Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF

• Veröffentlicht in: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Datum: 2010
• Hauptverfasser: Данько, В.А., Індутний, І.З., Михайловська, К.В., Шепелявий, П.Є.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115598
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF / В. А. Данько, І. З. Індутний, К. В. Михайловська, П. Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 83-89. — Бібліогр.: 19 назв. — укр.

Досліджено вплив обробки парами НF тонкоплівкових nc-Si—SiOx cтруктур на їх люмінесцентні властивості в спектральній області 0,5—1 мкм. Протравлювання в парах НF призводить до зменшення розмірів nc-Si в досліджуваних структурах, що супроводжується значним зміщенням спектра фотолюмінесценції в коротк...