Исследование стабильности характеристик рН-чувствительных полевых транзисторов

• Veröffentlicht in: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Datum: 2010
• Hauptverfasser: Павлюченко, А.С., Кукла, А.Л., Голтвянский, Ю.В., Архипова, В.М., Дзядевич, С.В., Солдаткин, А.П.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115599
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Исследование стабильности характеристик рН-чувствительных полевых транзисторов / А.С. Павлюченко, А.Л. Кукла, Ю.В. Голтвянский, В.М. Архипова, С.В. Дзядевич, А.П. Солдаткин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 90-99. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.

Исследован дрейф вольт-амперных характеристик и порогового напряжения p-
 канальных ионоселективных полевых транзисторов с индуцированным каналом при долговременных воздействиях открывающего рабочего напряжения, приложенного к области канала через двухслойный подзатворный диэлектрик SiO₂/Si₃N₄. Приведены данные экспериментов, на основании которых выдвинуто предположение о механизме наблюдаемой нестабильности. Показано, что отжиг в водороде на завершающей стадии процесса изготовления датчиков улучшает стабильность их характеристик. The drift of transfer characteristics and threshold voltage of the p-channel ionselective
 field-effect transistors with induced channel, caused by long-term continuos influence of negative voltage applied to the channel area through the two-layer SiO₂/Si₃N₄ gate dielectric has beck investigated. Based on the experimental data a mechanism of the observed instability is proposed. It is shown that annealing in hydrogen at the final stage of sensors manufacturing improves the stability of their characteristics.