Роль межузельных атомов кремния в конфигурационной перестройке дивакансий в кластерах дефектов

• Published in: Вопросы атомной науки и техники
• Date: 2016
• Main Author: Долголенко, А.П.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2016
• Subjects: Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115340
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Роль межузельных атомов кремния в конфигурационной перестройке дивакансий в кластерах дефектов / А.П. Долголенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2016. — № 2. — С. 3-9. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Описано поведение подвижности электронов при их диффузном движении в высокоомном кремнии, вы-
 ращенном методом бестигельной зонной плавки (Fz) и методом Чохральского (Cz), после облучения быст-
 рыми нейтронами реактора и последующего отжига при комнатной температуре. В рамках уточненной мо-
 дели кластеров дефектов рассчитана температурная зависимость концентрации электронов в образцах крем-
 ния. Определены энергетические уровни радиационных дефектов в проводящей матрице n-Si. Обоснована
 роль межузельных атомов кремния в гистерезисе температурной зависимости подвижности электронов и их
 участие в конфигурационной перестройке дивакансий в кластерах дефектов. Описано поведінку рухливості електронів при їх дифузному русі в високоомному кремнії, який вироще-
 но методом безтигельного зонного плавлення (Fz) і методом Чохральського (Cz), після опромінення швид-
 кими нейтронами реактора і наступного відпалу при кімнатній температурі. У рамках уточненої моделі кла-
 стерів дефектів розрахована температурна залежність концентрації електронів у зразках n-Si. Визначено
 енергетичні рівні радіаційних дефектів у провідній матриці кремнію. Обґрунтовано роль міжвузлових атомів
 кремнію в гістерезисі температурної залежності рухливості електронів і їх участь у конфігураційній перебу-
 дові дивакансій в кластерах дефектів. The behavior of the mobility of electrons as they diffuse movement in the high-resistivity silicon, grown by
 floating zone melting (Fz) and Czochralski (Cz), after irradiation with fast neutrons reactor and subsequent annealing
 at room temperature was described. As part of the revised model of defect clusters was calculated temperature
 dependence of the electrons density in the conductive matrix of silicon samples n-type. The energy levels of radiation
 defects in n-Si defined. It is substantiates the role of interstitial silicon atoms in the hysteresis of the temperature
 dependence of the electron mobility and their participation in the restructuring of the configuration divacancy defects
 in clusters.