Influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors

Influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors

In this paper the features of influence of the surface electron processes on the formation of silicon surface-barrier detector structures were founded, the regimes of chemical treatments of the surface for Si crystals were established with using of different combinations of etchants for the accele...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Вопросы атомной науки и техники
Datum:2016
Hauptverfasser: Gaidar, G.P., Berdnichenko, S.V., Vorobyov, V.G., Kochkin, V.I., Lastovetskiy, V.F., Litovchenko, P.G.
Format: Artikel
Sprache:English
Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2016
Schlagworte:
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115345
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors / G.P. Gaidar, S.V. Berdnichenko, V.G. Vorobyov, V.I. Kochkin, V.F. Lastovetskiy, P.G. Litovchenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2016. — № 2. — С. 17-24. — Бібліогр.: 11 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-115345
record_format dspace
spelling Gaidar, G.P.
Berdnichenko, S.V.
Vorobyov, V.G.
Kochkin, V.I.
Lastovetskiy, V.F.
Litovchenko, P.G.
2017-04-03T07:21:06Z
2017-04-03T07:21:06Z
2016
Influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors / G.P. Gaidar, S.V. Berdnichenko, V.G. Vorobyov, V.I. Kochkin, V.F. Lastovetskiy, P.G. Litovchenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2016. — № 2. — С. 17-24. — Бібліогр.: 11 назв. — англ.
1562-6016
PACS: 9.00.00; 29.40.Wk
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115345
In this paper the features of influence of the surface electron processes on the formation of silicon surface-barrier detector structures were founded, the regimes of chemical treatments of the surface for Si crystals were established with using of different combinations of etchants for the accelerated creation of surface-barrier structures with stable parameters, the slow regimes of etching were developed for making the detectors of plane-parallel geometry. On the basis of experimental studies concerning the improvement of the formation processes of qualitative surface-barrier structures, the fabrication technique of the silicon spectrometric detectors was optimized; the prototypes were manufactured and their characteristics were identified.
Выявлены особенности влияния поверхностных электронных процессов на формирование кремниевых поверхностно-барьерных детекторных структур; установлены режимы химических обработок поверхности Si-кристаллов с использованием различных составов травителей для ускоренного создания поверхностно- барьерных структур со стабильными параметрами; разработаны медленные режимы травления для изготовления детекторов плоскопараллельной геометрии. На основе проведенных экспериментальных исследований по совершенствованию процессов формирования качественных поверхностно-барьерных структур оптимизирована технология изготовления кремниевых спектрометрических детекторов, изготовлены опытные образцы и определены их характеристики.
Виявлено особливості впливу поверхневих електронних процесів на формування кремнієвих поверхнево- бар’єрних детекторних структур; встановлено режими хімічних обробок поверхні Si-кристалів з використанням різних складів травників для прискореного створення поверхнево-бар’єрних структур зі стабільними параметрами; розроблено повільні режими травлення для виготовлення детекторів плоско- паралельної геометрії. На основі проведених експериментальних досліджень щодо вдосконалення процесів формування якісних поверхнево-бар’єрних структур оптимізовано технологію виготовлення кремнієвих спектрометричних детекторів, виготовлено дослідні зразки та визначено їх характеристики.
en
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
Вопросы атомной науки и техники
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
Influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors
Влияние поверхностных электронных процессов на спектрометрические характеристики кремниевых детекторов
Вплив поверхневих електронних процесів на спектрометричні характеристики кремнієвих детекторів
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors
spellingShingle Influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors
Gaidar, G.P.
Berdnichenko, S.V.
Vorobyov, V.G.
Kochkin, V.I.
Lastovetskiy, V.F.
Litovchenko, P.G.
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
title_short Influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors
title_full Influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors
title_fullStr Influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors
title_full_unstemmed Influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors
title_sort influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors
author Gaidar, G.P.
Berdnichenko, S.V.
Vorobyov, V.G.
Kochkin, V.I.
Lastovetskiy, V.F.
Litovchenko, P.G.
author_facet Gaidar, G.P.
Berdnichenko, S.V.
Vorobyov, V.G.
Kochkin, V.I.
Lastovetskiy, V.F.
Litovchenko, P.G.
topic Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
topic_facet Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
publishDate 2016
language English
container_title Вопросы атомной науки и техники
publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
format Article
title_alt Влияние поверхностных электронных процессов на спектрометрические характеристики кремниевых детекторов
Вплив поверхневих електронних процесів на спектрометричні характеристики кремнієвих детекторів
description In this paper the features of influence of the surface electron processes on the formation of silicon surface-barrier detector structures were founded, the regimes of chemical treatments of the surface for Si crystals were established with using of different combinations of etchants for the accelerated creation of surface-barrier structures with stable parameters, the slow regimes of etching were developed for making the detectors of plane-parallel geometry. On the basis of experimental studies concerning the improvement of the formation processes of qualitative surface-barrier structures, the fabrication technique of the silicon spectrometric detectors was optimized; the prototypes were manufactured and their characteristics were identified. Выявлены особенности влияния поверхностных электронных процессов на формирование кремниевых поверхностно-барьерных детекторных структур; установлены режимы химических обработок поверхности Si-кристаллов с использованием различных составов травителей для ускоренного создания поверхностно- барьерных структур со стабильными параметрами; разработаны медленные режимы травления для изготовления детекторов плоскопараллельной геометрии. На основе проведенных экспериментальных исследований по совершенствованию процессов формирования качественных поверхностно-барьерных структур оптимизирована технология изготовления кремниевых спектрометрических детекторов, изготовлены опытные образцы и определены их характеристики. Виявлено особливості впливу поверхневих електронних процесів на формування кремнієвих поверхнево- бар’єрних детекторних структур; встановлено режими хімічних обробок поверхні Si-кристалів з використанням різних складів травників для прискореного створення поверхнево-бар’єрних структур зі стабільними параметрами; розроблено повільні режими травлення для виготовлення детекторів плоско- паралельної геометрії. На основі проведених експериментальних досліджень щодо вдосконалення процесів формування якісних поверхнево-бар’єрних структур оптимізовано технологію виготовлення кремнієвих спектрометричних детекторів, виготовлено дослідні зразки та визначено їх характеристики.
issn 1562-6016
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115345
citation_txt Influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors / G.P. Gaidar, S.V. Berdnichenko, V.G. Vorobyov, V.I. Kochkin, V.F. Lastovetskiy, P.G. Litovchenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2016. — № 2. — С. 17-24. — Бібліогр.: 11 назв. — англ.
work_keys_str_mv AT gaidargp influenceofthesurfaceelectronicprocessesonthespectrometriccharacteristicsofsilicondetectors
AT berdnichenkosv influenceofthesurfaceelectronicprocessesonthespectrometriccharacteristicsofsilicondetectors
AT vorobyovvg influenceofthesurfaceelectronicprocessesonthespectrometriccharacteristicsofsilicondetectors
AT kochkinvi influenceofthesurfaceelectronicprocessesonthespectrometriccharacteristicsofsilicondetectors
AT lastovetskiyvf influenceofthesurfaceelectronicprocessesonthespectrometriccharacteristicsofsilicondetectors
AT litovchenkopg influenceofthesurfaceelectronicprocessesonthespectrometriccharacteristicsofsilicondetectors
AT gaidargp vliâniepoverhnostnyhélektronnyhprocessovnaspektrometričeskieharakteristikikremnievyhdetektorov
AT berdnichenkosv vliâniepoverhnostnyhélektronnyhprocessovnaspektrometričeskieharakteristikikremnievyhdetektorov
AT vorobyovvg vliâniepoverhnostnyhélektronnyhprocessovnaspektrometričeskieharakteristikikremnievyhdetektorov
AT kochkinvi vliâniepoverhnostnyhélektronnyhprocessovnaspektrometričeskieharakteristikikremnievyhdetektorov
AT lastovetskiyvf vliâniepoverhnostnyhélektronnyhprocessovnaspektrometričeskieharakteristikikremnievyhdetektorov
AT litovchenkopg vliâniepoverhnostnyhélektronnyhprocessovnaspektrometričeskieharakteristikikremnievyhdetektorov
AT gaidargp vplivpoverhnevihelektronnihprocesívnaspektrometričníharakteristikikremníêvihdetektorív
AT berdnichenkosv vplivpoverhnevihelektronnihprocesívnaspektrometričníharakteristikikremníêvihdetektorív
AT vorobyovvg vplivpoverhnevihelektronnihprocesívnaspektrometričníharakteristikikremníêvihdetektorív
AT kochkinvi vplivpoverhnevihelektronnihprocesívnaspektrometričníharakteristikikremníêvihdetektorív
AT lastovetskiyvf vplivpoverhnevihelektronnihprocesívnaspektrometričníharakteristikikremníêvihdetektorív
AT litovchenkopg vplivpoverhnevihelektronnihprocesívnaspektrometričníharakteristikikremníêvihdetektorív
first_indexed 2025-12-07T20:40:04Z
last_indexed 2025-12-07T20:40:04Z
_version_ 1850883445804236800

Ähnliche Einträge