Determination of sp³ fraction in ta-C coating using XPS and Raman spectroscopy
The paper presents results of studies on the structure of tetrahedral amorphous carbon films (ta-C) with a
 thickness in the range from 20 to 280 nm, deposited using pulsed vacuum arc technique with an electromagnetic
 Venetian blind plasma filter. The results of the phase structur...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Datum: | 2016 |
| Hauptverfasser: | , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2016
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115409 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Determination of sp³ fraction in ta-C coating using XPS and Raman spectroscopy / V. Zavaleyev, J. Walkowicz, M. Sawczak, M. Klein, D. Moszyński, R. Chodun, K. Zdunek // Вопросы атомной науки и техники. — 2016. — № 4. — С. 84-92. — Бібліогр.: 45 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862639388018606080 |
|---|---|
| author | Zavaleyev, V. Walkowicz, J. Sawczak, M. Klein, M. Moszyński, D. Chodun, R. Zdunek, K. |
| author_facet | Zavaleyev, V. Walkowicz, J. Sawczak, M. Klein, M. Moszyński, D. Chodun, R. Zdunek, K. |
| citation_txt | Determination of sp³ fraction in ta-C coating using XPS and Raman spectroscopy / V. Zavaleyev, J. Walkowicz, M. Sawczak, M. Klein, D. Moszyński, R. Chodun, K. Zdunek // Вопросы атомной науки и техники. — 2016. — № 4. — С. 84-92. — Бібліогр.: 45 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | The paper presents results of studies on the structure of tetrahedral amorphous carbon films (ta-C) with a
thickness in the range from 20 to 280 nm, deposited using pulsed vacuum arc technique with an electromagnetic
Venetian blind plasma filter. The results of the phase structure analysis, obtained using visible Raman spectroscopy
and UV Raman spectroscopy methods, showed a strong dependence of the results on the presence, on the surface of
synthesized thin carbon films, even of a minimum number of microparticles. The presence of microparticles in the
deposited coatings strongly affects the accuracy of the measured data, used next for calculation the ID/IG, IT/IG ratios
and determination of the G-peak dispersion, for all coating thicknesses, which pointed to significant diversification
in sp³ -bonds content in deposited films.
Представлены результаты исследования структуры тетраэдральных аморфных углеродных пленок (tа-С)
толщиной в интервале 20…280 нм, осажденных методом импульсной вакуумной дуги с электромагнитным
жалюзи плазменного фильтра. Результаты фазово-структурного анализа, полученные методами
спектроскопии комбинационного рассеяния света в видимом и УФ-диапазонах, демонстрируют сильную
зависимость результатов от наличия на поверхности тонких углеродных пленок микрочастиц даже в
минимальном количестве. Присутствие микрочастиц в осажденных покрытиях сильно влияет на точность
измеренных данных, используемых далее для вычисления соотношений ID/IG, IT/IG и определения дисперсии
G-пика для покрытий всех толщин, что приводит к значительному разбросу данных при оценке связей в
осажденных пленках.
Представлені результати дослідження структури тетраедральних аморфних вуглецевих плівок (tа-С)
завтовшки в інтервалі 20…280 нм, осаджених методом імпульсної вакуумної дуги з електромагнітним
жалюзі плазмового фільтра. Результати фазово-структурного аналізу, що отримані методами спектроскопії
комбінаційного розсіяння світла у видимому і УФ-діапазонах, демонструють велику залежність результатів
від наявності на поверхні тонких вуглецевих плівок мікрочасток навіть у мінімальній кількості. Присутність
мікрочасток в осаджених покриттях дуже впливає на точність виміряних даних, що використовувалися для
обчислення співвідношень ID/IG, IT/IG і визначення дисперсії G-піка для покриттів усієї товщини, що
призводить до значного розкиду даних при оцінці зв'язків в осаджених плівках.
|
| first_indexed | 2025-12-01T01:09:14Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-115409 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-01T01:09:14Z |
| publishDate | 2016 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Zavaleyev, V. Walkowicz, J. Sawczak, M. Klein, M. Moszyński, D. Chodun, R. Zdunek, K. 2017-04-04T06:47:32Z 2017-04-04T06:47:32Z 2016 Determination of sp³ fraction in ta-C coating using XPS and Raman spectroscopy / V. Zavaleyev, J. Walkowicz, M. Sawczak, M. Klein, D. Moszyński, R. Chodun, K. Zdunek // Вопросы атомной науки и техники. — 2016. — № 4. — С. 84-92. — Бібліогр.: 45 назв. — англ. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115409 539.233:539.26:679.826 The paper presents results of studies on the structure of tetrahedral amorphous carbon films (ta-C) with a
 thickness in the range from 20 to 280 nm, deposited using pulsed vacuum arc technique with an electromagnetic
 Venetian blind plasma filter. The results of the phase structure analysis, obtained using visible Raman spectroscopy
 and UV Raman spectroscopy methods, showed a strong dependence of the results on the presence, on the surface of
 synthesized thin carbon films, even of a minimum number of microparticles. The presence of microparticles in the
 deposited coatings strongly affects the accuracy of the measured data, used next for calculation the ID/IG, IT/IG ratios
 and determination of the G-peak dispersion, for all coating thicknesses, which pointed to significant diversification
 in sp³ -bonds content in deposited films. Представлены результаты исследования структуры тетраэдральных аморфных углеродных пленок (tа-С)
 толщиной в интервале 20…280 нм, осажденных методом импульсной вакуумной дуги с электромагнитным
 жалюзи плазменного фильтра. Результаты фазово-структурного анализа, полученные методами
 спектроскопии комбинационного рассеяния света в видимом и УФ-диапазонах, демонстрируют сильную
 зависимость результатов от наличия на поверхности тонких углеродных пленок микрочастиц даже в
 минимальном количестве. Присутствие микрочастиц в осажденных покрытиях сильно влияет на точность
 измеренных данных, используемых далее для вычисления соотношений ID/IG, IT/IG и определения дисперсии
 G-пика для покрытий всех толщин, что приводит к значительному разбросу данных при оценке связей в
 осажденных пленках. Представлені результати дослідження структури тетраедральних аморфних вуглецевих плівок (tа-С)
 завтовшки в інтервалі 20…280 нм, осаджених методом імпульсної вакуумної дуги з електромагнітним
 жалюзі плазмового фільтра. Результати фазово-структурного аналізу, що отримані методами спектроскопії
 комбінаційного розсіяння світла у видимому і УФ-діапазонах, демонструють велику залежність результатів
 від наявності на поверхні тонких вуглецевих плівок мікрочасток навіть у мінімальній кількості. Присутність
 мікрочасток в осаджених покриттях дуже впливає на точність виміряних даних, що використовувалися для
 обчислення співвідношень ID/IG, IT/IG і визначення дисперсії G-піка для покриттів усієї товщини, що
 призводить до значного розкиду даних при оцінці зв'язків в осаджених плівках. This work was supported by the National Science 
 Centre of Poland within the research project 
 “Optimization of device construction and deposition 
 technology of ta-C coatings using Taguchi method of 
 experiment design”, funded on the basis of the decision 
 No DEC-2013/09/N/ST8/04363. en Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика радиационных и ионно-плазменных технологий Determination of sp³ fraction in ta-C coating using XPS and Raman spectroscopy Определение фракции sp³ в ta-C-покрытии с использованием XPS и Раман-спектроскопии Визначення фракції sp³ у ta-C-покритті з використанням XPS і Раман-спектроскопії Article published earlier |
| spellingShingle | Determination of sp³ fraction in ta-C coating using XPS and Raman spectroscopy Zavaleyev, V. Walkowicz, J. Sawczak, M. Klein, M. Moszyński, D. Chodun, R. Zdunek, K. Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| title | Determination of sp³ fraction in ta-C coating using XPS and Raman spectroscopy |
| title_alt | Определение фракции sp³ в ta-C-покрытии с использованием XPS и Раман-спектроскопии Визначення фракції sp³ у ta-C-покритті з використанням XPS і Раман-спектроскопії |
| title_full | Determination of sp³ fraction in ta-C coating using XPS and Raman spectroscopy |
| title_fullStr | Determination of sp³ fraction in ta-C coating using XPS and Raman spectroscopy |
| title_full_unstemmed | Determination of sp³ fraction in ta-C coating using XPS and Raman spectroscopy |
| title_short | Determination of sp³ fraction in ta-C coating using XPS and Raman spectroscopy |
| title_sort | determination of sp³ fraction in ta-c coating using xps and raman spectroscopy |
| topic | Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| topic_facet | Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115409 |
| work_keys_str_mv | AT zavaleyevv determinationofsp3fractionintaccoatingusingxpsandramanspectroscopy AT walkowiczj determinationofsp3fractionintaccoatingusingxpsandramanspectroscopy AT sawczakm determinationofsp3fractionintaccoatingusingxpsandramanspectroscopy AT kleinm determinationofsp3fractionintaccoatingusingxpsandramanspectroscopy AT moszynskid determinationofsp3fractionintaccoatingusingxpsandramanspectroscopy AT chodunr determinationofsp3fractionintaccoatingusingxpsandramanspectroscopy AT zdunekk determinationofsp3fractionintaccoatingusingxpsandramanspectroscopy AT zavaleyevv opredeleniefrakciisp3vtacpokrytiisispolʹzovaniemxpsiramanspektroskopii AT walkowiczj opredeleniefrakciisp3vtacpokrytiisispolʹzovaniemxpsiramanspektroskopii AT sawczakm opredeleniefrakciisp3vtacpokrytiisispolʹzovaniemxpsiramanspektroskopii AT kleinm opredeleniefrakciisp3vtacpokrytiisispolʹzovaniemxpsiramanspektroskopii AT moszynskid opredeleniefrakciisp3vtacpokrytiisispolʹzovaniemxpsiramanspektroskopii AT chodunr opredeleniefrakciisp3vtacpokrytiisispolʹzovaniemxpsiramanspektroskopii AT zdunekk opredeleniefrakciisp3vtacpokrytiisispolʹzovaniemxpsiramanspektroskopii AT zavaleyevv viznačennâfrakcíísp3utacpokrittízvikoristannâmxpsíramanspektroskopíí AT walkowiczj viznačennâfrakcíísp3utacpokrittízvikoristannâmxpsíramanspektroskopíí AT sawczakm viznačennâfrakcíísp3utacpokrittízvikoristannâmxpsíramanspektroskopíí AT kleinm viznačennâfrakcíísp3utacpokrittízvikoristannâmxpsíramanspektroskopíí AT moszynskid viznačennâfrakcíísp3utacpokrittízvikoristannâmxpsíramanspektroskopíí AT chodunr viznačennâfrakcíísp3utacpokrittízvikoristannâmxpsíramanspektroskopíí AT zdunekk viznačennâfrakcíísp3utacpokrittízvikoristannâmxpsíramanspektroskopíí |