Зображення обкладинки

Анализ фотолюминесценции кристаллов p-Cd1–xZnxTe, облученных гамма-квантами

Изучено влияние облучения потоками γ-квантов (доза 10—500 кГр) на низкотемпературную (Т = 5 К) фотолюминесценцию кристаллов Cd1–xZnxTe (x = 0,04). Наблюдались стимулированные γ-облучением: а) существенное уменьшение интенсивностей исходных (ростовых) полос люминесценции, обусловленных донорно-акцепт...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в:	Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Дата:	2010
ISSN:	0233-7577
Автори:	Литовченко, Н.М., Насека, Ю.Н., Прохорович, А.В., Рашковецкий, Л.В., Стрильчук, О.Н., Сизов, Ф.Ф., Войциховская, О.О., Данильченко, Б.А.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115605
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Анализ фотолюминесценции кристаллов р-Сd1–xZnxTe, облученных гамма-квантами / Н. М. Литовченко, Ю. Н. Насека, А. В. Прохорович, Л. В. Рашковецкий, О. Н. Стрильчук, Ф. Ф. Сизов, О. О. Войциховская, Б. А. Данильченко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 54-60. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
за авторством: Загоруйко, Ю.А., та інші
Опубліковано: (2010)

Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
за авторством: Томашик, З.Ф., та інші
Опубліковано: (2013)

Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
за авторством: Zagoruiko, Yu. A., та інші
Опубліковано: (2010)

Analysis of luminescence method for determination of Cd₁₋xZnxTe composition
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2005)

Особенности изготовления Cd1–xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
за авторством: Tomashik, Z. F., та інші
Опубліковано: (2013)

Features of manufacturing Cd1–xZnxTe ionizing radiation detector
за авторством: Z. F. Tomashik, та інші
Опубліковано: (2013)

Analysis of luminescence method applicability for determination of Cd₁₋xZnxTe composition
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003)

Сорбция водорода и радиальное тепловое расширение жгутов одностенных углеродных нанотрубок, облученных γ-квантами в среде водорода
за авторством: Долбин, А.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Analysis of photoluminescence of p-Cd1–xZnxTe crystals irradiated by y-quanta
за авторством: N. M. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2010)

Growing the high-resistive Cd₁₋xZnxTe single crystals from a vapor phase
за авторством: Feychuk, P., та інші
Опубліковано: (2005)

State of Cd₁₋xZnxTe and Cd₁₋xMnxTe surface depending on treatment type
за авторством: Dremlyuzhenko, S.G., та інші
Опубліковано: (2004)

Structural and microstructural properties of Cd₁-xZnxTe films deposited by close spaced vacuum sublimation
за авторством: Znamenshchykov, Y.V., та інші
Опубліковано: (2016)

Сцинтилляционный отклик кристаллов CsI(Tl) и CsI(Na) на возбуждение рентгеновскими и гамма-квантами низких энергий
за авторством: Кудин, А.М., та інші
Опубліковано: (2001)

Влияние облучения электронами и гамма-квантами на структуру и фазовый состав природного пирофиллита
за авторством: Березняк, Е.П., та інші
Опубліковано: (2014)

On determination of Cd1–xZnxTe composition from an analysis of the 4.2, 77 and 295 K edge photoluminescence spectra
за авторством: K. D. Glinchuk, та інші
Опубліковано: (2017)

Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами
за авторством: Храмов, Е.Ф., та інші
Опубліковано: (2003)

Кинетика фотолюминесценции пористых nc-Si–SiOx-структур
за авторством: Михайловская, Е.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Поверхностно-радиационные моды и продольные экситоны в спектрах низкотемпературной фотолюминесценции
за авторством: Ахмадалиев, Б.Ж., та інші
Опубліковано: (2010)

Влияние облучения γ-квантами на сорбцию водорода нанопористыми углеродными материалами
за авторством: Долбин, А.В., та інші
Опубліковано: (2015)

Влияние микроволнового облучения на рост и эффективность фотолюминесценции зеленой водоросли Chlamydomonas actinochloris
за авторством: Григорьева, О.О., та інші
Опубліковано: (2010)

Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰Со
за авторством: Ильин, И.Ю., та інші
Опубліковано: (2001)

Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении γ-квантами
за авторством: Khramov, E. F., та інші
Опубліковано: (2003)

Thermographical monitoring of structure transformations in Cd₁-ₓZnₓTe milts
за авторством: Feychuk, P.I., та інші
Опубліковано: (2005)

Laser ablation and photostimulated passivation of Cd₁₋ₓZnₓTe crystals
за авторством: Zagoruiko, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2012)

Влияние водорода на процессы рассеяния носителей заряда в облученном γ-квантами ⁶⁰Со нелегированном GaAs n-типа
за авторством: Коршунов, Ф.П., та інші
Опубліковано: (2001)

Вызванное распуханием охрупчивание облученных нейтронами аустенитных сталей
за авторством: Неустроев, В.С., та інші
Опубліковано: (2007)

Зависимость концентрации электронных центров окраски от состояния дислокационной структуры облученных кристаллов LiF
за авторством: Петченко, Г.А., та інші
Опубліковано: (2015)

Влияние СВЧ-облучения на спектры фотолюминесценции монокристаллов CdTe: Cl при Т = 2k
за авторством: Будзуляк, С.И., та інші
Опубліковано: (2016)

Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
за авторством: Andronova, E. V., та інші
Опубліковано: (2011)

Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Спектры поглощения тонких пленок твердых растворов Rb₂(Cd₁₋xZnx)I₄
за авторством: Милославский, В.К., та інші
Опубліковано: (2010)

Plasma treatment of Cd₁₋ₓZnₓTe (x ~ 0.04) single crystals
за авторством: Smirnov, A.B.
Опубліковано: (2011)

Особенности самоорганизации дислокационно-вакансионного ансамбля в облученных деформируемых материалах
за авторством: Красильников, В.В., та інші
Опубліковано: (2005)

Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
за авторством: Сидор, О.Н., та інші
Опубліковано: (2012)

Особенности устойчивости низкотемпературного ферримагнетизма в системе Mn2–xZnxSb
за авторством: Вальков, В.И., та інші
Опубліковано: (2007)

Взаимосвязь истинных напряжений и деформаций при пластическом течении облученных металлических поликристаллов
за авторством: Максимкин, О.П., та інші
Опубліковано: (2007)

Поиск гамма-всплесков высокой энергии
за авторством: Петков, В.Б., та інші
Опубліковано: (2003)

Люминесценция твердых растворов Co₁₋xZnxO при межзонном возбуждении
за авторством: Груздев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2015)

Проявление переходов с переносом заряда в спектрах фотолюминесценции оксидных материалов Zn₁–xMexO (Me — Mn, Ni, Co)
за авторством: Соколов, В.И., та інші
Опубліковано: (2013)

Гамма випромінювання залишків наднових зір
за авторством: Петрук, О.
Опубліковано: (2011)