Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки

• Veröffentlicht in: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Datum: 2010
• Hauptverfasser: Венгер, Е.Ф., Готовы, И., Шеховцов, Л.В.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115600
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки / Е. Ф. Венгер, И. Готовы, Л. В. Шеховцов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 100-108. — Бібліогр.: 22 назв. — рос.

В образцах контакта Шоттки NbN—GaAs обнаружена и исследована фотоЭДС, которая генерируется вдоль границы раздела металл—полупроводник. Характер распределения ЭДС вдоль образца гетеросистемы указывает на преимущественно барьерный механизм ее генерации. Сложная знакопеременная форма спектральных хара...