Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p—n-переходів
Досліджено вплив поверхневої провідності на електричні властивості плавних мезаструктурних InAs p—n-переходів, виготовлених дифузійним методом. З’ясовано, що внаслідок використання протравлювача 2 % Br₂ + HBr для виготовлення мезаструктур в p—n-переходах виникає поверхнева шунтуюча провідність. Повт...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Datum: | 2010 |
| Hauptverfasser: | , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115606 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p—n-переходів / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, І.О. Мазарчук, М.М. Кролевець, В.І. Лук’яненко, І.Г. Луцишин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 109-116. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-115606 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Мазарчук, І.О. Кролевець, М.М. Лук’яненко, В.І. Луцишин, І.Г. 2017-04-07T19:13:33Z 2017-04-07T19:13:33Z 2010 Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p—n-переходів / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, І.О. Мазарчук, М.М. Кролевець, В.І. Лук’яненко, І.Г. Луцишин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 109-116. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. 0233-7577 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115606 621.315.592 Досліджено вплив поверхневої провідності на електричні властивості плавних мезаструктурних InAs p—n-переходів, виготовлених дифузійним методом. З’ясовано, що внаслідок використання протравлювача 2 % Br₂ + HBr для виготовлення мезаструктур в p—n-переходах виникає поверхнева шунтуюча провідність. Повторна хімічна обробка мезаструктур у протравлювачу на основі азотної кислоти суттєво зменшує темнові струми та вплив шунтуючої провідності на ВАХ переходів. Показано, що темновий струм в p—n-переходах після повторної хімічної обробки мезаструктур в інтервалі температур 160—298 К зумовлений процесами генерації та рекомбінаціїї носіїв в ОПЗ, а за температур менших ніж 160 К — тунелюванням за участю дислокацій. The effect of surface conductivity on electrical properties of linearly-graded mesastructure InAs p—n junctions prepared by diffusion method is investigated. It is established that mesatructures prepared by chemical etching in 2 % Br₂+HBr etchant result in shunt surface conductivity. After the repeafed chemical treatment in the etchant based on nitric acid the dark current is decreased substantially. It is shown, that the dark current in these mesastructures is determined by generation and recombination processes in the depletion region at temperatures of 160—298 К, while at temperatures lower than 160 K it is determined by tunneling caused by dislocations. uk Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p—n-переходів Effect of surface conductivity on electrical properties of mesa-structure InAs p—n-junctions Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p—n-переходів |
| spellingShingle |
Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p—n-переходів Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Мазарчук, І.О. Кролевець, М.М. Лук’яненко, В.І. Луцишин, І.Г. |
| title_short |
Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p—n-переходів |
| title_full |
Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p—n-переходів |
| title_fullStr |
Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p—n-переходів |
| title_full_unstemmed |
Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p—n-переходів |
| title_sort |
вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних inas p—n-переходів |
| author |
Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Мазарчук, І.О. Кролевець, М.М. Лук’яненко, В.І. Луцишин, І.Г. |
| author_facet |
Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Мазарчук, І.О. Кролевець, М.М. Лук’яненко, В.І. Луцишин, І.Г. |
| publishDate |
2010 |
| language |
Ukrainian |
| container_title |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Effect of surface conductivity on electrical properties of mesa-structure InAs p—n-junctions |
| description |
Досліджено вплив поверхневої провідності на електричні властивості плавних мезаструктурних InAs p—n-переходів, виготовлених дифузійним методом. З’ясовано, що внаслідок використання протравлювача 2 % Br₂ + HBr для виготовлення мезаструктур в p—n-переходах виникає поверхнева шунтуюча провідність. Повторна хімічна обробка мезаструктур у протравлювачу на основі азотної кислоти суттєво зменшує темнові струми та вплив шунтуючої провідності на ВАХ переходів. Показано, що темновий струм в p—n-переходах після повторної хімічної обробки мезаструктур в інтервалі температур 160—298 К зумовлений процесами генерації та рекомбінаціїї носіїв в ОПЗ, а за температур менших ніж 160 К — тунелюванням за участю дислокацій.
The effect of surface conductivity on electrical properties of linearly-graded mesastructure InAs p—n junctions prepared by diffusion method is investigated. It is established that mesatructures prepared by chemical etching in 2 % Br₂+HBr etchant result in shunt surface conductivity. After the repeafed chemical treatment in the etchant based on nitric acid the dark current is decreased substantially. It is shown, that the dark current in these mesastructures is determined by generation and recombination processes in the depletion region at temperatures of 160—298 К, while at temperatures
lower than 160 K it is determined by tunneling caused by dislocations.
|
| issn |
0233-7577 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115606 |
| citation_txt |
Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p—n-переходів / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, І.О. Мазарчук, М.М. Кролевець, В.І. Лук’яненко, І.Г. Луцишин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 109-116. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
| work_keys_str_mv |
AT sukačav vplivpoverhnevoíprovídnostínaelektričnívlastivostímezastrukturnihinaspnperehodív AT tetʹorkínvv vplivpoverhnevoíprovídnostínaelektričnívlastivostímezastrukturnihinaspnperehodív AT mazarčukío vplivpoverhnevoíprovídnostínaelektričnívlastivostímezastrukturnihinaspnperehodív AT krolevecʹmm vplivpoverhnevoíprovídnostínaelektričnívlastivostímezastrukturnihinaspnperehodív AT lukânenkoví vplivpoverhnevoíprovídnostínaelektričnívlastivostímezastrukturnihinaspnperehodív AT lucišiníg vplivpoverhnevoíprovídnostínaelektričnívlastivostímezastrukturnihinaspnperehodív AT sukačav effectofsurfaceconductivityonelectricalpropertiesofmesastructureinaspnjunctions AT tetʹorkínvv effectofsurfaceconductivityonelectricalpropertiesofmesastructureinaspnjunctions AT mazarčukío effectofsurfaceconductivityonelectricalpropertiesofmesastructureinaspnjunctions AT krolevecʹmm effectofsurfaceconductivityonelectricalpropertiesofmesastructureinaspnjunctions AT lukânenkoví effectofsurfaceconductivityonelectricalpropertiesofmesastructureinaspnjunctions AT lucišiníg effectofsurfaceconductivityonelectricalpropertiesofmesastructureinaspnjunctions |
| first_indexed |
2025-12-07T16:33:35Z |
| last_indexed |
2025-12-07T16:33:35Z |
| _version_ |
1850867938199863296 |