Cover Image

Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p—n-переходів

Досліджено вплив поверхневої провідності на електричні властивості плавних мезаструктурних InAs p—n-переходів, виготовлених дифузійним методом. З’ясовано, що внаслідок використання протравлювача 2 % Br₂ + HBr для виготовлення мезаструктур в p—n-переходах виникає поверхнева шунтуюча провідність. Повт...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Date:2010
Main Authors: Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Мазарчук, І.О., Кролевець, М.М., Лук’яненко, В.І., Луцишин, І.Г.
Format: Article
Language:Ukrainian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/115606
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p—n-переходів / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, І.О. Мазарчук, М.М. Кролевець, В.І. Лук’яненко, І.Г. Луцишин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 109-116. — Бібліогр.: 15 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

Similar Items