Исследование стабильности характеристик рН-чувствительных полевых транзисторов
Исследован дрейф вольт-амперных характеристик и порогового напряжения p-
 канальных ионоселективных полевых транзисторов с индуцированным каналом при долговременных воздействиях открывающего рабочего напряжения, приложенного к области канала через двухслойный подзатворный диэлектрик SiO₂/Si₃...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Datum: | 2010 |
| Hauptverfasser: | , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115599 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Исследование стабильности характеристик рН-чувствительных полевых транзисторов / А.С. Павлюченко, А.Л. Кукла, Ю.В. Голтвянский, В.М. Архипова, С.В. Дзядевич, А.П. Солдаткин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 90-99. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862618509533511680 |
|---|---|
| author | Павлюченко, А.С. Кукла, А.Л. Голтвянский, Ю.В. Архипова, В.М. Дзядевич, С.В. Солдаткин, А.П. |
| author_facet | Павлюченко, А.С. Кукла, А.Л. Голтвянский, Ю.В. Архипова, В.М. Дзядевич, С.В. Солдаткин, А.П. |
| citation_txt | Исследование стабильности характеристик рН-чувствительных полевых транзисторов / А.С. Павлюченко, А.Л. Кукла, Ю.В. Голтвянский, В.М. Архипова, С.В. Дзядевич, А.П. Солдаткин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 90-99. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| description | Исследован дрейф вольт-амперных характеристик и порогового напряжения p-
канальных ионоселективных полевых транзисторов с индуцированным каналом при долговременных воздействиях открывающего рабочего напряжения, приложенного к области канала через двухслойный подзатворный диэлектрик SiO₂/Si₃N₄. Приведены данные экспериментов, на основании которых выдвинуто предположение о механизме наблюдаемой нестабильности. Показано, что отжиг в водороде на завершающей стадии процесса изготовления датчиков улучшает стабильность их характеристик.
The drift of transfer characteristics and threshold voltage of the p-channel ionselective
field-effect transistors with induced channel, caused by long-term continuos influence of negative voltage applied to the channel area through the two-layer SiO₂/Si₃N₄ gate dielectric has beck investigated. Based on the experimental data a mechanism of the observed instability is proposed. It is shown that annealing in hydrogen at the final stage of sensors manufacturing improves the stability of their characteristics.
|
| first_indexed | 2025-12-07T13:15:01Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-115599 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0233-7577 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T13:15:01Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Павлюченко, А.С. Кукла, А.Л. Голтвянский, Ю.В. Архипова, В.М. Дзядевич, С.В. Солдаткин, А.П. 2017-04-07T17:50:31Z 2017-04-07T17:50:31Z 2010 Исследование стабильности характеристик рН-чувствительных полевых транзисторов / А.С. Павлюченко, А.Л. Кукла, Ю.В. Голтвянский, В.М. Архипова, С.В. Дзядевич, А.П. Солдаткин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 90-99. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. 0233-7577 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115599 621.315.592 Исследован дрейф вольт-амперных характеристик и порогового напряжения p-
 канальных ионоселективных полевых транзисторов с индуцированным каналом при долговременных воздействиях открывающего рабочего напряжения, приложенного к области канала через двухслойный подзатворный диэлектрик SiO₂/Si₃N₄. Приведены данные экспериментов, на основании которых выдвинуто предположение о механизме наблюдаемой нестабильности. Показано, что отжиг в водороде на завершающей стадии процесса изготовления датчиков улучшает стабильность их характеристик. The drift of transfer characteristics and threshold voltage of the p-channel ionselective
 field-effect transistors with induced channel, caused by long-term continuos influence of negative voltage applied to the channel area through the two-layer SiO₂/Si₃N₄ gate dielectric has beck investigated. Based on the experimental data a mechanism of the observed instability is proposed. It is shown that annealing in hydrogen at the final stage of sensors manufacturing improves the stability of their characteristics. Работа выполнена при финансовой поддержке НАН Украины в рамках комплексной научно-технической программы «Сенсорні системи для медико-екологічних та промислово-технічних потреб», а также проекта УНТЦ № 4591. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Исследование стабильности характеристик рН-чувствительных полевых транзисторов Investigation of stability of characteristics of the рН-sensitive field effect transistors Article published earlier |
| spellingShingle | Исследование стабильности характеристик рН-чувствительных полевых транзисторов Павлюченко, А.С. Кукла, А.Л. Голтвянский, Ю.В. Архипова, В.М. Дзядевич, С.В. Солдаткин, А.П. |
| title | Исследование стабильности характеристик рН-чувствительных полевых транзисторов |
| title_alt | Investigation of stability of characteristics of the рН-sensitive field effect transistors |
| title_full | Исследование стабильности характеристик рН-чувствительных полевых транзисторов |
| title_fullStr | Исследование стабильности характеристик рН-чувствительных полевых транзисторов |
| title_full_unstemmed | Исследование стабильности характеристик рН-чувствительных полевых транзисторов |
| title_short | Исследование стабильности характеристик рН-чувствительных полевых транзисторов |
| title_sort | исследование стабильности характеристик рн-чувствительных полевых транзисторов |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115599 |
| work_keys_str_mv | AT pavlûčenkoas issledovaniestabilʹnostiharakteristikrnčuvstvitelʹnyhpolevyhtranzistorov AT kuklaal issledovaniestabilʹnostiharakteristikrnčuvstvitelʹnyhpolevyhtranzistorov AT goltvânskiiûv issledovaniestabilʹnostiharakteristikrnčuvstvitelʹnyhpolevyhtranzistorov AT arhipovavm issledovaniestabilʹnostiharakteristikrnčuvstvitelʹnyhpolevyhtranzistorov AT dzâdevičsv issledovaniestabilʹnostiharakteristikrnčuvstvitelʹnyhpolevyhtranzistorov AT soldatkinap issledovaniestabilʹnostiharakteristikrnčuvstvitelʹnyhpolevyhtranzistorov AT pavlûčenkoas investigationofstabilityofcharacteristicsofthernsensitivefieldeffecttransistors AT kuklaal investigationofstabilityofcharacteristicsofthernsensitivefieldeffecttransistors AT goltvânskiiûv investigationofstabilityofcharacteristicsofthernsensitivefieldeffecttransistors AT arhipovavm investigationofstabilityofcharacteristicsofthernsensitivefieldeffecttransistors AT dzâdevičsv investigationofstabilityofcharacteristicsofthernsensitivefieldeffecttransistors AT soldatkinap investigationofstabilityofcharacteristicsofthernsensitivefieldeffecttransistors |