SIMS study of deuterium distribution and thermal stability in ZMR SOI structures
SIMS measurements and thermal effusion experiments were performed to study the distribution and thermal stability of deuterium in SOI structures fabricated by zone melting recrystallization technique. It was found that the disordered structure at the silicon-buried oxide interfaces is directly relat...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 1998 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1998
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/114678 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | SIMS study of deuterium distribution and thermal stability in ZMR SOI structures / A. Boutry-Forveille, D. Ballutaud, A.N. Nazarov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 108-111. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862529149060513792 |
|---|---|
| author | Boutry-Forveille, A. Ballutaud, D. Nazarov, A.N. |
| author_facet | Boutry-Forveille, A. Ballutaud, D. Nazarov, A.N. |
| citation_txt | SIMS study of deuterium distribution and thermal stability in ZMR SOI structures / A. Boutry-Forveille, D. Ballutaud, A.N. Nazarov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 108-111. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| description | SIMS measurements and thermal effusion experiments were performed to study the distribution and thermal stability of deuterium in SOI structures fabricated by zone melting recrystallization technique. It was found that the disordered structure at the silicon-buried oxide interfaces is directly related to the distribution of deuterium in the SOI system. The diffusion coefficient of deuterium in the top silicon layer at 250°C was determined. For the first time, the high-temperature (up to 600°C) stability of deuterium in the buried oxide was demonstrated, without any diffision into silicon layers.
У роботі вивчались методами вторинної іонної мас-спектрометрії (ВІМС) і термостимульованої десорбції дейтерію розподілення дейтерію і його термічна стабільність у системі кремній-на-ізоляторі (КНІ), виготовленій за допомогою технології зонної лазерної рекристалізації полікремнію. Показано існування прямого зв.язку між розупорядкуванням структури на межах розподілу кремній-внутрішній діелектрик і розподіленням дейтерію у системі КНІ. Визначено коефіцієнт дифузії дейтерію у кремнієвій рекристалізованій плівці при 250°С. Вперше продемонстровано високотемпературну стабільність дейтерію (до 600°С включно) у внутрішньому діелектрику системи КНІ, за відсутності дифузії дейтерію до кремнієвих шарів.
В работе методами вторичной ионной масс-спектрометрии (ВИМС) и термостимулированной десорбции дейтерия изучались распределение дейтерия и его термическая стабильность в структурах кремния-на-изоляторе (КНИ), изготовленных с помощью технологии зонной лазерной рекристаллизации поликремния. Показано существование прямой связи между разупорядочением структуры на границах кремний-внутренний окисел и распределением дейтерия в КНИ системе. Определен коэффициент диффузии дейтерия в рекристаллизованном слое кремния при 250°С. Впервые продемонстрирована высокотемпературная стабильность дейтерия (до 600°С включительно) во внутреннем окисле КНИ структуры при отсутствии диффузии дейтерия в кремниевые слои.
|
| first_indexed | 2025-11-24T02:21:14Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-114678 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1560-8034 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-11-24T02:21:14Z |
| publishDate | 1998 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Boutry-Forveille, A. Ballutaud, D. Nazarov, A.N. 2017-03-11T16:47:21Z 2017-03-11T16:47:21Z 1998 SIMS study of deuterium distribution and thermal stability in ZMR SOI structures / A. Boutry-Forveille, D. Ballutaud, A.N. Nazarov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 108-111. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. 1560-8034 PACS 85.40. https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/114678 SIMS measurements and thermal effusion experiments were performed to study the distribution and thermal stability of deuterium in SOI structures fabricated by zone melting recrystallization technique. It was found that the disordered structure at the silicon-buried oxide interfaces is directly related to the distribution of deuterium in the SOI system. The diffusion coefficient of deuterium in the top silicon layer at 250°C was determined. For the first time, the high-temperature (up to 600°C) stability of deuterium in the buried oxide was demonstrated, without any diffision into silicon layers. У роботі вивчались методами вторинної іонної мас-спектрометрії (ВІМС) і термостимульованої десорбції дейтерію розподілення дейтерію і його термічна стабільність у системі кремній-на-ізоляторі (КНІ), виготовленій за допомогою технології зонної лазерної рекристалізації полікремнію. Показано існування прямого зв.язку між розупорядкуванням структури на межах розподілу кремній-внутрішній діелектрик і розподіленням дейтерію у системі КНІ. Визначено коефіцієнт дифузії дейтерію у кремнієвій рекристалізованій плівці при 250°С. Вперше продемонстровано високотемпературну стабільність дейтерію (до 600°С включно) у внутрішньому діелектрику системи КНІ, за відсутності дифузії дейтерію до кремнієвих шарів. В работе методами вторичной ионной масс-спектрометрии (ВИМС) и термостимулированной десорбции дейтерия изучались распределение дейтерия и его термическая стабильность в структурах кремния-на-изоляторе (КНИ), изготовленных с помощью технологии зонной лазерной рекристаллизации поликремния. Показано существование прямой связи между разупорядочением структуры на границах кремний-внутренний окисел и распределением дейтерия в КНИ системе. Определен коэффициент диффузии дейтерия в рекристаллизованном слое кремния при 250°С. Впервые продемонстрирована высокотемпературная стабильность дейтерия (до 600°С включительно) во внутреннем окисле КНИ структуры при отсутствии диффузии дейтерия в кремниевые слои. The authors would like to thank Professor E. I. Givargizov and Dr. A. B. Limanov (Institute of Crystallography RAS, Moscow, Russia) for useful discussions and for the samples provided. This work was performed in the framework of CNRS project N5736. One of the authors (A.N.N.) appreciates partial financial support provided by CRDF (CRDF project UP2-291). en Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics SIMS study of deuterium distribution and thermal stability in ZMR SOI structures SIMS дослідження розподілу дейтерія і температурної стабільності в ZMR SOI структурах SIMS Исследования распределения дейтерия и температурная стабильность в ZMR SOI структурах Article published earlier |
| spellingShingle | SIMS study of deuterium distribution and thermal stability in ZMR SOI structures Boutry-Forveille, A. Ballutaud, D. Nazarov, A.N. |
| title | SIMS study of deuterium distribution and thermal stability in ZMR SOI structures |
| title_alt | SIMS дослідження розподілу дейтерія і температурної стабільності в ZMR SOI структурах SIMS Исследования распределения дейтерия и температурная стабильность в ZMR SOI структурах |
| title_full | SIMS study of deuterium distribution and thermal stability in ZMR SOI structures |
| title_fullStr | SIMS study of deuterium distribution and thermal stability in ZMR SOI structures |
| title_full_unstemmed | SIMS study of deuterium distribution and thermal stability in ZMR SOI structures |
| title_short | SIMS study of deuterium distribution and thermal stability in ZMR SOI structures |
| title_sort | sims study of deuterium distribution and thermal stability in zmr soi structures |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/114678 |
| work_keys_str_mv | AT boutryforveillea simsstudyofdeuteriumdistributionandthermalstabilityinzmrsoistructures AT ballutaudd simsstudyofdeuteriumdistributionandthermalstabilityinzmrsoistructures AT nazarovan simsstudyofdeuteriumdistributionandthermalstabilityinzmrsoistructures AT boutryforveillea simsdoslídžennârozpodíludeiteríâítemperaturnoístabílʹnostívzmrsoistrukturah AT ballutaudd simsdoslídžennârozpodíludeiteríâítemperaturnoístabílʹnostívzmrsoistrukturah AT nazarovan simsdoslídžennârozpodíludeiteríâítemperaturnoístabílʹnostívzmrsoistrukturah AT boutryforveillea simsissledovaniâraspredeleniâdeiteriâitemperaturnaâstabilʹnostʹvzmrsoistrukturah AT ballutaudd simsissledovaniâraspredeleniâdeiteriâitemperaturnaâstabilʹnostʹvzmrsoistrukturah AT nazarovan simsissledovaniâraspredeleniâdeiteriâitemperaturnaâstabilʹnostʹvzmrsoistrukturah |