Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук

• Veröffentlicht in: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Datum: 2010
• Hauptverfasser: Баранський, П.І., Гайдар, Г.П.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115597
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 69-75. — Бібліогр.: 25 назв. — укр.

Розглянуто основні особливості нанооб’єктів (НО), що зумовлюють їх термічну і радіаційну стійкість, а також ті фактори, які зумовлюють вияв радіаційної і термічної нестійкості тонких шарів, гетероструктур та інших НО. У випадках, коли вияв термічної і радіаційної нестійкості усунути не можна (а такі випадки в практиці радіаційної фізики є домінуючими), розглянуто шляхи мінімізації впливу цих нестабільностей на основні властивості напівпровідникових НО. The basic properties of nanoobjects, which determine their thermal stability and radiation hardness, and the factors, which cause the radiation and thermal instability of thin layers, heterostructures, etc., have been considered. For the cases, when the radiation and thermal instability cannot be prevented (and such cases are dominant in practice of radiation physics), the ways to minimize the influence of such instabilities on the basis properties of semiconductor nanoobjects are proposed.