Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF
Досліджено вплив обробки парами НF тонкоплівкових nc-Si—SiOx cтруктур на їх люмінесцентні властивості в спектральній області 0,5—1 мкм. Протравлювання в парах НF призводить до зменшення розмірів nc-Si в досліджуваних структурах, що супроводжується значним зміщенням спектра фотолюмінесценції в коротк...
Saved in:
| Published in: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Date: | 2010 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115598 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF / В. А. Данько, І. З. Індутний, К. В. Михайловська, П. Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 83-89. — Бібліогр.: 19 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862714818959507456 |
|---|---|
| author | Данько, В.А. Індутний, І.З. Михайловська, К.В. Шепелявий, П.Є. |
| author_facet | Данько, В.А. Індутний, І.З. Михайловська, К.В. Шепелявий, П.Є. |
| citation_txt | Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF / В. А. Данько, І. З. Індутний, К. В. Михайловська, П. Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 83-89. — Бібліогр.: 19 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| description | Досліджено вплив обробки парами НF тонкоплівкових nc-Si—SiOx cтруктур на їх люмінесцентні властивості в спектральній області 0,5—1 мкм. Протравлювання в парах НF призводить до зменшення розмірів nc-Si в досліджуваних структурах, що супроводжується значним зміщенням спектра фотолюмінесценції в короткохвильову область та збільшенням інтенсивності випромінювання. Досліджено залежності енергетичних положень максимуму та інтенсивності ФЛ від часу протравлювання. З’ясовано, що механізм випромінювальної рекомбінації в
тонкоплівкових структурах nc-Si—SiOx не змінюється внаслідок обробки парами плавикової кислоти. Показано, що шляхом протравлювання в парах НF можна керувати спектральним складом і інтинсивністю ФЛ поруватих структур nc-Si—SiOx.
The effect of HF vapor treatment on photoluminescence in thin-film nc-Si—SiOx structures in a spectral region of 0,5—1 μm is studied. Etching in the HF vapour results in the decrease in nc-Si dimensions in the structures under study, that is accompanied by a considerable shortwavelength shift of photoluminescence spectrum and increase of PL intensity. Dependences of PL peak position and intensity of the PL band on the etching time have been studied. It is established, that the mechanism of radiating recombination in thin-film nc-Si—SiOx structures does not change after etching in the HF vapour. The results show that the treatment in the HF vapour makes it possible to control the PL spectrum and intensity of porous nc-Si—SiOx structures.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:54:39Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-115598 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0233-7577 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:54:39Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Данько, В.А. Індутний, І.З. Михайловська, К.В. Шепелявий, П.Є. 2017-04-07T17:33:06Z 2017-04-07T17:33:06Z 2010 Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF / В. А. Данько, І. З. Індутний, К. В. Михайловська, П. Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 83-89. — Бібліогр.: 19 назв. — укр. 0233-7577 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115598 621. 315. 592:535 Досліджено вплив обробки парами НF тонкоплівкових nc-Si—SiOx cтруктур на їх люмінесцентні властивості в спектральній області 0,5—1 мкм. Протравлювання в парах НF призводить до зменшення розмірів nc-Si в досліджуваних структурах, що супроводжується значним зміщенням спектра фотолюмінесценції в короткохвильову область та збільшенням інтенсивності випромінювання. Досліджено залежності енергетичних положень максимуму та інтенсивності ФЛ від часу протравлювання. З’ясовано, що механізм випромінювальної рекомбінації в
 тонкоплівкових структурах nc-Si—SiOx не змінюється внаслідок обробки парами плавикової кислоти. Показано, що шляхом протравлювання в парах НF можна керувати спектральним складом і інтинсивністю ФЛ поруватих структур nc-Si—SiOx. The effect of HF vapor treatment on photoluminescence in thin-film nc-Si—SiOx structures in a spectral region of 0,5—1 μm is studied. Etching in the HF vapour results in the decrease in nc-Si dimensions in the structures under study, that is accompanied by a considerable shortwavelength shift of photoluminescence spectrum and increase of PL intensity. Dependences of PL peak position and intensity of the PL band on the etching time have been studied. It is established, that the mechanism of radiating recombination in thin-film nc-Si—SiOx structures does not change after etching in the HF vapour. The results show that the treatment in the HF vapour makes it possible to control the PL spectrum and intensity of porous nc-Si—SiOx structures. uk Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF Photoluminescence of porous nc-Si—SiOx nanostructures treated by HF vapors Article published earlier |
| spellingShingle | Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF Данько, В.А. Індутний, І.З. Михайловська, К.В. Шепелявий, П.Є. |
| title | Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF |
| title_alt | Photoluminescence of porous nc-Si—SiOx nanostructures treated by HF vapors |
| title_full | Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF |
| title_fullStr | Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF |
| title_full_unstemmed | Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF |
| title_short | Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF |
| title_sort | фотолюмінесценція поруватих nc-si—siox наноструктур, оброблених парами hf |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115598 |
| work_keys_str_mv | AT danʹkova fotolûmínescencíâporuvatihncsisioxnanostrukturobroblenihparamihf AT índutniiíz fotolûmínescencíâporuvatihncsisioxnanostrukturobroblenihparamihf AT mihailovsʹkakv fotolûmínescencíâporuvatihncsisioxnanostrukturobroblenihparamihf AT šepelâviipê fotolûmínescencíâporuvatihncsisioxnanostrukturobroblenihparamihf AT danʹkova photoluminescenceofporousncsisioxnanostructurestreatedbyhfvapors AT índutniiíz photoluminescenceofporousncsisioxnanostructurestreatedbyhfvapors AT mihailovsʹkakv photoluminescenceofporousncsisioxnanostructurestreatedbyhfvapors AT šepelâviipê photoluminescenceofporousncsisioxnanostructurestreatedbyhfvapors |