Influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors
In this paper the features of influence of the surface electron processes on the formation of silicon surface-barrier
 detector structures were founded, the regimes of chemical treatments of the surface for Si crystals were established
 with using of different combinations of etchant...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Дата: | 2016 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2016
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115345 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors / G.P. Gaidar, S.V. Berdnichenko, V.G. Vorobyov, V.I. Kochkin, V.F. Lastovetskiy, P.G. Litovchenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2016. — № 2. — С. 17-24. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862745303153639424 |
|---|---|
| author | Gaidar, G.P. Berdnichenko, S.V. Vorobyov, V.G. Kochkin, V.I. Lastovetskiy, V.F. Litovchenko, P.G. |
| author_facet | Gaidar, G.P. Berdnichenko, S.V. Vorobyov, V.G. Kochkin, V.I. Lastovetskiy, V.F. Litovchenko, P.G. |
| citation_txt | Influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors / G.P. Gaidar, S.V. Berdnichenko, V.G. Vorobyov, V.I. Kochkin, V.F. Lastovetskiy, P.G. Litovchenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2016. — № 2. — С. 17-24. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | In this paper the features of influence of the surface electron processes on the formation of silicon surface-barrier
detector structures were founded, the regimes of chemical treatments of the surface for Si crystals were established
with using of different combinations of etchants for the accelerated creation of surface-barrier structures with stable
parameters, the slow regimes of etching were developed for making the detectors of plane-parallel geometry. On the
basis of experimental studies concerning the improvement of the formation processes of qualitative surface-barrier
structures, the fabrication technique of the silicon spectrometric detectors was optimized; the prototypes were
manufactured and their characteristics were identified.
Выявлены особенности влияния поверхностных электронных процессов на формирование кремниевых
поверхностно-барьерных детекторных структур; установлены режимы химических обработок поверхности
Si-кристаллов с использованием различных составов травителей для ускоренного создания поверхностно-
барьерных структур со стабильными параметрами; разработаны медленные режимы травления для
изготовления детекторов плоскопараллельной геометрии. На основе проведенных экспериментальных
исследований по совершенствованию процессов формирования качественных поверхностно-барьерных
структур оптимизирована технология изготовления кремниевых спектрометрических детекторов,
изготовлены опытные образцы и определены их характеристики.
Виявлено особливості впливу поверхневих електронних процесів на формування кремнієвих поверхнево-
бар’єрних детекторних структур; встановлено режими хімічних обробок поверхні Si-кристалів з
використанням різних складів травників для прискореного створення поверхнево-бар’єрних структур зі
стабільними параметрами; розроблено повільні режими травлення для виготовлення детекторів плоско-
паралельної геометрії. На основі проведених експериментальних досліджень щодо вдосконалення процесів
формування якісних поверхнево-бар’єрних структур оптимізовано технологію виготовлення кремнієвих
спектрометричних детекторів, виготовлено дослідні зразки та визначено їх характеристики.
|
| first_indexed | 2025-12-07T20:40:04Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-115345 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-07T20:40:04Z |
| publishDate | 2016 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Gaidar, G.P. Berdnichenko, S.V. Vorobyov, V.G. Kochkin, V.I. Lastovetskiy, V.F. Litovchenko, P.G. 2017-04-03T07:21:06Z 2017-04-03T07:21:06Z 2016 Influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors / G.P. Gaidar, S.V. Berdnichenko, V.G. Vorobyov, V.I. Kochkin, V.F. Lastovetskiy, P.G. Litovchenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2016. — № 2. — С. 17-24. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. 1562-6016 PACS: 9.00.00; 29.40.Wk https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115345 In this paper the features of influence of the surface electron processes on the formation of silicon surface-barrier
 detector structures were founded, the regimes of chemical treatments of the surface for Si crystals were established
 with using of different combinations of etchants for the accelerated creation of surface-barrier structures with stable
 parameters, the slow regimes of etching were developed for making the detectors of plane-parallel geometry. On the
 basis of experimental studies concerning the improvement of the formation processes of qualitative surface-barrier
 structures, the fabrication technique of the silicon spectrometric detectors was optimized; the prototypes were
 manufactured and their characteristics were identified. Выявлены особенности влияния поверхностных электронных процессов на формирование кремниевых
 поверхностно-барьерных детекторных структур; установлены режимы химических обработок поверхности
 Si-кристаллов с использованием различных составов травителей для ускоренного создания поверхностно-
 барьерных структур со стабильными параметрами; разработаны медленные режимы травления для
 изготовления детекторов плоскопараллельной геометрии. На основе проведенных экспериментальных
 исследований по совершенствованию процессов формирования качественных поверхностно-барьерных
 структур оптимизирована технология изготовления кремниевых спектрометрических детекторов,
 изготовлены опытные образцы и определены их характеристики. Виявлено особливості впливу поверхневих електронних процесів на формування кремнієвих поверхнево-
 бар’єрних детекторних структур; встановлено режими хімічних обробок поверхні Si-кристалів з
 використанням різних складів травників для прискореного створення поверхнево-бар’єрних структур зі
 стабільними параметрами; розроблено повільні режими травлення для виготовлення детекторів плоско-
 паралельної геометрії. На основі проведених експериментальних досліджень щодо вдосконалення процесів
 формування якісних поверхнево-бар’єрних структур оптимізовано технологію виготовлення кремнієвих
 спектрометричних детекторів, виготовлено дослідні зразки та визначено їх характеристики. en Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors Влияние поверхностных электронных процессов на спектрометрические характеристики кремниевых детекторов Вплив поверхневих електронних процесів на спектрометричні характеристики кремнієвих детекторів Article published earlier |
| spellingShingle | Influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors Gaidar, G.P. Berdnichenko, S.V. Vorobyov, V.G. Kochkin, V.I. Lastovetskiy, V.F. Litovchenko, P.G. Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| title | Influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors |
| title_alt | Влияние поверхностных электронных процессов на спектрометрические характеристики кремниевых детекторов Вплив поверхневих електронних процесів на спектрометричні характеристики кремнієвих детекторів |
| title_full | Influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors |
| title_fullStr | Influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors |
| title_full_unstemmed | Influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors |
| title_short | Influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors |
| title_sort | influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors |
| topic | Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| topic_facet | Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115345 |
| work_keys_str_mv | AT gaidargp influenceofthesurfaceelectronicprocessesonthespectrometriccharacteristicsofsilicondetectors AT berdnichenkosv influenceofthesurfaceelectronicprocessesonthespectrometriccharacteristicsofsilicondetectors AT vorobyovvg influenceofthesurfaceelectronicprocessesonthespectrometriccharacteristicsofsilicondetectors AT kochkinvi influenceofthesurfaceelectronicprocessesonthespectrometriccharacteristicsofsilicondetectors AT lastovetskiyvf influenceofthesurfaceelectronicprocessesonthespectrometriccharacteristicsofsilicondetectors AT litovchenkopg influenceofthesurfaceelectronicprocessesonthespectrometriccharacteristicsofsilicondetectors AT gaidargp vliâniepoverhnostnyhélektronnyhprocessovnaspektrometričeskieharakteristikikremnievyhdetektorov AT berdnichenkosv vliâniepoverhnostnyhélektronnyhprocessovnaspektrometričeskieharakteristikikremnievyhdetektorov AT vorobyovvg vliâniepoverhnostnyhélektronnyhprocessovnaspektrometričeskieharakteristikikremnievyhdetektorov AT kochkinvi vliâniepoverhnostnyhélektronnyhprocessovnaspektrometričeskieharakteristikikremnievyhdetektorov AT lastovetskiyvf vliâniepoverhnostnyhélektronnyhprocessovnaspektrometričeskieharakteristikikremnievyhdetektorov AT litovchenkopg vliâniepoverhnostnyhélektronnyhprocessovnaspektrometričeskieharakteristikikremnievyhdetektorov AT gaidargp vplivpoverhnevihelektronnihprocesívnaspektrometričníharakteristikikremníêvihdetektorív AT berdnichenkosv vplivpoverhnevihelektronnihprocesívnaspektrometričníharakteristikikremníêvihdetektorív AT vorobyovvg vplivpoverhnevihelektronnihprocesívnaspektrometričníharakteristikikremníêvihdetektorív AT kochkinvi vplivpoverhnevihelektronnihprocesívnaspektrometričníharakteristikikremníêvihdetektorív AT lastovetskiyvf vplivpoverhnevihelektronnihprocesívnaspektrometričníharakteristikikremníêvihdetektorív AT litovchenkopg vplivpoverhnevihelektronnihprocesívnaspektrometričníharakteristikikremníêvihdetektorív |