Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук
Розглянуто основні особливості нанооб’єктів (НО), що зумовлюють їх термічну і радіаційну стійкість, а також ті фактори, які зумовлюють вияв радіаційної і термічної нестійкості тонких шарів, гетероструктур та інших НО. У випадках, коли вияв термічної і радіаційної нестійкості усунути не можна (а такі...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Datum: | 2010 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115597 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 69-75. — Бібліогр.: 25 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-115597 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. 2017-04-07T17:31:31Z 2017-04-07T17:31:31Z 2010 Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 69-75. — Бібліогр.: 25 назв. — укр. 0233-7577 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115597 621.315.592 Розглянуто основні особливості нанооб’єктів (НО), що зумовлюють їх термічну і радіаційну стійкість, а також ті фактори, які зумовлюють вияв радіаційної і термічної нестійкості тонких шарів, гетероструктур та інших НО. У випадках, коли вияв термічної і радіаційної нестійкості усунути не можна (а такі випадки в практиці радіаційної фізики є домінуючими), розглянуто шляхи мінімізації впливу цих нестабільностей на основні властивості напівпровідникових НО. The basic properties of nanoobjects, which determine their thermal stability and radiation hardness, and the factors, which cause the radiation and thermal instability of thin layers, heterostructures, etc., have been considered. For the cases, when the radiation and thermal instability cannot be prevented (and such cases are dominant in practice of radiation physics), the ways to minimize the influence of such instabilities on the basis properties of semiconductor nanoobjects are proposed. uk Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук Radiation and thermal stability of thin layers, heterosystems and nanostructures, created on the basis of elementary semiconductors and semiconductor compounds Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук |
| spellingShingle |
Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. |
| title_short |
Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук |
| title_full |
Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук |
| title_fullStr |
Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук |
| title_full_unstemmed |
Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук |
| title_sort |
радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук |
| author |
Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. |
| author_facet |
Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. |
| publishDate |
2010 |
| language |
Ukrainian |
| container_title |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Radiation and thermal stability of thin layers, heterosystems and nanostructures, created on the basis of elementary semiconductors and semiconductor compounds |
| description |
Розглянуто основні особливості нанооб’єктів (НО), що зумовлюють їх термічну і радіаційну стійкість, а також ті фактори, які зумовлюють вияв радіаційної і термічної нестійкості тонких шарів, гетероструктур та інших НО. У випадках, коли вияв термічної і радіаційної нестійкості усунути не можна (а такі випадки в практиці радіаційної фізики є домінуючими), розглянуто шляхи мінімізації впливу цих нестабільностей на основні властивості напівпровідникових НО.
The basic properties of nanoobjects, which determine their thermal stability and radiation hardness, and the factors, which cause the radiation and thermal instability of thin layers, heterostructures, etc., have been considered. For the cases, when the radiation and thermal instability cannot be prevented (and such cases are dominant in practice of radiation physics), the ways to minimize the influence of such instabilities on the basis properties of semiconductor nanoobjects are proposed.
|
| issn |
0233-7577 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115597 |
| citation_txt |
Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 69-75. — Бібліогр.: 25 назв. — укр. |
| work_keys_str_mv |
AT baransʹkiipí radíacíinaítermíčnastíikístʹtonkihšarívgeterosistemínanostrukturstvorûvanihnaosnovíelementarnihnapívprovídnikívínapívprovídnikovihspoluk AT gaidargp radíacíinaítermíčnastíikístʹtonkihšarívgeterosistemínanostrukturstvorûvanihnaosnovíelementarnihnapívprovídnikívínapívprovídnikovihspoluk AT baransʹkiipí radiationandthermalstabilityofthinlayersheterosystemsandnanostructurescreatedonthebasisofelementarysemiconductorsandsemiconductorcompounds AT gaidargp radiationandthermalstabilityofthinlayersheterosystemsandnanostructurescreatedonthebasisofelementarysemiconductorsandsemiconductorcompounds |
| first_indexed |
2025-12-07T20:25:26Z |
| last_indexed |
2025-12-07T20:25:26Z |
| _version_ |
1850882525114662912 |