Исследование стабильности характеристик рН-чувствительных полевых транзисторов - Павлюченко, А.С.; Кукла, А.Л.; Голтвянский, Ю.В.; Архипова, В.М.; Дзядевич, С.В.; Солдаткин, А.П. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010)
Исследован дрейф вольт-амперных характеристик и порогового напряжения p-
канальных ионоселективных полевых транзисторов с индуцированным каналом при долговременных воздействиях открывающего рабочего напряжения, приложенного к области канала через двухслойный подзатворный диэлектрик SiO₂/Si₃N₄. Приведены данные экспериментов, на основании которых выдвинуто предположение о механизме наблюдаемой нестабильности. Показано, что отжиг в водороде на завершающей стадии процесса изготовления датчиков улучшает стабильность их характеристик. The drift of transfer characteristics and threshold voltage of the p-channel ionselective
field-effect transistors with induced channel, caused by long-term continuos influence of negative voltage applied to the channel area through the two-layer SiO₂/Si₃N₄ gate dielectric has beck investigated. Based on the experimental data a mechanism of the observed instability is proposed. It is shown that annealing in hydrogen at the final stage of sensors manufacturing improves the stability of their characteristics.