviklûčennârozímknutogozatvoru AT mitinvv hvilípereklûčennâvasimetričnihtiristoropodíbnihstrukturahvrežimíviklûčennârozímknutogozatvoru AT gribnikovzs volnypereklûčeniâvassimetričnyhtiristoropodobnyhstrukturahvrežimevyklûčeniârazomknutogozatvora AT gordionim volnypereklûčeniâvassimetričnyhtiristoropodobnyhstrukturahvrežimevyklûčeniârazomknutogozatvora AT mitinvv volnypereklûčeniâvassimetričnyhtiristoropodobnyhstrukturahvrežimevyklûčeniârazomknutogozatvora |
| first_indexed |
2025-12-07T17:53:35Z |
| last_indexed |
2025-12-07T17:53:35Z |
| _version_ |
1850872971030167552 |