Двоенергетичний напівпровідниковий детектор рентгенівського та гамма-випромінювання

Проведено короткий аналіз основних типів детекторів іонізуючого випромінювання, їхніх переваг та недоліків. Обґрунтовано вибір та застосування напівпровідникового детектора на основі ZnSe при підвищених температурах. Використані оригінальні форми зразків детекторів із селеніду цинку та двокристальна...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Наука та інновації
Дата:2014
Автори: Бродин, М.С., Весна, В.Т., Дегода, В.Я., Зайцевський, І.Л., Кожушко, Б.В.
Формат: Стаття
Мова:Українська
Опубліковано: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2014
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/114962
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Двоенергетичний напівпровідниковий детектор рентгенівського та гамма-випромінювання / М.С. Бродин, В.Т. Весна, В.Я. Дегода, І.Л. Зайцевський, Б.В. Кожушко // Наука та інновації. — 2014. — Т. 10, № 2. — С. 49-54. — Бібліогр.: 5 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Проведено короткий аналіз основних типів детекторів іонізуючого випромінювання, їхніх переваг та недоліків. Обґрунтовано вибір та застосування напівпровідникового детектора на основі ZnSe при підвищених температурах. Використані оригінальні форми зразків детекторів із селеніду цинку та двокристальна схема для реєстрації рентгенівського та гамма-випромінювання в широкому діапазоні енергій. На виготовленому макеті приладу продемонстрована можливість реєстрації гамма-квантів за допомогою високоомного детектора із ZnSe в режимі окремих імпульсів. Проведен краткий анализ главных типов детекторов
 ионизирующего излучения, их преимуществ и недостатков. Обосновано применение полупроводникового детектора на базе ZnSe при повышенных температурах.
 Использованы разные формы образцов детекторов, изготовленных из селенида цинка, и двокристальная схема
 для регистрации рентгеновского или гамма-излучения в
 широком енергетическом диапазоне. С помощью изготовленного макета прибора продемонстрирована возможность
 регистрации гамма-квантов высокоомным детектором из ZnSe в режиме отдельных импульсов. Analysis of the major types of ionizing radiation detectors,
 their advantages and disadvantages are presented. Application
 of ZnSe-based semiconductor detector in high temperature
 environment is substantiated. Different forms of
 ZnSe-based detector samples and double-crystal scheme for
 registration of X- and gamma rays in a broad energy range
 were used . Based on the manufactured simulator device, the
 study sustains the feasibility of the gamma quanta recording
 by a high-resistance ZnSe-based detector operating in a perpulse mode.
ISSN:1815-2066