Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF

• Опубліковано в: : Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Дата: 2010
• Автори: Данько, В.А., Індутний, І.З., Михайловська, К.В., Шепелявий, П.Є.
• Формат: Стаття
• Мова: Українська
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115598
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF / В. А. Данько, І. З. Індутний, К. В. Михайловська, П. Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 83-89. — Бібліогр.: 19 назв. — укр.

Досліджено вплив обробки парами НF тонкоплівкових nc-Si—SiOx cтруктур на їх люмінесцентні властивості в спектральній області 0,5—1 мкм. Протравлювання в парах НF призводить до зменшення розмірів nc-Si в досліджуваних структурах, що супроводжується значним зміщенням спектра фотолюмінесценції в короткохвильову область та збільшенням інтенсивності випромінювання. Досліджено залежності енергетичних положень максимуму та інтенсивності ФЛ від часу протравлювання. З’ясовано, що механізм випромінювальної рекомбінації в
 тонкоплівкових структурах nc-Si—SiOx не змінюється внаслідок обробки парами плавикової кислоти. Показано, що шляхом протравлювання в парах НF можна керувати спектральним складом і інтинсивністю ФЛ поруватих структур nc-Si—SiOx. The effect of HF vapor treatment on photoluminescence in thin-film nc-Si—SiOx structures in a spectral region of 0,5—1 μm is studied. Etching in the HF vapour results in the decrease in nc-Si dimensions in the structures under study, that is accompanied by a considerable shortwavelength shift of photoluminescence spectrum and increase of PL intensity. Dependences of PL peak position and intensity of the PL band on the etching time have been studied. It is established, that the mechanism of radiating recombination in thin-film nc-Si—SiOx structures does not change after etching in the HF vapour. The results show that the treatment in the HF vapour makes it possible to control the PL spectrum and intensity of porous nc-Si—SiOx structures.