Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук

• Published in: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Date: 2010
• ISSN: 0233-7577
• Main Authors: Баранський, П.І., Гайдар, Г.П.
• Format: Article
• Language: Ukrainian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115597
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 69-75. — Бібліогр.: 25 назв. — укр.

Розглянуто основні особливості нанооб’єктів (НО), що зумовлюють їх термічну і радіаційну стійкість, а також ті фактори, які зумовлюють вияв радіаційної і термічної нестійкості тонких шарів, гетероструктур та інших НО. У випадках, коли вияв термічної і радіаційної нестійкості усунути не можна (а такі...