Анализ фотолюминесценции кристаллов p-Cd1–xZnxTe, облученных гамма-квантами

Анализ фотолюминесценции кристаллов p-Cd1–xZnxTe, облученных гамма-квантами

Изучено влияние облучения потоками γ-квантов (доза 10—500 кГр) на низкотемпературную (Т = 5 К) фотолюминесценцию кристаллов Cd1–xZnxTe (x = 0,04). Наблюдались стимулированные γ-облучением: а) существенное уменьшение интенсивностей исходных (ростовых) полос люминесценции, обусловленных донорно-акцепт...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Datum:2010
Hauptverfasser: Литовченко, Н.М., Насека, Ю.Н., Прохорович, А.В., Рашковецкий, Л.В., Стрильчук, О.Н., Сизов, Ф.Ф., Войциховская, О.О., Данильченко, Б.А.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115605
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Анализ фотолюминесценции кристаллов р-Сd1–xZnxTe, облученных гамма-квантами / Н. М. Литовченко, Ю. Н. Насека, А. В. Прохорович, Л. В. Рашковецкий, О. Н. Стрильчук, Ф. Ф. Сизов, О. О. Войциховская, Б. А. Данильченко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 54-60. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-115605
record_format dspace
spelling Литовченко, Н.М.
Насека, Ю.Н.
Прохорович, А.В.
Рашковецкий, Л.В.
Стрильчук, О.Н.
Сизов, Ф.Ф.
Войциховская, О.О.
Данильченко, Б.А.
2017-04-07T18:27:11Z
2017-04-07T18:27:11Z
2010
Анализ фотолюминесценции кристаллов р-Сd1–xZnxTe, облученных гамма-квантами / Н. М. Литовченко, Ю. Н. Насека, А. В. Прохорович, Л. В. Рашковецкий, О. Н. Стрильчук, Ф. Ф. Сизов, О. О. Войциховская, Б. А. Данильченко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 54-60. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.
0233-7577
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115605
539.12.17; 621.315.592
Изучено влияние облучения потоками γ-квантов (доза 10—500 кГр) на низкотемпературную (Т = 5 К) фотолюминесценцию кристаллов Cd1–xZnxTe (x = 0,04). Наблюдались стимулированные γ-облучением: а) существенное уменьшение интенсивностей исходных (ростовых) полос люминесценции, обусловленных донорно-акцепторными парами (hνm = 1,552 эВ), мелкими акцепторами (hνm = 1,578 эВ), а также связанными на мелких нейтральних акцепторах (hνm = 1,585 эВ и hνm = 1,591 эВ) и донорах (hνm = 1,592 эВ и hνm = 1,595 эВ) экситонами вследствиe уменьшения концентрации соответствующих центров люминесценции, из-за их взаимодействия с радиационными дефектами; б) появление новых полос люминесценции, обусловленных, вероятнее всего, радиационно-стимулированными вакансиями кадмия (VCd), связанными с иными дефектами (донорно-акцепторными парами, hνm = 1,550 эВ) и изолированными вакансиями кадмия (hνm = 1,568 эВ). Интенсивность радиационно-стимулированных полос немонотонно изменяется с возрастанием дозы γ-облучения: сначала увеличивается при низких Фγ (из-за повышения концентрации вакансий кадмия), а затем значительно уменьшается при высоких Фγ (из-за генерации значительного количества эффективных центров безизлучательной рекомбинации избыточных носителей тока).
The effect of irradiation by different doses of γ-quanta (10—500 kGy) at 300 K on the low-temperature (T = 5 K) photoluminescence of Cd1-xZnxTe crystals (x = = 0,04) has been studied. The following phenomena, stimulated by γ-irradiation, were observed: a) a substantial decrease of inten-sities of initial (as-grown) emission bands with the emission peak positions hνm = 1,552 еV (caused by donor-acceptor pairs), hνm = 1,578 еV (caused by shallow acceptors), hνm = 1,585, 1,591 and hνm = 1,592, 1,595 еV (caused by excitons bound by shallow neutral acceptors and donors, accordingly), which originates from lowering of the concentration of the corresponding luminescence centers due to their interaction with radiation defects; b) an appearance of new luminescence bands caused probably by radiation-induced cadmium vacancies bound with defects (by donor-acceptor pairs, hνm = 1,550 еV) and isolated cadmium vacancies (hνm = 1,568 еV). Intensities of radiation-stimulated emission bands non-monotonically change with the growth of γ-radiation dose: at first it increases at low Фγ (it is caused by an increase in the concentration of radiation-induced cadmium vacancies) and then is noticeably lowered at high Фγ (it is connected with generation of the considerable number of effective radiationless centers of excess charge carriers).
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Анализ фотолюминесценции кристаллов p-Cd1–xZnxTe, облученных гамма-квантами
Аnalysis of photoluminescence of p-Cd1–xZnxTe crystals irradiated by gamma-quanta
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Анализ фотолюминесценции кристаллов p-Cd1–xZnxTe, облученных гамма-квантами
spellingShingle Анализ фотолюминесценции кристаллов p-Cd1–xZnxTe, облученных гамма-квантами
Литовченко, Н.М.
Насека, Ю.Н.
Прохорович, А.В.
Рашковецкий, Л.В.
Стрильчук, О.Н.
Сизов, Ф.Ф.
Войциховская, О.О.
Данильченко, Б.А.
title_short Анализ фотолюминесценции кристаллов p-Cd1–xZnxTe, облученных гамма-квантами
title_full Анализ фотолюминесценции кристаллов p-Cd1–xZnxTe, облученных гамма-квантами
title_fullStr Анализ фотолюминесценции кристаллов p-Cd1–xZnxTe, облученных гамма-квантами
title_full_unstemmed Анализ фотолюминесценции кристаллов p-Cd1–xZnxTe, облученных гамма-квантами
title_sort анализ фотолюминесценции кристаллов p-cd1–xznxte, облученных гамма-квантами
author Литовченко, Н.М.
Насека, Ю.Н.
Прохорович, А.В.
Рашковецкий, Л.В.
Стрильчук, О.Н.
Сизов, Ф.Ф.
Войциховская, О.О.
Данильченко, Б.А.
author_facet Литовченко, Н.М.
Насека, Ю.Н.
Прохорович, А.В.
Рашковецкий, Л.В.
Стрильчук, О.Н.
Сизов, Ф.Ф.
Войциховская, О.О.
Данильченко, Б.А.
publishDate 2010
language Russian
container_title Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Аnalysis of photoluminescence of p-Cd1–xZnxTe crystals irradiated by gamma-quanta
description Изучено влияние облучения потоками γ-квантов (доза 10—500 кГр) на низкотемпературную (Т = 5 К) фотолюминесценцию кристаллов Cd1–xZnxTe (x = 0,04). Наблюдались стимулированные γ-облучением: а) существенное уменьшение интенсивностей исходных (ростовых) полос люминесценции, обусловленных донорно-акцепторными парами (hνm = 1,552 эВ), мелкими акцепторами (hνm = 1,578 эВ), а также связанными на мелких нейтральних акцепторах (hνm = 1,585 эВ и hνm = 1,591 эВ) и донорах (hνm = 1,592 эВ и hνm = 1,595 эВ) экситонами вследствиe уменьшения концентрации соответствующих центров люминесценции, из-за их взаимодействия с радиационными дефектами; б) появление новых полос люминесценции, обусловленных, вероятнее всего, радиационно-стимулированными вакансиями кадмия (VCd), связанными с иными дефектами (донорно-акцепторными парами, hνm = 1,550 эВ) и изолированными вакансиями кадмия (hνm = 1,568 эВ). Интенсивность радиационно-стимулированных полос немонотонно изменяется с возрастанием дозы γ-облучения: сначала увеличивается при низких Фγ (из-за повышения концентрации вакансий кадмия), а затем значительно уменьшается при высоких Фγ (из-за генерации значительного количества эффективных центров безизлучательной рекомбинации избыточных носителей тока). The effect of irradiation by different doses of γ-quanta (10—500 kGy) at 300 K on the low-temperature (T = 5 K) photoluminescence of Cd1-xZnxTe crystals (x = = 0,04) has been studied. The following phenomena, stimulated by γ-irradiation, were observed: a) a substantial decrease of inten-sities of initial (as-grown) emission bands with the emission peak positions hνm = 1,552 еV (caused by donor-acceptor pairs), hνm = 1,578 еV (caused by shallow acceptors), hνm = 1,585, 1,591 and hνm = 1,592, 1,595 еV (caused by excitons bound by shallow neutral acceptors and donors, accordingly), which originates from lowering of the concentration of the corresponding luminescence centers due to their interaction with radiation defects; b) an appearance of new luminescence bands caused probably by radiation-induced cadmium vacancies bound with defects (by donor-acceptor pairs, hνm = 1,550 еV) and isolated cadmium vacancies (hνm = 1,568 еV). Intensities of radiation-stimulated emission bands non-monotonically change with the growth of γ-radiation dose: at first it increases at low Фγ (it is caused by an increase in the concentration of radiation-induced cadmium vacancies) and then is noticeably lowered at high Фγ (it is connected with generation of the considerable number of effective radiationless centers of excess charge carriers).
issn 0233-7577
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115605
citation_txt Анализ фотолюминесценции кристаллов р-Сd1–xZnxTe, облученных гамма-квантами / Н. М. Литовченко, Ю. Н. Насека, А. В. Прохорович, Л. В. Рашковецкий, О. Н. Стрильчук, Ф. Ф. Сизов, О. О. Войциховская, Б. А. Данильченко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 54-60. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT litovčenkonm analizfotolûminescenciikristallovpcd1xznxteoblučennyhgammakvantami
AT nasekaûn analizfotolûminescenciikristallovpcd1xznxteoblučennyhgammakvantami
AT prohorovičav analizfotolûminescenciikristallovpcd1xznxteoblučennyhgammakvantami
AT raškoveckiilv analizfotolûminescenciikristallovpcd1xznxteoblučennyhgammakvantami
AT strilʹčukon analizfotolûminescenciikristallovpcd1xznxteoblučennyhgammakvantami
AT sizovff analizfotolûminescenciikristallovpcd1xznxteoblučennyhgammakvantami
AT voicihovskaâoo analizfotolûminescenciikristallovpcd1xznxteoblučennyhgammakvantami
AT danilʹčenkoba analizfotolûminescenciikristallovpcd1xznxteoblučennyhgammakvantami
AT litovčenkonm analysisofphotoluminescenceofpcd1xznxtecrystalsirradiatedbygammaquanta
AT nasekaûn analysisofphotoluminescenceofpcd1xznxtecrystalsirradiatedbygammaquanta
AT prohorovičav analysisofphotoluminescenceofpcd1xznxtecrystalsirradiatedbygammaquanta
AT raškoveckiilv analysisofphotoluminescenceofpcd1xznxtecrystalsirradiatedbygammaquanta
AT strilʹčukon analysisofphotoluminescenceofpcd1xznxtecrystalsirradiatedbygammaquanta
AT sizovff analysisofphotoluminescenceofpcd1xznxtecrystalsirradiatedbygammaquanta
AT voicihovskaâoo analysisofphotoluminescenceofpcd1xznxtecrystalsirradiatedbygammaquanta
AT danilʹčenkoba analysisofphotoluminescenceofpcd1xznxtecrystalsirradiatedbygammaquanta
first_indexed 2025-12-07T19:56:53Z
last_indexed 2025-12-07T19:56:53Z
_version_ 1850880728352423936

Ähnliche Einträge