Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF

Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF

Досліджено вплив обробки парами НF тонкоплівкових nc-Si—SiOx cтруктур на їх люмінесцентні властивості в спектральній області 0,5—1 мкм. Протравлювання в парах НF призводить до зменшення розмірів nc-Si в досліджуваних структурах, що супроводжується значним зміщенням спектра фотолюмінесценції в коротк...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Datum:2010
Hauptverfasser: Данько, В.А., Індутний, І.З., Михайловська, К.В., Шепелявий, П.Є.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115598
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF / В. А. Данько, І. З. Індутний, К. В. Михайловська, П. Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 83-89. — Бібліогр.: 19 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-115598
record_format dspace
spelling Данько, В.А.
Індутний, І.З.
Михайловська, К.В.
Шепелявий, П.Є.
2017-04-07T17:33:06Z
2017-04-07T17:33:06Z
2010
Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF / В. А. Данько, І. З. Індутний, К. В. Михайловська, П. Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 83-89. — Бібліогр.: 19 назв. — укр.
0233-7577
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115598
621. 315. 592:535
Досліджено вплив обробки парами НF тонкоплівкових nc-Si—SiOx cтруктур на їх люмінесцентні властивості в спектральній області 0,5—1 мкм. Протравлювання в парах НF призводить до зменшення розмірів nc-Si в досліджуваних структурах, що супроводжується значним зміщенням спектра фотолюмінесценції в короткохвильову область та збільшенням інтенсивності випромінювання. Досліджено залежності енергетичних положень максимуму та інтенсивності ФЛ від часу протравлювання. З’ясовано, що механізм випромінювальної рекомбінації в тонкоплівкових структурах nc-Si—SiOx не змінюється внаслідок обробки парами плавикової кислоти. Показано, що шляхом протравлювання в парах НF можна керувати спектральним складом і інтинсивністю ФЛ поруватих структур nc-Si—SiOx.
The effect of HF vapor treatment on photoluminescence in thin-film nc-Si—SiOx structures in a spectral region of 0,5—1 μm is studied. Etching in the HF vapour results in the decrease in nc-Si dimensions in the structures under study, that is accompanied by a considerable shortwavelength shift of photoluminescence spectrum and increase of PL intensity. Dependences of PL peak position and intensity of the PL band on the etching time have been studied. It is established, that the mechanism of radiating recombination in thin-film nc-Si—SiOx structures does not change after etching in the HF vapour. The results show that the treatment in the HF vapour makes it possible to control the PL spectrum and intensity of porous nc-Si—SiOx structures.
uk
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF
Photoluminescence of porous nc-Si—SiOx nanostructures treated by HF vapors
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF
spellingShingle Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF
Данько, В.А.
Індутний, І.З.
Михайловська, К.В.
Шепелявий, П.Є.
title_short Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF
title_full Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF
title_fullStr Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF
title_full_unstemmed Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF
title_sort фотолюмінесценція поруватих nc-si—siox наноструктур, оброблених парами hf
author Данько, В.А.
Індутний, І.З.
Михайловська, К.В.
Шепелявий, П.Є.
author_facet Данько, В.А.
Індутний, І.З.
Михайловська, К.В.
Шепелявий, П.Є.
publishDate 2010
language Ukrainian
container_title Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Photoluminescence of porous nc-Si—SiOx nanostructures treated by HF vapors
description Досліджено вплив обробки парами НF тонкоплівкових nc-Si—SiOx cтруктур на їх люмінесцентні властивості в спектральній області 0,5—1 мкм. Протравлювання в парах НF призводить до зменшення розмірів nc-Si в досліджуваних структурах, що супроводжується значним зміщенням спектра фотолюмінесценції в короткохвильову область та збільшенням інтенсивності випромінювання. Досліджено залежності енергетичних положень максимуму та інтенсивності ФЛ від часу протравлювання. З’ясовано, що механізм випромінювальної рекомбінації в тонкоплівкових структурах nc-Si—SiOx не змінюється внаслідок обробки парами плавикової кислоти. Показано, що шляхом протравлювання в парах НF можна керувати спектральним складом і інтинсивністю ФЛ поруватих структур nc-Si—SiOx. The effect of HF vapor treatment on photoluminescence in thin-film nc-Si—SiOx structures in a spectral region of 0,5—1 μm is studied. Etching in the HF vapour results in the decrease in nc-Si dimensions in the structures under study, that is accompanied by a considerable shortwavelength shift of photoluminescence spectrum and increase of PL intensity. Dependences of PL peak position and intensity of the PL band on the etching time have been studied. It is established, that the mechanism of radiating recombination in thin-film nc-Si—SiOx structures does not change after etching in the HF vapour. The results show that the treatment in the HF vapour makes it possible to control the PL spectrum and intensity of porous nc-Si—SiOx structures.
issn 0233-7577
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115598
citation_txt Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF / В. А. Данько, І. З. Індутний, К. В. Михайловська, П. Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 83-89. — Бібліогр.: 19 назв. — укр.
work_keys_str_mv AT danʹkova fotolûmínescencíâporuvatihncsisioxnanostrukturobroblenihparamihf
AT índutniiíz fotolûmínescencíâporuvatihncsisioxnanostrukturobroblenihparamihf
AT mihailovsʹkakv fotolûmínescencíâporuvatihncsisioxnanostrukturobroblenihparamihf
AT šepelâviipê fotolûmínescencíâporuvatihncsisioxnanostrukturobroblenihparamihf
AT danʹkova photoluminescenceofporousncsisioxnanostructurestreatedbyhfvapors
AT índutniiíz photoluminescenceofporousncsisioxnanostructurestreatedbyhfvapors
AT mihailovsʹkakv photoluminescenceofporousncsisioxnanostructurestreatedbyhfvapors
AT šepelâviipê photoluminescenceofporousncsisioxnanostructurestreatedbyhfvapors
first_indexed 2025-12-07T17:54:39Z
last_indexed 2025-12-07T17:54:39Z
_version_ 1850873038346649600

Ähnliche Einträge