Influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors
In this paper the features of influence of the surface electron processes on the formation of silicon surface-barrier
 detector structures were founded, the regimes of chemical treatments of the surface for Si crystals were established
 with using of different combinations of etchant...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Дата: | 2016 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2016
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115345 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors / G.P. Gaidar, S.V. Berdnichenko, V.G. Vorobyov, V.I. Kochkin, V.F. Lastovetskiy, P.G. Litovchenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2016. — № 2. — С. 17-24. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. |