Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p—n-переходів

• Published in: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Date: 2010
• Main Authors: Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Мазарчук, І.О., Кролевець, М.М., Лук’яненко, В.І., Луцишин, І.Г.
• Format: Article
• Language: Ukrainian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115606
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p—n-переходів / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, І.О. Мазарчук, М.М. Кролевець, В.І. Лук’яненко, І.Г. Луцишин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 109-116. — Бібліогр.: 15 назв. — укр.

Досліджено вплив поверхневої провідності на електричні властивості плавних мезаструктурних InAs p—n-переходів, виготовлених дифузійним методом. З’ясовано, що внаслідок використання протравлювача 2 % Br₂ + HBr для виготовлення мезаструктур в p—n-переходах виникає поверхнева шунтуюча провідність. Повторна хімічна обробка мезаструктур у протравлювачу на основі азотної кислоти суттєво зменшує темнові струми та вплив шунтуючої провідності на ВАХ переходів. Показано, що темновий струм в p—n-переходах після повторної хімічної обробки мезаструктур в інтервалі температур 160—298 К зумовлений процесами генерації та рекомбінаціїї носіїв в ОПЗ, а за температур менших ніж 160 К — тунелюванням за участю дислокацій. The effect of surface conductivity on electrical properties of linearly-graded mesastructure InAs p—n junctions prepared by diffusion method is investigated. It is established that mesatructures prepared by chemical etching in 2 % Br₂+HBr etchant result in shunt surface conductivity. After the repeafed chemical treatment in the etchant based on nitric acid the dark current is decreased substantially. It is shown, that the dark current in these mesastructures is determined by generation and recombination processes in the depletion region at temperatures of 160—298 К, while at temperatures
 lower than 160 K it is determined by tunneling caused by dislocations.