Исследование стабильности характеристик рН-чувствительных полевых транзисторов

• Опубліковано в: : Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Дата: 2010
• Автори: Павлюченко, А.С., Кукла, А.Л., Голтвянский, Ю.В., Архипова, В.М., Дзядевич, С.В., Солдаткин, А.П.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115599
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Исследование стабильности характеристик рН-чувствительных полевых транзисторов / А.С. Павлюченко, А.Л. Кукла, Ю.В. Голтвянский, В.М. Архипова, С.В. Дзядевич, А.П. Солдаткин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 90-99. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.

Исследован дрейф вольт-амперных характеристик и порогового напряжения p- канальных ионоселективных полевых транзисторов с индуцированным каналом при долговременных воздействиях открывающего рабочего напряжения, приложенного к области канала через двухслойный подзатворный диэлектрик SiO₂/Si₃N₄. Прив...