Роль межузельных атомов кремния в конфигурационной перестройке дивакансий в кластерах дефектов
Описано поведение подвижности электронов при их диффузном движении в высокоомном кремнии, вы- ращенном методом бестигельной зонной плавки (Fz) и методом Чохральского (Cz), после облучения быст- рыми нейтронами реактора и последующего отжига при комнатной температуре. В рамках уточненной мо- дели...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Дата: | 2016 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2016
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115340 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Роль межузельных атомов кремния в конфигурационной перестройке дивакансий в кластерах дефектов / А.П. Долголенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2016. — № 2. — С. 3-9. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-115340 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Долголенко, А.П. 2017-04-02T14:06:57Z 2017-04-02T14:06:57Z 2016 Роль межузельных атомов кремния в конфигурационной перестройке дивакансий в кластерах дефектов / А.П. Долголенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2016. — № 2. — С. 3-9. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115340 621.315.592.3:546.28:539.12.04 Описано поведение подвижности электронов при их диффузном движении в высокоомном кремнии, вы- ращенном методом бестигельной зонной плавки (Fz) и методом Чохральского (Cz), после облучения быст- рыми нейтронами реактора и последующего отжига при комнатной температуре. В рамках уточненной мо- дели кластеров дефектов рассчитана температурная зависимость концентрации электронов в образцах крем- ния. Определены энергетические уровни радиационных дефектов в проводящей матрице n-Si. Обоснована роль межузельных атомов кремния в гистерезисе температурной зависимости подвижности электронов и их участие в конфигурационной перестройке дивакансий в кластерах дефектов. Описано поведінку рухливості електронів при їх дифузному русі в високоомному кремнії, який вироще- но методом безтигельного зонного плавлення (Fz) і методом Чохральського (Cz), після опромінення швид- кими нейтронами реактора і наступного відпалу при кімнатній температурі. У рамках уточненої моделі кла- стерів дефектів розрахована температурна залежність концентрації електронів у зразках n-Si. Визначено енергетичні рівні радіаційних дефектів у провідній матриці кремнію. Обґрунтовано роль міжвузлових атомів кремнію в гістерезисі температурної залежності рухливості електронів і їх участь у конфігураційній перебу- дові дивакансій в кластерах дефектів. The behavior of the mobility of electrons as they diffuse movement in the high-resistivity silicon, grown by floating zone melting (Fz) and Czochralski (Cz), after irradiation with fast neutrons reactor and subsequent annealing at room temperature was described. As part of the revised model of defect clusters was calculated temperature dependence of the electrons density in the conductive matrix of silicon samples n-type. The energy levels of radiation defects in n-Si defined. It is substantiates the role of interstitial silicon atoms in the hysteresis of the temperature dependence of the electron mobility and their participation in the restructuring of the configuration divacancy defects in clusters. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Роль межузельных атомов кремния в конфигурационной перестройке дивакансий в кластерах дефектов Роль міжвузлових атомів кремнію в конфігураційній перебудові дивакансій в кластерах дефектів Role of interstitial silicon atoms in the configuration restructuring divacancies in the defect clusters Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Роль межузельных атомов кремния в конфигурационной перестройке дивакансий в кластерах дефектов |
| spellingShingle |
Роль межузельных атомов кремния в конфигурационной перестройке дивакансий в кластерах дефектов Долголенко, А.П. Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| title_short |
Роль межузельных атомов кремния в конфигурационной перестройке дивакансий в кластерах дефектов |
| title_full |
Роль межузельных атомов кремния в конфигурационной перестройке дивакансий в кластерах дефектов |
| title_fullStr |
Роль межузельных атомов кремния в конфигурационной перестройке дивакансий в кластерах дефектов |
| title_full_unstemmed |
Роль межузельных атомов кремния в конфигурационной перестройке дивакансий в кластерах дефектов |
| title_sort |
роль межузельных атомов кремния в конфигурационной перестройке дивакансий в кластерах дефектов |
| author |
Долголенко, А.П. |
| author_facet |
Долголенко, А.П. |
| topic |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| topic_facet |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| publishDate |
2016 |
| language |
Russian |
| container_title |
Вопросы атомной науки и техники |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Роль міжвузлових атомів кремнію в конфігураційній перебудові дивакансій в кластерах дефектів Role of interstitial silicon atoms in the configuration restructuring divacancies in the defect clusters |
| description |
Описано поведение подвижности электронов при их диффузном движении в высокоомном кремнии, вы-
ращенном методом бестигельной зонной плавки (Fz) и методом Чохральского (Cz), после облучения быст-
рыми нейтронами реактора и последующего отжига при комнатной температуре. В рамках уточненной мо-
дели кластеров дефектов рассчитана температурная зависимость концентрации электронов в образцах крем-
ния. Определены энергетические уровни радиационных дефектов в проводящей матрице n-Si. Обоснована
роль межузельных атомов кремния в гистерезисе температурной зависимости подвижности электронов и их
участие в конфигурационной перестройке дивакансий в кластерах дефектов.
Описано поведінку рухливості електронів при їх дифузному русі в високоомному кремнії, який вироще-
но методом безтигельного зонного плавлення (Fz) і методом Чохральського (Cz), після опромінення швид-
кими нейтронами реактора і наступного відпалу при кімнатній температурі. У рамках уточненої моделі кла-
стерів дефектів розрахована температурна залежність концентрації електронів у зразках n-Si. Визначено
енергетичні рівні радіаційних дефектів у провідній матриці кремнію. Обґрунтовано роль міжвузлових атомів
кремнію в гістерезисі температурної залежності рухливості електронів і їх участь у конфігураційній перебу-
дові дивакансій в кластерах дефектів.
The behavior of the mobility of electrons as they diffuse movement in the high-resistivity silicon, grown by
floating zone melting (Fz) and Czochralski (Cz), after irradiation with fast neutrons reactor and subsequent annealing
at room temperature was described. As part of the revised model of defect clusters was calculated temperature
dependence of the electrons density in the conductive matrix of silicon samples n-type. The energy levels of radiation
defects in n-Si defined. It is substantiates the role of interstitial silicon atoms in the hysteresis of the temperature
dependence of the electron mobility and their participation in the restructuring of the configuration divacancy defects
in clusters.
|
| issn |
1562-6016 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115340 |
| citation_txt |
Роль межузельных атомов кремния в конфигурационной перестройке дивакансий в кластерах дефектов / А.П. Долголенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2016. — № 2. — С. 3-9. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT dolgolenkoap rolʹmežuzelʹnyhatomovkremniâvkonfiguracionnoiperestroikedivakansiivklasterahdefektov AT dolgolenkoap rolʹmížvuzlovihatomívkremníûvkonfíguracíiníiperebudovídivakansíivklasterahdefektív AT dolgolenkoap roleofinterstitialsiliconatomsintheconfigurationrestructuringdivacanciesinthedefectclusters |
| first_indexed |
2025-12-07T18:00:36Z |
| last_indexed |
2025-12-07T18:00:36Z |
| _version_ |
1850873412845568000 |