Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки
В образцах контакта Шоттки NbN—GaAs обнаружена и исследована фотоЭДС, которая генерируется вдоль границы раздела металл—полупроводник. Характер распределения ЭДС вдоль образца гетеросистемы указывает на преимущественно барьерный механизм ее генерации. Сложная знакопеременная форма спектральных хара...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Datum: | 2010 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115600 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки / Е. Ф. Венгер, И. Готовы, Л. В. Шеховцов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 100-108. — Бібліогр.: 22 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-115600 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Венгер, Е.Ф. Готовы, И. Шеховцов, Л.В. 2017-04-07T17:54:02Z 2017-04-07T17:54:02Z 2010 Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки / Е. Ф. Венгер, И. Готовы, Л. В. Шеховцов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 100-108. — Бібліогр.: 22 назв. — рос. 0233-7577 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115600 535.215.6 В образцах контакта Шоттки NbN—GaAs обнаружена и исследована фотоЭДС, которая генерируется вдоль границы раздела металл—полупроводник. Характер распределения ЭДС вдоль образца гетеросистемы указывает на преимущественно барьерный механизм ее генерации. Сложная знакопеременная форма спектральных характеристик фотоЭДС связана с вкладом в измеряемый сигнал нескольких составляющих ЭДС, которые генерируются на потенциальных барьерах гетеросистемы металл—полупроводник. Наблюдается изменение формы спектральных характеристик и знака фотоЭДС при освещении образца со стороны металла. Это обусловлено изменением соотношения между составляющими ЭДС, которые генерируются в слоях гетеросистемы с разным уровнем проводимости. Показано, что на вид спектральных зависимостей существенно влияет переходной полупроводниковый слой, который формируется у границы раздела контакта Шоттки. A photo-emf in the NbN—GaAs Schottky contact samples has been found and studied. This photo-emf is generated along the metalsemiconductor interface. The character of its distribution along the length of heterosystem sample indicates predominantly barrier mechanism of its generation. A complicated alternating form of spectral characteristics of the photo-emf is related to contributions to the measured signal from several components that are generated at potential barriers of the metal—semiconductor heterosystem. Illumination of samples on the metal side results in change of the form of spectral characteristics and reversal of a sign of photo-emf. This is caused by variation of interrelation between the photo-emf components that are generated in the heterosystem layers with different conductivities. It is shown that a semiconductor junction layer formed near the Schottky contact interface has a pronounced effect on the form of spectral characteristics. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки Lateral photo-EMF in Schottky contact Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки |
| spellingShingle |
Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки Венгер, Е.Ф. Готовы, И. Шеховцов, Л.В. |
| title_short |
Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки |
| title_full |
Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки |
| title_fullStr |
Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки |
| title_full_unstemmed |
Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки |
| title_sort |
латеральная фотоэдс в контакте шоттки |
| author |
Венгер, Е.Ф. Готовы, И. Шеховцов, Л.В. |
| author_facet |
Венгер, Е.Ф. Готовы, И. Шеховцов, Л.В. |
| publishDate |
2010 |
| language |
Russian |
| container_title |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Lateral photo-EMF in Schottky contact |
| description |
В образцах контакта Шоттки NbN—GaAs обнаружена и исследована фотоЭДС,
которая генерируется вдоль границы раздела металл—полупроводник. Характер распределения ЭДС вдоль образца гетеросистемы указывает на преимущественно барьерный механизм ее генерации. Сложная знакопеременная форма спектральных характеристик фотоЭДС связана с вкладом в измеряемый сигнал нескольких составляющих ЭДС, которые генерируются на потенциальных барьерах гетеросистемы металл—полупроводник. Наблюдается изменение формы спектральных характеристик и знака фотоЭДС при освещении образца со стороны металла. Это обусловлено изменением соотношения между составляющими ЭДС, которые генерируются в слоях гетеросистемы с разным уровнем проводимости. Показано, что на вид спектральных зависимостей существенно влияет переходной полупроводниковый слой, который формируется у границы раздела контакта Шоттки.
A photo-emf in the NbN—GaAs Schottky contact samples has been found and studied.
This photo-emf is generated along the metalsemiconductor interface. The character of its distribution along the length of heterosystem sample indicates predominantly barrier mechanism of its generation. A complicated alternating form of spectral characteristics of the photo-emf is related to contributions to the measured signal from several components that are generated at potential barriers of the metal—semiconductor
heterosystem. Illumination of samples on the metal side results in change of the form of spectral characteristics and reversal of a sign of photo-emf. This is caused by variation of interrelation between the photo-emf components that are generated in the heterosystem layers with different conductivities. It is shown that a semiconductor junction layer formed near the Schottky contact interface has a pronounced effect on the form of spectral characteristics.
|
| issn |
0233-7577 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115600 |
| citation_txt |
Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки / Е. Ф. Венгер, И. Готовы, Л. В. Шеховцов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 100-108. — Бібліогр.: 22 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT vengeref lateralʹnaâfotoédsvkontaktešottki AT gotovyi lateralʹnaâfotoédsvkontaktešottki AT šehovcovlv lateralʹnaâfotoédsvkontaktešottki AT vengeref lateralphotoemfinschottkycontact AT gotovyi lateralphotoemfinschottkycontact AT šehovcovlv lateralphotoemfinschottkycontact |
| first_indexed |
2025-12-07T15:28:00Z |
| last_indexed |
2025-12-07T15:28:00Z |
| _version_ |
1850863812160258048 |