Данько, В., Індутний, І., Михайловська, К., & Шепелявий, П. (2010). Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Данько, В.А, І.З Індутний, К.В Михайловська, та П.Є Шепелявий. "Фотолюмінесценція поруватих Nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF." Оптоэлектроника и полупроводниковая техника 2010.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Данько, В.А, et al. "Фотолюмінесценція поруватих Nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF." Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.